• Title/Summary/Keyword: 2-타원

Search Result 516, Processing Time 0.031 seconds

Thermal Birefringence Effect on Laser-Diode Side-Pumped Nd:YAG Laser (반도체 레이저 측면 여기 Nd:YAG 매질에서의 열복굴절 효과)

  • 양동옥;김병태
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
    • /
    • 2000.02a
    • /
    • pp.314-315
    • /
    • 2000
  • 레이저 매질은 흡수된 여기 파워에 의해 매질 내부에서 열이 발생하고, 매질 표면을 따라 냉각이 진행되어 매질 내부에서는 불균일한 온도분포가 발생하게 된다.$^{[1,2]}$ 레이저 매질의 굴절율은 온도에 따라 변하기 때문에 열복굴절과 열렌즈 현상이 일어나 레이저 출력의 손실 및 빔질의 저하를 초래하게 된다.$^{[1,3]}$ 선형 편광 광선을 이용하는 고체 레이저는 레이저 매질을 브루스터각으로 가공하거나 공진기 내부쉐 브루스터판을 삽입한다. 따라서, 선형 편광 광선은 열복굴절에 의한 위상 지연으로 타원 편광이 되고, 타원 편광 광선의 s-성분은 브루스터판에서 반사를 일으키게 되어 레이저 출력의 손실을 일으키게 되므로 레이저 공진기를 구성하는데 있어서 정량적인 열영향의 해석이 필요하다$^{[1,2,5]}$ 열영향에 의한 위상 지연은 방위각 방향과 반지름 방향으로 각각 $\Delta$ $n_{\Phi}$, $\Delta$ $n_{r}$ 만큼 생긴 굴절율의 차이로 발생하고 다음과 같이 표현할 수 있다.$^{[1]}$ (중략)이 표현할 수 있다.$^{[1]}$ (중략)

  • PDF

Determination of $k_1$in Elliptic Crack under General Ioading Conditions (타원균열에 작용하는 일반적인 하중에서의 응력확대계수 계산)

  • An, Deuk-Man
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
    • /
    • v.21 no.2
    • /
    • pp.232-244
    • /
    • 1997
  • In this paper weight function theory is extended to the determination of the stress intensity factors for the mode I in elliptic crack. For the calculation of the fundamental fields Poisson's theorem and Ferrers's method were employed. Fundamental fields are constructed by single layer potentials with surface density of crack harmonic fundamental polynimials. Crack harmonic fundamental polynimials up to order four were given explicitly. As an example of the application of the weight function theory the stress intensity factors along crack tips in nearly penny-shaped elliptic crack are calculated.

Prediction of Stratified Turbulent Channel Flows with an Second Moment Model Using the Elliptic Equations (타원 방정식을 사용하는 2차모멘트 모형에 의한 성층된 난류 평판유동의 예측)

  • Shin, Jong-Keun
    • Korean Journal of Air-Conditioning and Refrigeration Engineering
    • /
    • v.19 no.12
    • /
    • pp.831-841
    • /
    • 2007
  • This work is to extend the elliptic operator, which has been already adopted in turbulent stress model, to fully developed turbulent buoyant channel flows with changing the orientation of the buoyancy vector to be perpendicular to the channel walls. The turbulent heat flux models based on the elliptic concept are employed and closely linked to the elliptic blending second moment closure which is used for the prediction of Reynolds stresses. In order to reflect the stable or unstable stratification conditions, the present model introduces the gradient Richardson number into the thermal to mechanical time scale ratio and model coefficients. The present model has been applied for the computation of stably and unstably stratified turbulent channel flows and the prediction results are directly compared to the DNS data.

Study of Terminal Velocity of 2-D Elliptical Object by Sedimentation Characteristics (2차원 타원형 물체의 유체 중 침강특성이 종단속도에 미치는 영향 연구)

  • Jeon, Jae-Yun
    • Proceeding of EDISON Challenge
    • /
    • 2016.03a
    • /
    • pp.548-553
    • /
    • 2016
  • 본 연구는 타원형 물체가 유체 중에서 침강할 때 물체의 형상과 밀도에 따른 침강특성을 분석하는 것이며, 이로 인해 종단속도에 미치는 영향을 평가하는 것이다. 복잡한 형태의 물체를 타원기둥으로 단순화하였고, 낮은 Reynolds 수(=0.5~100)에 대하여 연구를 진행하였다. 또한 침강형태가 종단속도에 미치는 영향을 연구하였다. 수치해석 검증을 통해 정확하고 효율적인 격자 크기를 결정하였다. 정확한 분석을 위해 단순히 종단속도의 변화를 본 것이 아니라 진동하지 않은 물체의 이론적 속도와 비교하여 이와 얼마나 차이가 있는지를 확인하였다. 수치해석 결과 장단축비에 따라 물체의 침강특성이 크게 변하였고 그 경향은 밀도비에 따라 다른 양상을 보였다. 또한 각의 진동에 대한 진폭과 진동수가 물체의 침강속도에 영향을 주는 것을 확인하고 그 원인에 대해서도 연구하였다.

  • PDF

A Lightweight Hardware Implementation of ECC Processor Supporting NIST Elliptic Curves over GF(2m) (GF(2m) 상의 NIST 타원곡선을 지원하는 ECC 프로세서의 경량 하드웨어 구현)

  • Lee, Sang-Hyun;Shin, Kyung-Wook
    • Journal of IKEEE
    • /
    • v.23 no.1
    • /
    • pp.58-67
    • /
    • 2019
  • A design of an elliptic curve cryptography (ECC) processor that supports both pseudo-random curves and Koblitz curves over $GF(2^m)$ defined by the NIST standard is described in this paper. A finite field arithmetic circuit based on a word-based Montgomery multiplier was designed to support five key lengths using a datapath of fixed size, as well as to achieve a lightweight hardware implementation. In addition, Lopez-Dahab's coordinate system was adopted to remove the finite field division operation. The ECC processor was implemented in the FPGA verification platform and the hardware operation was verified by Elliptic Curve Diffie-Hellman (ECDH) key exchange protocol operation. The ECC processor that was synthesized with a 180-nm CMOS cell library occupied 10,674 gate equivalents (GEs) and a dual-port RAM of 9 kbits, and the maximum clock frequency was estimated at 154 MHz. The scalar multiplication operation over the 223-bit pseudo-random elliptic curve takes 1,112,221 clock cycles and has a throughput of 32.3 kbps.

Real-time Highly Sensitive Measurement of Myocardial Infarction Biomarkers Using Silicon-based Ellipsometric Biosensors (실리콘 기반 타원편광계식 바이오센서를 이용한 심근경색 생체표지자의 실시간 초고감도 진단 농도 측정)

  • Min, Yoon Gi;Cho, Hyun Mo;Jo, Jae Heung
    • Korean Journal of Optics and Photonics
    • /
    • v.30 no.2
    • /
    • pp.59-66
    • /
    • 2019
  • We report highly sensitive detection of myocardial infarction biomarkers, such as myoglobin and cTnI, within several hundred seconds using a rotating-analyzer ellipsometer and a biosensor with biochips fabricated on a $SiO_2$-coated tilted silicon substrate. We choose the running buffer to be pure phosphate-buffered saline (PBS) or 10% mixed human serum. When we choose the running buffer to be pure PBS, we obtain diagnostic densities of pure myocardial infarction biomarkers of up to 1 ng/ml and 5 pg/ml respectively. Meanwhile, when we use PBS with 10% human serum, the measured densities of myoglobin and cTnI were up to 1 ng/mL and 1 pg/mL respectively. The measured diagnostic densities are less than 1/15 and 1/80 (in cases of myoglobin and cTnI respectively) of those referenced by the World Health Organization.

Montgomery Multiplier Supporting Dual-Field Modular Multiplication (듀얼 필드 모듈러 곱셈을 지원하는 몽고메리 곱셈기)

  • Kim, Dong-Seong;Shin, Kyung-Wook
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
    • /
    • v.24 no.6
    • /
    • pp.736-743
    • /
    • 2020
  • Modular multiplication is one of the most important arithmetic operations in public-key cryptography such as elliptic curve cryptography (ECC) and RSA, and the performance of modular multiplier is a key factor influencing the performance of public-key cryptographic hardware. An efficient hardware implementation of word-based Montgomery modular multiplication algorithm is described in this paper. Our modular multiplier was designed to support eleven field sizes for prime field GF(p) and binary field GF(2k) as defined by SEC2 standard for ECC, making it suitable for lightweight hardware implementations of ECC processors. The proposed architecture employs pipeline scheme between the partial product generation and addition operation and the modular reduction operation to reduce the clock cycles required to compute modular multiplication by 50%. The hardware operation of our modular multiplier was demonstrated by FPGA verification. When synthesized with a 65-nm CMOS cell library, it was realized with 33,635 gate equivalents, and the maximum operating clock frequency was estimated at 147 MHz.

타원편광분석법을 이용한 $In_xAl_{1-x}P$ 박막의 광물성 연구

  • Byeon, Jun-Seok;Hwang, Sun-Yong;Kim, Tae-Jung;Kim, Yeong-Dong;Aspnes, D.E.;Chang, Y.C.;Yun, Jae-Jin;Lee, Eun-Hye;Bae, Min-Hwan;Song, Jin-Dong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2013.02a
    • /
    • pp.423-423
    • /
    • 2013
  • 3~5 족 반도체 물질인 phosphorus 화합물 중 대표적인 InAlP 삼종화합물은 작은 굴절률, 큰 밴드갭, GaAs와 lattice 일치 때문에 큰 주목을 받고 있고, p-type high electron mobility transistors(p-HEMT), laser diodes 등의 고속 전자소자 및 광전 소자에 응용이 가능한 매우 중요한 물질이다. 최적의 소자 응용기술을 위해서는, 정확한 광물성 연구가 수행되어야 하지만 InxAl1-xP 화합물에 대한 유전율 함수 및 전자전이점 등의 연구는 미흡한 실정이다. 이에 본 연구에서는 1.5~6.0 eV 에너지 영역에서 각기 다른 In 조성비를 갖는 InxAl1-xP 화합물의 가유전율 함수 ${\varepsilon}={\varepsilon}_1+i{\varepsilon}_2$와 전자전이점 데이터를 보고한다. GaAs 기판 위에 molecular beam epitaxy (MBE)를 이용하여 InxAl1-xP (x=0.000, 0.186, 0.310, 0.475, 0.715, 0.831, 1.000) 박막을 성장하였고 타원편광분석기를 이용하여 유전율 함수를 측정하였다. 또한 실시간 화학적 에칭을 통하여 시료 표면에 자연산화막을 제거함으로써 순수한 InAlP의 유전율 함수를 측정할 수 있었고, 측정된 유전율 함수를 이차미분하여 In 조성비에 따른 전자전이점을 얻을 수 있었다. 얻어진 전자전이점 값을 이용하여 linear augmented Slater-type orbital method (LASTO) 를 통해 이론적 전자 밴드 구조 계산을 하였고, 이를 바탕으로 $E_0$, $E_1$, $E_2$ 전이점 지역의 여러 전자전이점($E_1$, $E_1+{\Delta}_1$, $E_0'$, $E_0'+{\Delta}_0'$, $E_2$, $E_2'$)의 특성을 정의할 수 있었고, $E_0'$$E_2$ 전이점의 에너지 값이 In 조성비가 증가함에 따라 서로 교차함을 발견할 수 있었다. 타원 편광 분석법을 이용한 유전율 함수 및 전자전이점 연구는 InAlP의 광학적 데이터베이스를 확보하는 성과와 더불어 새로운 디바이스 기술 및 광통신 산업에도 유용한 정보가 될 것이다.

  • PDF