• 생명과학회지
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• 제8권5호
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• pp.598-603
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• 1998

1. 어류에서 분리한 V. anguillarum KS410의 용혈소를 분리하여 배양 상등액, 황산암모늄 침전, DEAE-cellulose column chromatography, Sephadex G-200 gel 여과 등의 과정을 통하여 36배 정제하였고 최종 회수율은 2.3%였다. 2. 정제된 용혈소의 SDS-PAGE상의 전기영동 결과는 38 Kda의 분자량을 보유하였다. 3. 온도에 대한 정제 용혈소는 45$^{\circ}C$까지는 안정하였으나 그 이상의 온도에서는 급격히 실활되어 이열성인 것으로 나타났다. 4. NaCl 농도에 따른 V. anguillarum 용혈소의 안정성은 1%가 가장 안정하였고 4%이상에서는 안정성이 감소하였다. 5. 정제된 용혈소의 pH 안정성은 6-9 사이었다. 6. 금속이온에 대한 정제 용혈소는 $Ca^{2+}, Cu^{2+}, Zn^{2+}, Fe^{2+}$ 첨가시에는 실활되었으나 $Mg^{2+}$첨가에는 영향을 받지 않았다. 7. 정제용혈소는 EDTA에 대하여 전혀 활성에 저해를 받지 않았으나 $FeCl_3$에서는 저해를 받았다.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제24권6호
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• pp.687-692
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• 1996

Xylanase (EC 3.2.1.8) was purified approximately 4.3 fold from Aspergillus niger SFN-416 by ammonium sulfate fractionation, Sephadex G-100 gel filtration and DEAE-Sephacel ion exchange chromatography. Molecular weight of the enzyme was approximately 42,000 daltons. The optimum pH and temperature of the enzyme activity were 5.5 and 50$\circ$C, respectively. The enzyme activity was enhanced by Fe$^{2+}$, and inhibited by Hg$^{2+}$. The activity was decreased by addition of methanol, ethanol, isopropanol and 1-butanol at a concentration of 10%(v/v).

• 대한화학회지
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• 제39권1호
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• pp.66-70
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• 1995

토양에서 얻어진 흄산(HA)을 한외 여과법을 이용 분자량에 따라 4개의 소부분(F1 : 100,000 dalton 이상; F2 : 100,000 dalton 이하;10,000 dalton 이하; F4 : 2,000 dalton 이하)으로 분리한 뒤 적외선 분광법과 핵자기 공명 분광법을 통하여 각 소부분들의 분광학적 특성을 규명하고 상호간에 비교 분석하였다. 4개 소부분들의 $1^H$과 $13^C$ NMR 스펙트럼은 전체적인 특성에서 모두 흄산 모액 스펙트럼과 유사하게 나타났다. 이 결과는 분자량이 변하더라도 흄산의 전체적 특성이 그대로 유지됨을 제시한다. 차이점으로는 IR 스펙트럼 결과 분자량이 적어지면서 다당류 성분 함량이 다소 감소된 반면 카르복실기 성분 함량은 조금 증가된 것으로 나타났다.

• 한국수정란이식학회지
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• 제20권3호
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• pp.317-322
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• 2005

본 연구는 젖소에 있어서 다량의 수정란을 생산하여, 고능력의 유전인자를 조기에 확산할 수 있도록, 젖소에 있어서 PEG를 이용하여 과배란 처리기법 확립을 위해 실시하였으며, 그 결과는 다음과 같다. 1. 성선자극호르몬의 처리 방법에 따른 황체반응은 Folltropin 단독처리시 $5.8\%$, Folltropin+EB는 $20.6\%$, Folltropin+PEG는 $24.0\%$로 나타났으며, 유의적인 차이를 보였다(p<0.01). 2. 성선자극호르몬의 처리 방법에 따른 이식 가능 수정란 수에 미치는 영향은 Folltropin V 단독처리시 3.6개, Folltropin +EB 처리시 3.3개, Folltropin +PEG 8,000 처리시 2.8개이었으며, 유의적인 차이를 나타내지 않았다(p<0.01). 3. 성선자극호르몬의 처리방법에 따른 퇴행란과 미수정 란 Folltropin+EB와 Folltropin+PEG 처리구에서 Folltropin 단독처리보다 많이 회수되었으며,배반포 수정란의 수에 있어서는 처리간에 유의적인 차이를 보이지 않았다. 이상의 결과는 임의의 발정주기에 CIDR 삽입후 Folltropin의 1일 2회 4일간의 분할 투여법 뿐만 아니라 Folltropin을 PEG로 용해하여 1회 투여법을 이용한 과배란 처리기법도 젖소 공란우에서 수정란의 생산이 가능함을 보여준다.

• 한국결정학회지
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• 제17권1호
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• pp.24-32
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• 2006

[ $Zn_3Nb_2O_8$ ]세라믹스에 액상소결제인 $V_2O_5$를 첨가하여 소결하여 고주파 대역에서의 유전특성의 변화를 조사하였다. $1100^{\circ}C$에서 2시간 하소한 결과 $Zn_3Nb_2O_8$를 합성할 수 있었고, $V_2O_5$를 첨가하여 소결한 $Zn_3Nb_2O_8$에서 $V_2O_5$의 mole%증가와 소결온도의 증가에 따라 상대밀도 95%의 소결특성을 확인 하였다. 유전율 특성은 $V_2O_5$ mole ratio가 $2{\sim}4%$의 시편에서 모두 ${\varepsilon}_r\;21$ 이상으로 증가됨을 확인하였고, 품질계수는 $900^{\circ}C$에서 소결한 $V_2O_5$ 2 mole% 시편에서 $Q{\times}f=40,000$을 나타내었다. 온도계수는 $900^{\circ}C$ 소결하고 $V_2O_5$ 1 mole% 첨가한 경우 0에 제일 가까운 $T_{cf}=-54ppm/^{\circ}C$를 나타내었고, 다른 보건에서는 $T_{cf}=-60{\sim}-80ppm/^{\circ}C$의 값을 나타내었다.

• 한국식품과학회지
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• 제51권2호
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• pp.152-159
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• 2019

전통발효식초에 속하는 사과식초로부터 에탄올 및 증류수를 이용, 다당체를 분리하여 새로운 면역활성 물질을 확인하고자 하였다. 사과식초를 농축하고, 80% 에탄올을 가하여 침전물을 얻었으며 소량에 물에 용해하여 투석 및 동결건조를 거쳐 조다당 KAV-0를 얻었다. 구성당 분석 결과, KAV-0는 주로 mannose 38.2%, galactose 19.1% 및 glucose 14.3%로 구성되어있음을 확인하였고, 정상세포주(RAW 264.7 세포 및 대식세포) 및 종양세포주(B16-BL6 melanoma 세포)에 대해 세포독성 측정 결과, 직접적인 세포독성을 나타내지 않았다. 대식세포 유래 세포주인 RAW 264.7 세포 자극에 대한 사이토카인 및 산화질소 생산능을 측정한 결과, IL-6, $TNF-{\alpha}$ 및 산화질소 모두 농도 의존적으로 분비능이 증가하고 저농도에서도 우수한 활성을 나타냈으며, 마우스 복강유래 대식세포 자극에 대한 사이토카인 및 산화질소 생산능에서도 동일한 양상의 결과를 보여 사과식초 유래 조다당 KAV-0가 높은 대식세포 활성능을 소유함을 확인할 수 있었다. 한편, KAV-0의 정맥투여에 따른 NK 세포 활성화를 측정한 결과(ex vivo), 시료에 의해 활성화된 NK 세포는 Yac-1 종양 세포주에 대한 치사활성을 농도 의존적으로 증진시켰으며, $1,000{\mu}g/mouse$에서 월등히 우수한 NK 세포 활성능을 유도하였다. 또한, B16-BL6 melanoma를 이용한 폐암전이모델에서 KAV-0를 정맥투여한 뒤 항전이 활성을 측정한 결과, 농도 의존적으로 암 저해 효과가 나타났으며, 특히 $1,000{\mu}g/mouse$에서는 약 53%의 우수한 암전이 억제 활성을 나타냈다. 이상의 결과로부터 사과식초 유래 조다당 KAV-0는 인체의 면역계를 자극하여 우수한 면역활성 및 항전이 효과를 나타낼 수 있음이 확인되었고 건강 기능성 소재로의 활용 가능성이 충분할 것으로 최종 판단되었다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2012년도 춘계학술발표대회
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• pp.329-332
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• 2012

국내 택배시장 규모는 매출 3조원 이상, 물량 13 억 상자 이상을 처리하고 있다. 2000년 6천억원에서 불과 10년 사이에 500% 이상 확대되었다. 그에 반해 소비자들의 불만 역시 증가하였다. 따라서 현재의 수작업 VOC 분류 방식으로는 적정한 대응에 한계가 있을 수 밖에 없다. 이 논문에서는 효율적인 택배불만 처리를 위해서 불만의 종류와 정도를 기계학습을 이용하여 자동분류 하는 과정 및 결과를 기술한다. 약 93,000건의 VOC(voice of customer)를 대상으로 학습 데이터를 구축하고 여러 자질 선택 기법을 비교하였으며, 기존의 다양한 문서 자동 분류 방법들을 적용해 보았다. 실험결과 지지벡터기계가 가장 좋은 성능을 보였고, 각각의 F-measure 값은 불만의 정도는 83.1%, 불만의 종류는 75.9% 로 측정되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.95-95
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• 2013

박막 공정 기술은 반도체 및 디스플레이뿐만 아니라 대부분의 전자소자에 적용되는 매우 중요한 기술이다. 그 중, 마그네트론 스퍼터링 공정은 플라즈마를 이용하여 금속 및 세라믹 등의 벌크 물질을 박막으로 증착 가능한 가장 널리 사용되는 방법 중의 하나이다. 하지만, Fe, Co, Ni 같은 강자성체 재료는 공정이 불가능하며, 스퍼터링 타겟 효율이 40% 이하이고, 제한적인 방전압력 범위 및 전류 상승에 의한 높은 전압 인가 제한이 있다는 단점이 있다. 본 연구에서 사용된 고밀도 플라즈마 소스를 적용한 고효율 스퍼터링 시스템은 할로우 음극을 이용한 원거리에서 고밀도 플라즈마를 생성하여 전자석 코일을 통해 자석이 없는 음극으로 이온을 수송시켜 스퍼터링을 일으킨다. 따라서 강자성체 재료의 스퍼터링이 가능하며, 90% 이상의 타겟 사용 효율 구현 및 기존 마그네트론 스퍼터링 대비 고속 증착이 가능하다. 또한, $10^{-4}$ Torr 압력영역에서 방전 및 스퍼터링이 가능하다. 타겟 이온 전류를 타겟 인가 전압과 관계없이 0~4 A까지, 타겟 이온 전류와 상관없이 타겟 인가 전압을 70~1,000 V 이상까지 독립적으로 제어가능하다. 또한 TiN과 같은 질소 반응성 공정에서 반응성 가스인 질소를 40%까지 넣어도 타겟에 수송되는 이온의 양에 영향이 없다. 할로우 음극 방전 전류 40 A에서 발생된 플라즈마의 이온에너지 분포는 55 eV에서 가우시안 분포를 보였으며, 플라즈마 포텐셜인 sheath drop은 74 V 였다. OES를 통한 광학적 진단 결과, 전자석에 의한 이온빔 초점에 따라 플라즈마 이온화율을 1.8배까지 증가시킬 수 있으며, 할로우 음극 방전 전류가 60~100 A로 증가하면서 플라즈마 이온화율을 6배까지 증가 가능하다. 또한, 타겟 이온 전류와 관계없이 타겟 인가 전압을 300~800 V로 증가시킴에 따라 Ar 이온 밀도의 경우 1.4배 증가, Ti 이온 밀도의 경우 2.2배 증가시킬 수 있었으며, TiN의 경우 증착 속도도 16~44 nm/min으로 제어가 가능하다.

• 열처리공학회지
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• 제4권2호
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• pp.19-26
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• 1991

강의 내마모성과 내식성을 증가시키기 위하여 종래의 방법보다 우수한 확산표면경화처리에 대하여 연구하였다. 무수붕사($Na_2B_4O_7$)를 주체로 하는 해당염욕에 첨가물로서 -100 mesh의 Fe-V를 첨가한 후 각각 탄소량을 달리하는 시편을 침적시켜 탄화물층의 형성유무와 탄화물층과 침척시간과의 관계 및 피처리재중의 탄소량과의 관계에 대하여 조사하였고, 탄화물층내의 미소경도를 측정하였다. 연구결과는 다음과 같다. (1) 탄화물층은 모재표면의 C원자와 붕사욕 중에 용출된 V와 결합에 의해서 형성되고 형성된 탄화물층 속으로 확산해서 모재 중의 C원자가 표면에 보급되는 것에 의해서 성장한다. (2) 탄화물층의 두께는 온도와 탄소량이 일정할 경우 침척시간의 1/2 승에 비례하였다. 또한 온도와 침적시간이 일정할 경우 탄소량이 증가할수록 탄화물층의 두께는 증가하였다. (3) 시편의 표면에 형성된 탄화물층은 VC층이었으며, 이 탄화물층 내의 미소경도는 $H_v$ 3,000 이상이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.308-308
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• 2011

6.48 ${\AA}$의 격자 상수를 갖는 InSb 물질은 0.17 eV의 낮은 에너지 밴드갭과 78,000 cm2/Vs의 전자 이동도를 갖는 물질로서 고속의 자성 센서소자, 장파장의 광 검출기 그리고 고속 전자소자 등의 분야에서 많은 주목을 받고 있다. 그러나, 전기적 특성이 우수한 InSb 물질을 소자로 구현하는데 있어서 큰 어려움이 있다. InSb와 격자 크기가 잘 맞으면서 절연이 우수한 기판의 부재가 가장 큰 문제가 되는 부분이다. 즉, 격자 부정합을 최소화하며 동시에 절연기판을 사용함으로써 소자의 특성을 잘 살려야 하는 것이다. 이러한 이유로 인하여 InSb 기반의 소자가 널리 사용되지 못하고 있는 것이다. 현재 범용으로 사용하고 있는 기판은 격자 부정합이 14%인 GaAs, 11%의 InP 그리고 18%의 Si 등이 있다. 이번 발표에서는 GaAs 기판 위에 격자 부정합을 최소화하여 InSb 박막을 최적화 시켜 성장하는 방법에 대해서 소개하고자 한다. InSb 박막 성장하는데 있어 논문으로 보고된 여러 가지 방법들이 있다. 기판과의 격자 부정합을 줄이기 위하여 저온-고온 (L-T)의 의한 메타몰픽(metamorphic) buffer 층을 성장 후 InSb 박막을 성장하는 방법[1] 그리고 단계별 buffer를 성장하는 방법[2] 등을 통해서 많은 진보가 있었다. 하지만, 우리는 GaAs 기판 위에 AlSb 박막을 성장 하면서 동시에 In과 Al의 양을 서서히 변화시키는 grading 기술을 사용하였다. 즉, 물질 각각의 격자상수를 고려하여 GaAs (기판)-AlSb-InAlSb-InSb로 변화를 주어 격자 부정합이 최소가 되도록 하여 만들어진 buffer 위에 InSb 층이 만들어 지도록 하여 GaAs 기판 위에 InSb 박막을 성장 할 수 있었다. grading 기술을 이용하여 만들어진 buffer 위에 성장된 0.3 um의 InSb 박막 층은 상온에서 전자 이동도가 약 38,000 cm2/Vs에 이르는 것을 확인하였다. InSb 박막의 두께가 약 1 um 되어야 30,000 cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 얻을 수 있다고 많은 논문을 통해서 보고 되고 있으나 우리는 단지 0.3 um의 InSb 박막두께에서 이와 같은 전기적인 특성을 확인하였기에 이상과 같이 보고 하고자 한다.