• 한국결정성장학회지
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• 제13권5호
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• pp.230-234
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• 2003

GaAs (001) 기판과 완충층을 사용한 ZnTe/GaAs(001) 기판 위에 고농도의 Zn 조성을 가지는 $Cd_xZn_{1-x}$Te/GaAs, $Cd_xZn_{1-x}$Te/ZnTe/GaAs 에피층 구조를 성장시켰다. 이때 $Cd_xZn_{1-x}$Te 에피층에서의 CuPt형의 규칙상 형성, 미세구조적 특성과 광발광특성을 X-선회절과 전자회절상, 고분해능 투과전자현미경, 그리고 저온 광발광 측정 장치를 이용하여 연구하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.226-231
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• 2002

The present study discusses the results of the controlled precipitation of HgTe nanocrystals in a PbTe semiconductor matrix and demonstrates its effectiveness in producing well-organized and crystallographically aligned semiconductor nanocrystals. Following the similar procedure used in metallic alloys, the semiconductor alloys are treated at 600$^{\circ}C$ for 48 hours, quenched and aged up to 500 hours at 300$^{\circ}C$ and 450$^{\circ}C$ to induce homogeneous nucleation and growth of HgTe nanocrystalline precipitates. Examination of the resulting precipitates using transmission electron microscopy (TEM) and high resolution TEM (HRTEM) reveals that the coherent HgTe precipitates form as thin discs along the {100} habit planes making a crystallographic relation of {100}$\sub$HgTe///{100}$\sub$PbTe/ and [100]$\sub$HgTe///[100]$\sub$PbTe/. It is also found that the nato-disc undergoes a gradual thickening and a faceting under isothermal aging up to 500 hours without any noticeable coarsening. These results, combined with the extreme dimension of the precipitates (4 nm in length and sub-nanometer in thickness) and the simplicity of the formation process, leads to the conclusion that controlled precipitation is an effective method for the preparation of the desirable quantum-dot nanostructures.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.419-420
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• 2008

In this work, we report several experimental data capable of evaluating the phase transition characteristics of (InTe)x(GeTe)y (x = 0.1, 0.3, y =1) pseudo-binary thin films. (InTe)x(GeTe)y phase change thin films have been prepared by thermal evaporator. The crystallization characteristics of amorphous (InTe)x(GeTe)y thin films were investigated by using nano-pulse scanner with 658 nm laser diode (power : 1~17 mW, pulse duration : 10~460 ns) and XRD measurement. It was found that the crystalline speed of In-Ge-Te thin films are faster than $Ge_2Sb_2Te_5$[1] and also the crystalline temperature is higher. Changes in the optical transmittance of as-deposited and annealed films were measured using a UV-VIS-IR spectrophotometer and four-point probe was used to measure the sheeresistance of InGeTe films annealed at different temperature.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.218.1-218.1
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• 2013

GeSbTe 삼원계 칼코겐화물 합금은 광디스크 및 상변화 메모리에서 활성물질로 사용되는 대표적인 재료이다. GeSbTe 합금은 결정질 상과 비정질 상의 두 종류의 상을 갖는데 그 상에 따라 반사율 및 전기저항이 서로 다르기 때문에 활성물질로서 작용한다. GeSbTe 합금 구성원소의 일부를 포함하는 두 종류의 물질로 접합을 형성하고 열처리 공정을 수행함으로써 GeSbTe 합금을 국부적으로 생성하는 방법이 최근에 보고되었다. 이러한 방법을 상변화 메모리 소자 제조에 이용하면 GeSbTe 합금을 제한된 영역에 나노 스케일로 만드는 것이 가능해져서 GeSbTe 합금의 상변화를 유도하는데 필요한 프로그래밍 전류를 낮추는 효과를 얻을 수 있다. 상변화 메모리 소자 내에서의 GeSbTe 합금의 두께 또는 크기는 상변화 메모리 소자의 동작 특성을 좌우하는 중요한 파라미터이며 이것은 열처리 공정 조건에 따라 결정되므로 열처리 공정 조건에 따라 GeSbTe 합금이 생성되는 양상이 어떻게 변화하는지를 밝힐 필요가 있다. 따라서 본 연구에서는 다양한 열처리 온도 조건에서 Ge-Sb-Te 삼성 분계에서의 구성 원소들의 상호확산 거동을 조사하였다. 순수한 Ge 박막과 조성이 다른 SbTe 박막의 접합을 형성하고 773K까지의 온도 범위에서 열처리를 실시하였다. Auger 수직 분석을 이용하여 Ge, Sb, 및 Te 원소의 깊이 방향의 확산 정도를 조사하였으며 그 결과로서 열처리 온도가 증가함에 따라 상호확산 정도가 심해지고 Te 원소가 상호확산에 있어서 중요한 역할을 한다는 사실을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.195-197
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• 2002

CdTe quantum dots(QDs) were synthesized in aqueous solution by colloidal method. Photoluminescence(PL) spectra of the synthesized CdTe QDs revealed the intensity of PL peaks was stronger as the condensation time was longer. This result was thought because annealing effect by thermal energy transferred during condensation eliminated defects which act as traps and recombination centers in CdTe particle. PL intensity has stron dependence of Te precursor concentration. It confirmed the ratio of Te ion to Cd ion added during synthesis affected the particle size and size distribution of the CdTe QDs. Finally, the synthesized CdTe QDs were identified to be cubic structured CdTe quantum dots by X-ray diffraction(XRD).

• 한국결정성장학회지
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• 제9권1호
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• pp.89-93
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• 1999

나노 구조를 갖는 다공질 규소의 표면과 투명하고 전도성을 갖는 접촉방법을 얻기 위해 다공질 규소 표면에 CdTe 화합물 박막을 전착시키는 방법을 시도하였다. CdTe 화합물 박막은 1 M의 $CdSO_4$와 1mM의 $TeO_4$가 혼합된 전해액 속에서 전착 전위 2-2.3V(vs. Ag/AgCl)로 다공질규소의 표면에 전착시켰다. X선 회절 측정결과 다공질규소 표면에 CdTe 화합물 박막이 생성되었음이 확인되었고, AES 분석결과 표면에서 약 80nm 깊이까지 Cd 및 Te 원소가 균일하게 존재하였다. 그리고 CdTe 화합물 박막이 전착된 다공질규소의 PL 특성은 발광의 세기는 약간 검소하였고 최대파장값은 고에너지 쪽으로 이동하였다. 이 결과로 보아 CdTe 전착 박막이 나노 구조를 갖는 다공질규소와 투명하고 전도성을 갖는 접촉물질로 이용될 수 있음이 밝혀졌다.

• 한국재료학회지
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• 제12권12호
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• pp.918-923
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• 2002

In this work, CdTe films were deposited on CdS/ITO/glass substrate by a close spaced sublimation (CSS) method. A $Cu_2$Te layer was deposited on the CdTe film by evaporating $Cu_2$Te powder. Then the samples were annealed for p+ ohmic contact. TEM and XRD analysis showed that $CdTe/Cu_2$Te interface exhibited different forms with various annealing temperature. A good p+ ohmic contact was achieved when the annealing temperature was between $180^{\circ}C$ to $200^{\circ}C$. Best cell efficiency of 12.34% was obtained when post annealing temperature was $200^{\circ}C$ for 5 min. Thermal stress test of the CdS/CdTe cells with carbon back contact showed that the $Cu_2$Te contact was stable at $50^{\circ}C$ in $N_2$ and was slowly degraded at $100^{\circ}C$ in $N_2$. In comparison to the conventional carbon contact, the $Cu_2$Te contact showed a better thermal stability.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제14권2호
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• pp.9-15
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• 2007

미세열전박막소자에 적용을 하기 위해 전기도금으로 형성한 Bi-Te 박막의 열전특성과 포토레지스트 공정에 대하여 연구하였다. $Bi_2O_3$와 $TeO_2$를 1M $HNO_3$에 용해시킨 20 mM 농도의 Bi-Te 도금 용액을 사용하여 박막을 도금 후, 용액내 Te/(Bi+Te)비에 따른 Bi-Te 박막의 열전특성을 분석하였다. Te/(Bi+Te)비가 0.5에서 0.65로 증가함에 따라 Bi-Te 도금막의 전자농도의 증가로 Seebeck 계수가 $-59{\mu}V/K$에서 $-48{\mu}V/K$로 변하고 전기비저항이 $1m{\Omega}-cm$ 에서 $0.8m{\Omega}-cm$로 감소되었다. 조성이 $Bi_2Te_3$에 근접한 도금막에서 가장 높은 $3.5{\times}10^4W/K^2-m$의 출력인자를 얻을 수 있었다. 다층 overhang 공정을 이용하여, 직경 $100{\mu}m$이며 깊이 $30{\mu}m$ 형상의 미세열전소자 형성용 포토레지스트 패턴의 형성이 가능하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.298-299
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• 2012

현재 반도체 나노구조는 단전자 트랜지스터, 레이저, LED, 적외선 검출기 등과 같은 고효율 광전자 소자에서의 응용을 위해 활발한 연구가 진행 되고 있다. 이러한 응용 분야를 위한 다양한 종류의 나노구조 성장이 광범위하게 시도 되고 있지만 주로 III-V 족 화합물 반도체에 대한 연구가 주를 이룬 반면 II-VI 족 화합물 반도체에 대한 연구는 아직 미흡하다. 하지만 II-VI 족 화합물 반도체는 III-V 족 화합물 반도체와 비교했을 때 더 큰 엑시톤 결합에너지(exciton binding energy)를 가지는 우수한 특성을 보이고 있으며 이러한 성질을 가지는 II-VI 족 화합물 반도체 중에서도 넓은 에너지 갭을 가지는 CdTe 양자점은 녹색 영역대의 광전자 소자로서 활용되고 있다. 본 연구에서는 분자 선속 에피 성장법(molecular beam epitaxy; MBE)과 원자 층 교대 성장법(atomic layer epitaxy; ALE)으로 CdTe 두께에 따른CdTe/ZnTe 나노구조의 광학적 특성을 연구하였다. 광루미네센스(photoluminescence; PL)를 통해 CdTe/ZnTe 나노구조에서 CdTe 두께에 따른 에너지 밴드와 열적 활성화 에너지를 관찰하였다. 또한 시분해 광루미네센스(Time-resolved PL)를 통해 CdTe 두께에 따른 CdTe/ZnTe 나노구조의 운반자 동역학을 조사하였다. 저온 광루미네센스 측정 결과 CdTe 두께가 증가할수록 각 샘플의 피크는 더 낮은 에너지 영역대로 이동하는 것을 관찰할 수 있다. 1.2 에서 2.0 ML로 증가할 때 광 루미네센스의 작은 적색편이를 관찰할 수 있는데, 이는 CdTe 양자우물에서 양자점으로의 구조적인 전이가 일어남에 따라 구속효과가 증가하였기 때문이다. 또한 2.0 에서 3.6 ML까지 CdTe 두께가 증가할 때 측정된 적색편이 현상은 양자점의 사이즈 증가함에 따른 것이다. 마지막으로 3.6 에서 4.4 ML로 CdTe 두께가 증가할 때 큰 적색편이 현상을 볼 수 있는데 이는 CdTe 양자점에서 양자세선으로의 구조적 전이에 따라 구속효과가 증가하였기 때문이다. 온도 의존 광루미네센스(Temperature-dependent PL) 측정 결과 1.2 와 3.0 ML 두께의 CdTe/ZnTe 나노구조에서 구속된 전자의 열적 활성화 에너지가 18 과 35 meV로 관찰되었다. 3.0 ML CdTe/ZnTe 나노구조에서 가장 큰 열적 활성화 에너지를 갖는 것은 양자점의 균일도가 좋아지고 저차원 나노구조로의 구조적 전이가 일어나면서 운반자 구속효과에 다른 쿨롱 상호작용이 증가하였기 때문이다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제31권5호
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• pp.1123-1127
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• 2010

We report a simple and quick route for the preparation of high-quality, nearly monodisperse $Bi_2Te_3$, $Sb_2Te_3$, and $Bi_xSb_{2-x}-Te_3$ nanocrystallites. The reactions of bismuth acetate or antimony acetate with Te in oleic acid result in pure phase of $Bi_2Te_3$ or $Sb_2Te_3$ nanoparticles, respectively. Also, ternary $Bi_xSb_{2-x}Te_3$ nanoparticles were successfully synthesized using the same method. The size and morphology of the nanoparticles were controlled by varying the stabilizing agents. The as-prepared nanoparticles are characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscope, and high-resolution transmission electron microscope using an energy dispersive spectroscopy.