Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.429-429
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2012
본 연구에서는 분자선 박막 성장법(MBE)으로 성장된 GaAs single junction solar cell의 광학적 특성 변화를 photoreflectance (PR)을 이용하여 연구하였다. 본 연구에 사용된 태양전지 구조는 n+-GaAs (100)기판 위에 n+-GaAs buffer를 200 nm 성장 후 그 위에 i-GaAs 250 nm와 p+-GaAs 200 nm 성장 하였다. 상온에서 PR 측정 결과, 변조빔 세기가 증가할수록 Franz-Keldysh oscillation (FKO)의 주파수가 증가하는 현상이 관측되었다. 이는 변조빔의 세기가 강해질수록 광케리어수의 증가로 인한 스크리닝 효과에 기인한 것으로 사료된다. 아울러 Fast Fourier transform (FFT) 결과, 변조빔의 세기가 약할 때는 세 개의 주된 피크가 나타났으며, 이러한 현상은 GaAs에서 가전자대의 heavy hole (HH)과 light hole (LH)의 전이로 인해 나타나는 FKO 신호가 중첩되어 HH과 LH 피크가 HH과 HH-,LH과 LH-로 나뉘어진 것으로 사료된다. 여기광의 세기가 $1.40mW/cm^2$ 이상일 때는 주된 세 개 피크 이외에 부가적인 피크가 상대적으로 고 주파수 영역에서 관측되었다. 이러한 고주파수 영역에서의 나타나는 FKO 주파수는 시료의 내부전기장이 여기광의 세기가 증가할수록 감소하는 결과로 사료된다.
In this study, the PVDF organic thin films were fabricated by thermal evaporation deposition which is one of the dry-processing methods. The distance from heat source to substrate was 5 cm. The substrate temperature was maintained at $30 ^{\circ}C$ during deposition. The working pressure was about $2.0\times10^{-5}$Torr and the temperature of heat source was increased at the rate of 6 to $8^{\circ}C$/min. At $270^{\circ}C$, the shutter was opened and the deposition of PVDF has stared. As the electrical field intensity increased, $\alpha$ peaks such $530\textrm{cm}^{-1},795\textrm{cm}^{-1},1182\textrm{cm}^{-1}$ decreased, and $\beta$ peaks such as $510\textrm{cm}^{-1},1273\textrm{cm}^{-1}$ increased. The intensity of $530\textrm{cm}^{-1}$ peak was stronger than that of $510\textrm{cm}^{-1}$ peak velow the 71.4 kV/cm, intensity of electrical field. This result showed the characteristic of film mainly due to $\alpha$-mode. According to these results, the molecular structure of PVDF thin film is transformed from $\alpha$-mode with TGT or TG'T to $\beta$-mode with planar zigzag structure TT, as increasing of intensity of electrical field.
We studied the mechanism of orientation of polyimide molecules which were irradiated by polarized UU (PUV) using polarized Fourier transform infrared (FT-IR) spectroscopy and ultraviolet (UV) spectroscopy, According to the measured UV spectra, we found PI films mainly absorb UV light less than 350 nm wavelength, therefore, UV light less than 360 nm induces photochemical reaction of PI. PUV irradiation of PI films caused decrease of all peak intensities in the FT-IR spectra. except the newly formed broad peak at $3244 cm^{-1}$, due to degradation of the PI molecules. The remaining PI molecules after photo-degradation showed predominantly perpendicular molecular orientation to the irradiated PUV polarization direction, due to the preferential degradation of PI molecules parallel to irradiated PUV polarization direction. However the rubbing of PI films induced reorientation of the PI molecules parallel to the rubbing direction. We also investigated the alignment of the liquid crystal by rubbing or PUV irradiation. Liquid crystals align perpendicular to the PUV polarization direction and parallel to the rubbing direction.
Glycidol-poly(lactide) (Gly-PLA) were synthesized via L-lactide ring opening polymerization with glycidol as an initiator and $Al(O-i-Pr)_3$ catalyst. The structure of Gly-PLA was analyzed and successfully confirmed by 1H NMR. The OH group of glycidol in Gly-PLA was absent according to the $^1H$ NMR analysis, indicating that the terminal OH group of glycidol successfully served as an initiator in the L-lactide polymerization. The solution and bulk polymerizations of L-lactide with glycidol were performed to examine the effect of L-lactide/glycidol molar ratio, polymerization temperature and time on the molecular characteristics of Gly-PLA. The conversion and molecular weight increased with an increase in L-lactide/glycidol molar ratio. Gly-PLA showed the bimodal type DSC curve. The low $T_m$ peak of low molecular weight reduced but the high $T_m$ peak of high molecular weight increased as L-lactide/glycidol molar ratio increased.
Kim, Min-Su;Im, Gwang-Guk;Kim, So-A-Ram;Nam, Gi-Ung;Lee, Dong-Yul;Kim, Jin-Su;Kim, Jong-Su;Im, Jae-Yeong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.247-247
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2011
플라즈마 분자선 에피택시(plasma-assisted molecular beam epitaxy)법을 이용하여 다공질 실리콘(porous silicon)에 ZnO 박막을 성장하였다. 성장 후, 아르곤 분위기에서 10분 간 다양한 온도(500~700$^{\circ}C$)로 열처리하였다. 다공질 실리콘 및 열처리 온도가 ZnO 박막의 특성에 미치는 영향을 scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL)을 이용하여 분석하였다. 실리콘 기판에 성장된 ZnO 박막은 일반적은 섬구조(island structure)로 성장된 반면, 다공질 실리콘에 성장된 ZnO 박막은 산맥과 같은 구조(mountain range-like structure)로 성장되었다. 열처리 온도가 증가함에 따라 ZnO 박막의 grain size는 증가하였다. 실리콘 기판 위에 성장된 ZnO 박막은 wurtzite 구조를 나타내는 여러 개의 회절 피크가 관찰된 반면, 다공질 실리콘에 성장된 ZnO 박막은 c-축 배향성(c-axis preferred orientation)을 나타내는 ZnO (002) 회절 피크만이 나타났다. 다공질 실리콘에 성장된 ZnO 박막의 구조적 및 광학적 특성이 실리콘 기판에 성장된 ZnO 박막의 특성보다 우수하게 나타났다. 뿐만 아니라, 열처리 온도가 증가함에 따라 다공질 실리콘에 성장된 ZnO 박막의 PL 강도비(intensity ratio)가 실리콘 기판에 성장된 ZnO 박막의 강도비보다 월등하게 증가하였다.
Sodium and zinc salts of poly(ethyaene-co-methacrylic acid) ionomers consist of three phases, i.e. ionic aggregates, amorphous, and crystalline phases. Dye molecules after soaked from the methanol solution are located near the amorphous phase or ionic aggregates within ionomer films. Depending on the location of the molecules in the ionomer film, they are under influence of dispersion forces (ethylene parts), polar forces (acid parts). and ionic dipole (ionic aggregates) interactions. The UV/Vis absorption peak of Nile Red under the dispersion force is found at near 500 nm, for the dye under the polar force effect 525 nm, and 550 and 610 nm for the dyes under $Na^+$ and $Zn^{2+}$ ionization effects, respectively. Since the divalent $Zn^{2+}$ ion has larger ionic dipole than the monovalent $Na^+$ ion, the larger red-shift of the absorption band due to the ionic dipole interaction is observed for $Zn^{2+}$ counter ion.
Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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v.38
no.11
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pp.1559-1563
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2009
Scaled-up production of oil containing diacylglycerol (DAG), so called diacylglycerol-oil, was produced by lipase-catalyzed reaction. Mixture of soybean oil and glyceryl monooleate with 1:2 molar ratio was esterified with Lipozyme RMIM in a batch-type reactor at 55$^{\circ}C$ and 300 rpm during 6 hr. After short-path distillation for removal of monoacylglycerol and free fatty acid as reaction by-products, diacylglycerol-oil mainly consisted of DAG (29 area%) and TAG (71 area%). The major compositional fatty acids in diacylglycerol-oil were oleic (44.36 wt%), and linoleic acids (37.36 wt%). Acid value and iodine value of diacylglycerol-oil were 0.13 and 112.6, respectively. Solid fat content (SFC) of diacylglycerol-oil was observed after differential scanning calorimetry (DSC) analysis in which three melting peaks at -25.0, 0.1, and 11.2$^{\circ}C$ were shown.
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.36
no.1
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pp.84-89
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2019
To characterize the molecular structure of BzO-gal synthesized using Escherichia coli ${\beta}$-gal, NMR ($^1H$- and $^{13}C$-) spectroscopy and mass spectrometry of BzO-gal were conducted. $^1H$ NMR spectrum of BzO-gal showed multiple peaks corresponding to the galactosyl group, which is an evidence of galactosylation on BzOH. Five proton peaks around the aromatic region at ${\delta}_H$ 7.43 ~ 7.24 ppm and 2 peaks from ${\delta}_H$ 4.93 and 4.67 ppm were evidence of the presence of the benzyl group. Seven proton peaks at ${\delta}_H$ 4.32 ~ 3.46 ppm showed the presence of a monosaccharide and were indicative of galactosylation on BzOH. $^{13}C$ NMR spectrum also revealed the presence of 11 carbons suggestive of BzO-gal. The mass value (sodium adduct ion of BzO-gal, m/z = 293.0994) from mass spectrometry analysis of BzO-gal, and $^1H$ and $^{13}C$ NMR spectral data were in good agreement with the expecting structure of BzO-gal. We are expecting that through future study it will eventually be able to develop a new additive of low cytotoxicity.
We have analyzed characteristics for the structure of $Al_{0.25}/Ga_{0.75}/As/In_{0.15}/Ga_{0.85}$/AS/GaAS pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) by photoluminescence (PL) and photoreflectance (PR) measurements. By the PL measurement at 10 K, we observed el-hl transition peak at 1.322 eV and e2-hl transition peak at 1.397 eV in the InGaAs quantum well. We calculated value of 23 meV, the difference between the first energy level and the second energy level of a valence band by dependence of temperatures. Also, (e2-h2) transition signal was observed at 300 K by PR measurement. From the PR measurement, we recognized that the transition was dominated the second energy level of conduction band than the first energy level of conduction band due to band filling. The other hand, PL signal of the first energy level of conduction band was dominated because of the electron screening effect.
Park, Sang-Hyun;Lee, Dong-Yun;Kang, Hye-Young;Park, Jae-Chul;Kwon, Young-Soo
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.05a
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pp.63-64
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2006
본 연구에서는 광에너지를 화학적인 에너지로 변환할 때, 디바이스의 전하전달 매개를 위한 electron transfer mediator로서 널리 이용되는 Viologen이 자기조립화된 수정진동자률 전기화학법의 하나인 순환전압전류법(Cyclic Voltammetry)을 이용하여 산화 환원 반응 (redox reaction) 특성과 주사속도와 피크전류와의 상관관계를 분석하였다. 먼저 수정진동자를 친수 처리한 후, 메탄올 용액과 아세토니트릴 용액을 섞은 용매에 Viologen 분자를 자기조립 (self-assembly)하여, 전해질 용액의 농도 변화에 따른 산화 환원반응 특성과 피크전류의 값을 측정하였다 주사 속도를 2 배씩 증가하여 피크전류와의 상관관계를 조사한 결과, 선형적인 증가를 보였으며, 이를 통해 가역적인 반응(reversible reaction)이 일어났음을 확인할 수 있었다. 또한, 산화 환원 반응과 동시에 측정된 수정진동자의 공진 주파수(resonant frequency) 변화로부터 전하이동(charge transfer) 특성에 의해 반응에 참가한 이온의 질량을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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