• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.366-366
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• 2013

건식 박막증착 공정인 플라즈마 중합법을 이용하여 유기 재료인 Styrene을 절연 박막으로 제작하였다. 플라즈마 중합된 Styrene (ppS) 절연 박막의 정밀한 공정 제어를 위해 bubbler와 circulator를 이용하여 습식 공정과 비교하여도 절연 특성이 뛰어난 pps 절연 박막을 증착하고, 이를 활용하여 gate 전극으로 ITO, insulator layer로 pps, floating gate로 Au, tunneling layer로 ppMMA와 pps, semiconductor로 Pentacene, source/drain 전극으로 Au를 사용한 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. ppMMA와 pps의 서로 다른 tunneling layer의 두께 변화에 따른 비휘발성 메모리 특성 변화를 연구하였다.

• 대한전기학회논문지
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• 제43권5호
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• pp.802-808
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• 1994

The purpose of this paper is to describe an application of plasma polymerized thin film as an electron beam resist. Plasma polymerized thin film was prepared using an interelectrode capacitively coupled gas-flow-type reactor, and chosen methylmethacrylate(MMA)and methylmethacrylate-tetrameth-yltin(MMA-TMT) as a monomer. This thin films were also delineated by the electron-beam apparatus with an acceleration voltage of 30kV and an expose dose ranging from 20 to 900$\mu$C/cmS02T. The delineated pattern in the resist was developed with the same reactor which is used for polymerization using an argon as etching gas. The growth rate and etching rate of the thin film is increased with increasing of discharge power. Thin films by plasma polymerization show polymerization rate of 30~45($\pm$3) A/min, and etching rate of 440($\pm$30) A/min during Ar plasma etching at discharge power of 100W. In apparently lower than that of conventional PMMA, but the plasma-etching rate of PP(MMA-TMT) was higher than that of PPMMA.

• 폴리머
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• 제34권2호
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• pp.89-96
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• 2010

Methyl methacrylate(MMA), ethyl acrylate(EA), n-butyl acrylate(BA), styrene(St) 단량체를 수용성 개시제인 ammonium persulfate(APS)와 음이온 유화제인 sodium dodecyl benzene sulfonate(SDBS)를 사용하여 organic/organic core-shell 구조의 접착바인더를 중합 후 부직포와 피혁에 함침시키고 플라즈마 표면 처리 후 속도론적인 해석과 기계적인 물성을 평가하였다. Core-shell 바인더 중합시 전환율은 단량체의 조성이 등몰에서 MMA/EA, MMA/BA core-shell 복합입자 모두 90% 이상이 되었다. 등몰에서 부직포/부직포에 core-shell 복합입자를 함침시키고 플라즈마 처리 후의 상태접착 박리강도는 MMA/St, EA/BA, BA/MMA, EA/St, EA/MMA의 순으로 되었고, 또한 부직포/피혁에 core-shell 복합입자를 함침시키고 플라즈마 처리 후의 상태접착 박리강도는 MMA/BA, BA/EA, MMA/EA, St/MMA, EA/St의 순으로 되었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제4권3호
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• pp.273-279
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• 1991

본 연구에서는 플라즈마공중합(메틸메타아크릴레이트 + 스틸렌) 박막의 전기적 특성을 도전전류, 고전계전기전도기구, TSC, 등의 측정을 통하여 분석하였다. 박막의 도전전류는 진공중 열처리에 의해 감소되고 아르곤 플라즈마처리 및 산화에 의해 증가 하였다. 고전계전기전도기구는 전자성전도중 공간전하제한전류형과 잘 일치하였다. 열자극전류 특성에서 두개의 피크 P$_{1}$, P$_{2}$가 관측되었으며 이는 쌍극자의 탈분극에 의한 것으로 사료되며 열처리에 의해 열자극전류는 감소하였다.

• 공업화학
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• 제32권1호
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• pp.49-54
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• 2021

메틸 메타크릴레이트 분자를 전구체로 사용하여 원격 플라즈마 방식으로 중합체를 합성하는 반응에서 플라즈마 출력, 반응 압력 및 직접-간접 플라즈마 방식이 필름의 성장속도 및 화학결합 구조에 미치는 영향을 조사하였으며, FT-IR, XPS 등 분광학적 분석과 Langmvir 탐침을 사용한 플라즈마 특성 진단 결과와 함께 고찰하였다. 플라즈마 출력과 반응 압력이 증가하면 성장속도가 증가하지만 특정 영역을 넘어서면 식각 효과와 잦은 충돌로 인해 활성화 효율이 낮아져 다시 감소하였다. 중합 필름의 FT-IR과 XPS 분석 결과, 필름 내 탄소/산소 조성비는 플라즈마 출력이 커질수록 증가하였으며, 탄화수소성 C-C 탄소 조성비는 증가하는 반면 에스터성 COO 탄소 조성비는 감소하였다. 직접 플라즈마법이 간접 플라즈마법에 비해 필름의 성장속도는 2~5배 빠르지만, 전구체의 분자 구조를 유지하기 위해서는 간접 플라즈마법이 유리함을 확인하였다.

• 한국진공학회지
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• 제21권6호
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• pp.354-361
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• 2012

유기 메모리 절연막 제작을 위해 일반적으로 사용되어지는 습식법이 아닌 건식법 중 플라즈마 중합법을 이용하였다. 유기 절연 박막으로 사용된 단량체는 Styrene과 MMA을 사용하고, 터널링 박막은 MMA를 사용하며, 메모리 박막은 열기상증착법을 이용한 Au 박막을 사용하였다. 최적화된 소자의 구조는 Au의 메모리층의 두께를 7 nm, Styrene 게이트 절연막의 두께를 400 nm, MMA 터널링 박막의 두께를 30 nm로 증착하여 제작된 부동 게이트형 유기 메모리 소자는 40/-40 V의 double sweep시 27 V의 히스테리시스 전압을 얻을 수 있었다. 이 특성을 기준하여 유기 메모리의 전하 포집 특성을 얻을 수 있었다. 유기 재료 중 MMA 대비 Styrene의 전하 포집 특성이 좋은 것으로 보아 향후 부동 게이트인 Au 박막을 유기 재료인 Styrene으로 대체하여 플렉시블 소자의 가능성을 기대한다.

• 한국진공학회지
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• 제22권3호
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• pp.131-137
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• 2013

본 연구에서는 유기소자의 절연박막을 습식 공정이 아닌 건식 공정인 플라즈마 중합법을 이용하여 Styrene 유기물을 사용하여 절연박막을 제작하였다. 안정적인 플라즈마 형성을 위해 버블러와 써큐레이터를 활용하여 정량적인 모노머 주입을 가능하게 하였다. 본 연구에서는 플라즈마 중합된 Styrene 박막을 30, 60 nm 터널링층으로 활용하였고, Styrene 절연층의 두께를 430 nm, Au 메모리층의 두께를 7 nm, 활성층의 두께를 40 nm, 소스와 드레인 전극의 두께를 50 nm로 유기 메모리 소자를 제작하여 특성을 평가하였다. 40/-40 V의 double sweep시 45 V의 히스테리시스 전압을 얻을 수 있었고, 이는 MMA를 터널링층으로 활용한 유기 메모리 소자의 히스테리시스 전압이 27 V인 것과 비교하였을 때 60% 상승한 효과로 히스테리시스 전압이 18 V 이상 높은 결과이다. 이와 같은 결과로부터 플라즈마 중합된 Styrene 유기 박막의 높은 전하 포집 특성을 활용하여 전체층을 유기 재료로 제작한 유연한 메모리 소자의 응용 가능성을 기대한다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제6권5호
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• pp.697-702
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• 2011

본 논문에서는 유기박막트랜지스터용 절연막에 활용코자 플라즈마중합방법을 이용하여 PMMA 절연막을 제작하였다. 기판의 바이어스인가 및 증착중 압력변화에 따른 전기적특성을 파악한 결과, 플라즈마중합법에 의한 MMA절연막의 증착조건 RF100[W], Ar20[sccm], 5[mtorr], RF bias 20[W] 에서 3.4의 유전율, 8.6[nm/min]의 높은 증착율 및 높은 절연특성을 얻을수 있다. 이처럼 얻어진 플라즈마 중합막은 유기트랜지스터 및 유기메모리의 절연막으로 충분히 활용가능함을 알 수 있다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제3권2호
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• pp.115-122
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• 1990

플라즈마중합 에틸메타아크릴레이트(PPMMA) 박막의 유전특성인 유전정접(tan .delta.)과 정전용량(C)을 관측하고 산화와 열처리 및 플라즈마처리로 인한 PPMMA의 tan .delta.와 C의 변화에 대하여 연구하였다. 측정온도 25.deg.C, 측정주파수 1KHz에서 1MHz의 범위에서 PPMMA 박막은 CO와 -OH같은 산화물의 생성으로 인하여 tan .delta. 와 C는 증가하고 tan .delta.는 측정주파수 내에서 피이크를 형성한다. 이는 PPMMA내에 잔류하는 저분자량 성분과 자유라디칼의 존재와 공기중에서의 산화가 그 원인이라 할 수 있다. 본연구에서는 PPMMA박마그이 열처리 및 플라즈마처리를 하여 저분자량 성분과 라디칼을 제거하고 산화를 방지하여 박막의 유전특성을 개선하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.1183-1185
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• 1993

The plasma polymerized thin film of MMA+Sty was prepared using a capacitively coupled gas-flow-type reactor. This thin films were also delincated by the electron-beam apparatus with an acceleration voltage 30KV, and the pattern in the resist was developed with the gas-flow-type reactor using an argon as an etchant. The effect of discharge power on groth rate and etching rate of the thin film were studied. The molacular structure of the resist was investigated by ESCA and FT-IR.