• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2000년도 영호남학술대회 논문집
• /
• pp.257-260
• /
• 2000

소결온도 및 소결시간의 변화가 ZST세라믹의 유전상수 $\varepsilon_{\tau}$, 품질계수 $Q{\cdot}f$ 및 공진주파수의 온도계수 $\tau_f$에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 소결온도를 $1420^{\circ}C$까지 올렸을 때 공진기 섭동방법으로 1.6GHz에서 측정한 품질계수 Q가 가장 높았으나, 소결밀도 및 유전상수는 오히려 감소하였다. 소결시간의 증가에 따른 품질계수 Q는 $1300^{\circ}C{\sim}1380^{\circ}C$ 온도 범위에서는 소폭 상승하였으며, 소결밀도 및 유전상수는 거의 일정하였다. 공진주파수의 온도계수 $\tau_f$는 소결온도 및 소결시간의 변화에는 거의 의존하지 않았다.

• 한국자기학회지
• /
• 제20권5호
• /
• pp.182-186
• /
• 2010

Cobalt가 치환된 NiZnCu ferrite의 소결 및 자기적 성질에 미치는 영향에 대해 연구 하였다. 칩인덕터용 $Ni_{0.36-x}Co_xZn_{0.44}Cu_{0.22}Fe_{1.98}O_4(0{\leq}x{\leq}0.04)$를 고상반응법으로 제조하였다. 소결조제를 사용하지 않고 $880{\sim}920^{\circ}C$에서 공기중 2시간 열처리 하였으며 초투자율, 품질계수 Q, 밀도, 수축율, 포화자화, 및 보자력을 측정하였다. Cobalt가 치환된 NiZnCu ferrite는 품질계수 Q를 증가시켰으며 칩인덕터용으로 사용 가능함을 알 수 있었다. 품질계수 Q는 치환량이 x = 0.01까지 증가한 후 x = 0.01 이후로 급격히 감소하였다. Cobalt의 치환량이 증가함에 따라 초투자율 및 밀도값은 감소하였다. $900^{\circ}C$에서 소성된 $Ni_{0.35}Co_{0.01}Zn_{0.44}Cu_{0.22}Fe_{1.98}O_4$ 토로이달 core 샘플의 경우 1 MHz에서 측정 시 초투자율값은 130이었고 품질계수 Q값은 230으로 나타났다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제26권11호
• /
• pp.966-977
• /
• 2015

본 논문에서는 새로운 변형된 동축 공동 공진기를 제안하고, 대역통과 여파기를 설계한다. 제안된 공진기는 하나의 캐비티 내부에 ${\Gamma}$-형 또는 곡선형의 4개의 접지된 도체 포스트로 구성되어 있다. 일반 동축 공동 공진기 여파기와 달리 도체 벽이 없기 때문에 공간 효율이 개선되어 품질계수가 약 15 % 이상 향상되며, 동일한 품질계수 대비 35 % 이상의 크기 소형화가 가능하다. 또한, 인접하지 않은 공진기와 입출력 교차결합을 통해 4개의 조절 가능한 전송영점이 생성되어 차단대역의 감쇄특성을 향상시킬 수 있다. 제안된 여파기와 설계법은 모의실험과 제작 및 측정을 통해 검증되었다.

• 한국재료학회지
• /
• 제8권11호
• /
• pp.1043-1047
• /
• 1998

CuO 및 C얘의 첨가가 $BiNbO_4$ 세라믹스의 고주파 유전특성에 미치는 영향을 조사하였다. CdO 첨가량이 증가함에 따라 소결밀도 및 품질계수는 감소하였고 소결온도가 증가하면 유전상수 및 품질계수는 증가하였다. $BiNbO_4$에 CuO 및 CdO를 각각 0.03wt% 첨가한 시편을 $960^{\circ}C$에서 소결시 유전율 41.2, 품질계수($Q{\times}f_0$) 6,500(at 5.6GHz), 공진주파수 온도계수 $3ppm^{\circ}C$의 우수한 고주파 유전특성을 얻을 수 있었다.

• 한국재료학회지
• /
• 제5권1호
• /
• pp.36-41
• /
• 1995

$(Pb_{0.62}Ca_{0.38})ZrO_{3}$계에서의 조성 x=0.38의 $(Pb_{0.62}Ca_{0.38})ZrO_{3}$에 Mn 성분을 첨가하여 $1300^{\circ}C$에서 2시간 소결한 세라믹스의 소결성 및 고주파 유전특성을 연구하였다. Mn의 첨가로 소결온도가 낮아지며 치밀한 소결체를 얻을 수 있었다. 하소온도가 높아짐에 따라 하소과정에서 합성반응이 충분히 이루어져 소결체의 최종 소결과정에 영향을 미처 유전체의 유전상수와 품질계수 Q값이 증가하였다. Mn의 첨가량에 따른 물성변화는 Mn의 첨가량이 0.15wt%까지의 첨가범위에서는 $Mn^{4+}$가 $Mn^{3+}$ 또는 $Mn^{2+}$로 환원됨에 따라 산소공공이 생성되며, 억셉터로 작용하여 품질계수 Q값이 1300정도까지 증가하였고, 유전율은 90-100 정도로 변화가 없었다. 그러나 Mn 첨가량이 0.5 wt%이상일때 유전손실이 매우 증가되며 동시에 품질계수 Q값이 점차 감소하였다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제38권11호
• /
• pp.1042-1045
• /
• 2001

Ba(Zn$_{1}$3/Nb$_{2}$3/) $O_3$-Sr(Zn$_{1}$3/Nb$_{2}$3/) $O_3$계에 대하여 소결 온도 변화와 Zr $O_2$첨가량에 따른 마이크로파 유전특성을 조사하였다. 동일 조성에서 소결 온도가 증가함에 따라 밀도가 향상되고 공진 주파수의 온도계수($ au$$_{f}$)는 감소하는 경향을 보였으나, 유전상수(K)와 품질계수(Q$\times$f)는 커다란 변화가 없었다. 또한 Zr $O_2$첨가량이 증가함에 따라 소결 시편의 밀도가 향상되었고 더불어 유전상수, 품질계수가 증가하는 경향을 보였으며, 공진 주파수의 온도계수가 감소하는 우수한 특성이 나타났다. 특히, 소결온도 1575$^{\circ}C$, 0.6 wt% Zr $O_2$를 첨가했을 때 유전상수가 최대($\varepsilon$$_{r}$=41)로 나타났으며, 공진 주파수의 온도계수는 1.0wt% Zr $O_2$를 첨가했을 때 최소($\tau$$_{f}$=+0.8ppm/$^{\circ}C$)로서 양호한 값을 얻을 수 있었다.었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제2권2호
• /
• pp.31-40
• /
• 1995

Donor dopant로 WO3, Ta2O5 및 Nb2O5를 첨가한 Zr0.8Sn0.2TiO4 세라믹스의 유전상수 $\varepsilon$r 품 질계수 Q 및 공진주파수의 온도계수 rf에 대하여 연구하였다. 139$0^{\circ}C$에서 32시간 소결시 donor dopant 첨가량에 따른 ZST의 유전상수는 소결밀도의 변화 거동과 잘 일치하였다. 5.5 GHz에서 측정 한 ZST의 품질계수 Q는 ~0.5 mol% WO3 Ta2O5 및 Nb2O5 첨가에 의해 6800에서 8500 정도로 증가 하였다. ZST의 $\tau$f는 0.3 mol%까지의 WO3 첨가량 증가에 따라 0 ppm/$^{\circ}C$에서 -4.6 ppm/$^{\circ}C$까지 음 의 값으로 직선적으로 감소하였으며 0.4 mol% 범위의 Ta2O5 및 Nb2O5 첨가에 의해 -7 ppm/$^{\circ}C$ 까지 직선적으로 감소하였다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신설비학회 2005년도 하계학술대회
• /
• pp.137-140
• /
• 2005

본 논문은 낮은 품질계수의 공진기를 사용한 여파기의 통과대역 평탄도를 개선하기 위한 2단 상보 여파기의 설계를 연구하였다. 품질계수로 인해 상보 여파기 평탄도 특성 변화를 고려하여 낮은 품질계수의 공진기를 사용하고, 기존의 여파기 설계공식에 그대로 적용할 수 있는 상보 여파기의 설계변수를 제시하였다. 제시한 설계변수로 상보 여파기를 설계하여 전체적인 통과 대역 평탄도를 1dB 이내로 만들 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제40권10호
• /
• pp.17-23
• /
• 2003

본 논문에서는 고성능의 극소형, 솔레노이드 형태의 RF 칩 인덕터를 연구하였다. 제작된 RF 칩 인덕터의 크기는 1.0×0.5×0.5㎣ 이었다. 코아의 재료 (96% Al₂O₃)와 모양 (I-type)은 인덕터의 성능을 극대화시키도록 Maxwell three-dimensional field simulator를 이용하여 결정되었다. 40㎛의 직경을 가진 가는 구리(Cu)도선을 코일로 사용하였다. 개발된 인덕터의 인덕턴스 (L), 품질계수 (Q), 그리고 커패시턴스 (C) 들에 대한 고주파 특성은 RF 임피던스/재료 분석기 (HP16193A 시험 fixture가 장착된 HP4291B)를 사용하여 측정되었다. 개발된 인덕터들은 230MHz - 1 GHz의 주파수 영역에서 11 - 39 nH 범위의 인덕턴스 값과 28 - 50 범위의 품질계수 값을 가지는데 이는 전 세계적으로 가장 좋은 칩 인덕터 업체 중의 하나인 CoilCraft/sup Tm/에 의해 생산된 인덕터들의 특성과 유사한 결과를 나타내고 있다. 시뮬레이션 데이터는 개발된 인덕터의 L, Q, C 등의 고주파 특성을 잘 예측하고 있다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제14권6호
• /
• pp.558-566
• /
• 2003

Li$_2$CO$_3$가 첨가된 BiNbO$_4$ 세라믹스를 이용하여 후막 모노폴 안테나를 제작하였다. 그 결과 Li 이온이 Bi, Nb 이온과 결합하여 이온간의 거리를 증가시켰다. 이에 따라 이온 분극량이 증가하여 유전율은 증가하였지만 세라믹 내 격자구조의 왜곡이 심해져 유전손실이 증가하였다. 안테나 특성에 있어서는 유전율 보다는 품질계수(Q)의 영향을 직접적으로 받았다. 대역폭을 측정한 결과 Li$_2$CO$_3$ 첨가에 따른 급격한 품질계수의 저하와 함께 37 %에서 81.7 %까지 증가한 반면 안테나 이득은 -5.5 dBi 에서 -10.03 dBi까지 급격히 감소하였다. 이로 인해 방사패턴은 Li$_2$CO$_3$ 미(未)첨가 시 보다 낮은 dBi 값을 보여 주었다. 특히 무 지향성을 보여야될 x-y면 방사패턴의 경우 격자구조의 왜곡으로 인한 파장의 산란과 공기와 유전체의 경계면에서 높은 유전율 차이로 굴절이 일어나 심하게 왜곡되어 있었다. 그러나 낮은 품질계수(Q)로 인하여 모든 조성 범위에서 1 GHz 이상의 우수한 -10 dB 대역폭 특성을 보여주었다.