Effect of Mn doping on the dielectric properties of $(Pb_{0.62}Ca_{0.38})ZrO_{3}$ at microwave frequency

고주파 유전체 $(Pb_{0.62}Ca_{0.38})ZrO_{3}$의 Mn 첨가에 따른 유전특성 변화

  • Published : 1995.02.01

Abstract

Dielectric properties were investigated at Mn doped $(Pb_{1-x}Ca_{x})ZrO_{3}$ with x=0.38 in microwavefrequencies. Both the density and Q values of sintered ceramics increased with increasing calciningtemperature. In the sample sintered at $1300^{\circ}C$ for 2 hrs, the deped Mn ions completely solubled in $(Pb,Ca)ZrO_{3}$ phase until 0.5wt% and the grain size was independent of doping amount. It was observed thathigh dielectric constant of 90 - 100 and high quality factor of 1300 at 4 GHz for O.l5wt% Mn doped$(Pb_{0.62}Ca_{0.38})ZrO_{3}$. The Mn" and Mn" worked as acceptors in $(Pb,Ca)ZrO_{3}$ which created the oxygen vacancies and affected the increment of the Q values. However, the excess Mn doping more than 0.5wt% resulted in decreasing Q values.decreasing Q values.

$(Pb_{0.62}Ca_{0.38})ZrO_{3}$계에서의 조성 x=0.38의 $(Pb_{0.62}Ca_{0.38})ZrO_{3}$에 Mn 성분을 첨가하여 $1300^{\circ}C$에서 2시간 소결한 세라믹스의 소결성 및 고주파 유전특성을 연구하였다. Mn의 첨가로 소결온도가 낮아지며 치밀한 소결체를 얻을 수 있었다. 하소온도가 높아짐에 따라 하소과정에서 합성반응이 충분히 이루어져 소결체의 최종 소결과정에 영향을 미처 유전체의 유전상수와 품질계수 Q값이 증가하였다. Mn의 첨가량에 따른 물성변화는 Mn의 첨가량이 0.15wt%까지의 첨가범위에서는 $Mn^{4+}$$Mn^{3+}$ 또는 $Mn^{2+}$로 환원됨에 따라 산소공공이 생성되며, 억셉터로 작용하여 품질계수 Q값이 1300정도까지 증가하였고, 유전율은 90-100 정도로 변화가 없었다. 그러나 Mn 첨가량이 0.5 wt%이상일때 유전손실이 매우 증가되며 동시에 품질계수 Q값이 점차 감소하였다.

Keywords

References

  1. IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques J. K. Plourde;C. L. Len
  2. 전자부품재료 컨소시엄 공개강좌 v.1 최승철
  3. IEEE K. Wakino
  4. J. Am. Ceram. Soc. v.67 no.4 K. Wakino;K. Minai;H. Tamura
  5. J. Am. Ceram. Soc. v.73 no.6 J. M. Wu;M. C. Chang
  6. Am. Ceram. Soc. Bull. v.66 no.9 S. Nishigaki;H. Kato;S. Yano;R. Kamimura
  7. Jpn. J. Appl. Phys. v.9B J. Kato;H. Kagata;K. Nishimoto
  8. Jpn. J. Appl. Phys. v.30 no.9B J. Kato;H. Kagata;K. Nishimoto
  9. Advanced in Ceramics v.1 Grain boundary phenomena in electronic ceramics S. B. Desu;E. C. Subbarao
  10. J. Am. Cer. Soc. v.49 no.121 H. Ouchi(et al.)
  11. Proc. 4th Meeting on Ferroelectric Mat. & Appl. 1983;Jpn. J. Appl. Phys. v.22 no.2 Y. Yamashita(et al.)
  12. Jpn. J. of Appl. Phys. v.22 no.7 S. Nomura;K. Tomaya;K. Kaneta
  13. Jpn. J. Appl. Phys. v.30 no.913 A. Yamada;Y. Utsumi;H. Watarri
  14. Ceramic Engineering for Dielectrics K.Okazaki
  15. Piezoelectric Ceramic W.R. Cook;H.J. Jaffe
  16. J. Am. Ceram. Soc. v.66 no.4 A.I. Kingon;J.B. Clark
  17. IRE Trans. on Microwave Theory and Techniques B.W. Hakki;P.D. Coleman
  18. 전자공학회지 v.29A no.10 이상윤(등)
  19. Proc. of the 11th KOR-JPN seminar on new ceramics S.C. Choi;B.Y. Kwon