• Title/Summary/Keyword: 표면형상정도

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Effect of gas composition on the characteristics of a-C:F thin films for use as low dielectric constant ILD (가스 조성이 저유전상수 a-C:F 층간절연막의 특성에 미치는 영향)

  • 박정원;양성훈;이석형;손세일;오경희;박종완
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.7 no.4
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    • pp.368-373
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    • 1998
  • As device dimensions approach submicrometer size in ULSI, the demand for interlayer dielectric materials with very low dielectric constant is increased to solve problems of RC delay caused by increase in parasitic resistance and capacitance in multilevel interconnectins. Fluorinated amorphous carbon in one of the promising materials in ULSI for the interlayer dielectric films with low dielectric constant. However, poor thermal stability and adhesion with Si substrates have inhibited its use. Recently, amorphous hydrogenated carbon (a-C:H) film as a buffer layer between the Si substrate and a-C:F has been introduced because it improves the adhesion with Si substrate. In this study, therfore, a-C:F/a-C:H films were deposited on p-type Si(100) by ECRCVD from $C_2F_6, CH_4$and $H_2$gas source and investigated the effect of forward power and composition on the thickness, chemical bonding state, dielectric constant, surface morphology and roughness of a-C:F films as an interlayer dielectric for ULSI. SEM, FT-IR, XPS, C-V meter and AFM were used for determination of each properties. The dielectric constant in the a-C:F/a-C:H films were found to decrease with increasing fluorine content. However, the dielectric constant increased after furnace annealing in $N_2$atomosphere at $400^{\circ}C$ for 1hour due to decreasing of flurorine content. However, the dielectric constant increased after furnace annealing in $N_2$atmosphere at $400^{\circ}C$ for 1hour due to decreasing of fluorine concentration.

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Catalyst-free 유기 금속 화학 증착법을 이용한 InN 나노구조의 성장

  • Kim, Min-Hwa;Lee, Cheol-Ho;Jeong, Geon-Uk;Mun, Dae-Yeong;Jeon, Jong-Myeong;Kim, Mi-Yeong;Park, Jin-Seop;Lee, Gyu-Cheol;Yun, Ui-Jun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.264-265
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    • 2010
  • 최근, nanorod나 nanowire와 같은 1차원의 나노구조가 나노디바이스로 각광을 받고 있다. [1] 특히 InN는 3족 질화물 반도체 중 가장 작은 밴드갭 에너지와 뛰어난 수송 특성을 가지고 있어 나노디바이스로의 응용에 적합한 물질이다. [2] 그러나 InN는 큰 평형증기압을 가지므로 쉽게 인듐과 질소로 분해되는 특성이 있어 나노구조로의 성장이 쉽지 않음이 알려져 있다. [3] 최근 연구결과에 따르면, InN 나노구조는 금속 catalyst를 사용한 방법이나, 기판 위 패턴을 이용하여 성장하는 방법, 염소를 사용한 방법이 널리 쓰이고 있다. [4,5,6] 그러나 이 방법들은 의도치 않은 불순물의 원인이 되거나 다른 추가적인 과정을 필요로 한다는 문제점도 일부 가지고 있다. 본 연구에서는 catalyst-free 유기 금속 화학 증착법 (MOCVD)를 이용하여 $Al_2O_3$ (0001)면 위에 InN nanostructure를 성장하였다. InN nanostructure 성장 시 트리메틸인듐(TMIn)과 암모니아($NH_3$) 를 전구체로 사용하였으며, 캐리어 가스로는 질소를 사용하였다. 또한 모든 샘플의 성장시간은 60분으로 고정하였으나, 성장 시 온도의 의존성을 보기 위해 $680-710^{\circ}C$ 의 온도범위에서 성장을 진행하였다. 그 결과 InN는 본 실험에서 적용된 성장온도범위 내에서 온도가 증가함에 따라 초기에는 columnar구조로 성장된 박막의 형태에서 wall이 배열된 형태로 변화하며 결국 $710^{\circ}C$ 의 온도에서 nanorod로 성장하게 된다. 성장된 InN의 나노구조는 X-선 회절 측정법, 주사 전자 현미경 그리고 투과 전자 현미경을 이용하여 각각의 구조적 특성을 분석하였다. X-선 회절 측정법과 주사 전자 현미경을 통한 분석결과에서는 이들 nanorods가 대부분 c 방향으로 수직하게 정렬되어 있음을 확인 할 수 있었다. 또한, $690^{\circ}C$ 에서 60분간 성장된 InN의 wall 구조의 두께는 200 nm, 길이는 $2-2.5\;{\mu}m$로 관찰되었으며, $710^{\circ}C$에서 60분간 성장된 InN nanorod의 지름은 150 nm, 길이는 $3\;{\mu}m$ 정도로 관찰되었다. 이를 통하여 볼 때 성장 온도가 InN의 나노구조 형성 시 표면의 모폴로지변화에 중요한 변수로 작용함을 알 수 있다. 본 발표에서는 이러한 표면 형상 및 구조 변화가 성장온도에 따른 관계성을 가짐을 InN의 분해와 성장의 경쟁적인 관계에 의해 논의할 것이다.

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Traveling wave reactor atomic layer epitaxy process and characterization of ZnS and Tb-doped ZnS films (Traveling Wave Reactor Atomic Layer Epitaxy를 이용한 ZnS와 ZnS : Tb박막의 성장과 박막 특성의 연구)

  • 윤선진;남기수
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.7 no.1
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    • pp.51-58
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    • 1998
  • ZnS and TB-doped ZnS (ZnS:Tb) thin films were grown by traveling wave reactor atomic layer epitaxy (AKE) and characterized using materials and surface analysis techniques. $ZnCl_2$, $H_2$S,and tris(2,26,6-tetramethyl-3,5-heptandionato) terbium ($Tb(TMHD)_3$) were used as the precursors in the growth of ZnS:Tb films. The dependence of Cl content in ZnS films on growth temperature was investigated using Rutherford backscattering spectrometry. The Cl content decreased from approximately 9 at.% to 1 at. % as increasing the growth temperature from 400 to $500^{\circ}C$. The segregation of Cl in near surface region was also observed by depth profiling using Auger electron spectroscopy. Scanning electron microscopic studies showed that the ALE-grown ZnS and ZnS:Tb film during ALE process using $Tb(TMHD)_3$was also investigated. Approximately 1 at.% of O in ZnS:Tb(0.5 at.%) film which showed a good crystallinity of hexagonal 2H structure.

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Cu Electroplating on the Si Wafer and Reliability Assessment of Low Alpha Solder Bump for 3-D Packaging (3차원 실장용 실리콘 웨이퍼 Cu 전해도금 및 로우알파솔더 범프의 신뢰성 평가)

  • Jung, Do Hyun;Lee, Joon Hyung;Jung, Jae Pil
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2012.11a
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    • pp.123-123
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    • 2012
  • 최근 연구되고 있는 TSV(Through Silicon Via) 기술은 Si 웨이퍼 상에 직접 전기적 연결 통로인 관통홀을 형성하는 방법으로 칩간 연결거리를 최소화 할 수 있으며, 부피의 감소, 연결부 단축에 따른 빠른 신호 전달을 가능하게 한다. 이러한 TSV 기술은 최근의 초경량화와 고집적화로 대표되는 전자제품의 요구를 만족시킬 수 있는 차세대 실장법으로 기대를 모으고 있다. 한편, 납땜 재료의 주 원료인 주석은 주로 반도체 소자의 제조, 반도체 칩과 기판의 접합 및 플립 칩 (Flip Chip) 제조시의 범프 형성 등 반도체용 배선재료에 널리 사용되고 있다. 최근에는 납의 유해성 때문에 대부분의 전자제품은 무연솔더를 이용하여 제조되고 있지만, 주석을 이용한 반도체 소자가 고밀도화, 고 용량화 및 미세피치(Fine Pitch)화 되고 있기 때문에, 반도체 칩의 근방에 배치된 주석으로부터 많은 알파 방사선이 방출되어 메모리 셀의 정보를 유실시키는 소프트 에러 (Soft Error)가 발생되는 위험이 많아지고 있다. 이로 인해, 반도체 소자 및 납땜 재료의 주 원료인 주석의 고순도화가 요구되고 있으며, 특히 알파 방사선의 방출이 낮은 로우알파솔더 (Low Alpha Solder)가 요구되고 있다. 이에 따라 본 연구는 4인치 실리콘 웨이퍼상에 직경 $60{\mu}m$, 깊이 $120{\mu}m$의 비아홀을 형성하고, 비아 홀 내에 기능 박막증착 및 전해도금을 이용하여 전도성 물질인 Cu를 충전한 후 직경 $80{\mu}m$의 로우알파 Sn-1.0Ag-0.5Cu 솔더를 접합 한 후, 접합부 신뢰성 평가를 수행을 위해 고속 전단시험을 실시하였다. 비아 홀 내 미세구조와 범프의 형상 및 전단시험 후 파괴모드의 분석은 FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope)을 이용하여 관찰하였다. 연구 결과 비아의 입구 막힘이나 보이드(Void)와 같은 결함 없이 Cu를 충전하였으며, 고속전단의 경우는 전단 속도가 증가할수록 취성파괴가 증가하는 경향을 보였다. 본 연구를 통하여 전해도금을 이용한 비아 홀 내 Cu의 고속 충전 및 로우알파 솔더 볼의 범프 형성이 가능하였으며, 이로 인한 전자제품의 소프트에러의 감소가 기대된다.

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Study for the Grounding Resistance of the Mesh Grounding Electrode by Water Tank Model (수조모델을 이용한 메쉬접지극의 접지저항에 관한 연구)

  • Kim, Ju-Chan;Kim, Sung-Sam;Choi, Jong-Gyu;Lee, Chung-Sik;Koh, Hee-Seog
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.20 no.3
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    • pp.28-35
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    • 2006
  • Recently, a number of equipments related with electricity, electronics, and communication in the same building are needed to the grounding system for safety from unexpected accidents. When the faulted electric current flows into a certain grounding system, the potential rise in that system takes place and it might induce the potential rise to other grounding system. This potential interference was strongly affected by the surface potential, which was deeply related with the electrode shape. In this paper, the fundamental formula was deduced on the basis of surface potential of two grounding electrodes. Which corresponds to source of the potential interference and other grounding electrode, respectively. Therefore, the degree of potential interference in this mesh grounding electrode system was verified by the simple model simulation. In addition, in order to identify the difference between the grounding resistance in the realistic construction site and the expected value from the corresponding simulation, the experiment was performed with model on a reduced scale about the realistic grounding system. It consists of stainless steel hemisphere electrodes in a water tank. From this work, the grounding resistance in the mesh grounding electrode showed the good coincidence results between those. Consequently, it is confirmed that the grounding resistance in the mesh electrode is possible to be estimated by performing the experiment using the water tank model.

Preparation of Cellulose-Based Edible Film and its Physical Characteristics (Cellulose를 이용한 가식성(可食性) Film의 제조와 물리적 특성연구)

  • Song, Tae-Hee;Kim, Chul-Jai
    • Korean Journal of Food Science and Technology
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    • v.28 no.1
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    • pp.1-7
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    • 1996
  • Three formulations were used to prepare the cellulose-based edible films consisting of hydrocolloid and lipids; film A made by coating method, films B and C by emulsion method, which were formed in a thin layer glass plate and then dried. Films A, B and C were all approximately 0.03 mm thick with 1-3% moisture, 59-68% lipid, and almost whitish color. Film A was better in tensile strength, and lipids affected water vapor permeability on three films, in which films A and B did not differ significantly. Water vapor permeability of film A did not change but those of films B and C decreased significantly after storage for 8 weeks at $-15^{\circ}C$. Oxygen transmission rate and oxygen permeability of films A and C did not differ and changed significantly after 8-week storage at $-15^{\circ}C$. Under scanning electron microscope (SEM) observation on the structural characteristics of each film, film A indicated relatively uniform and smooth surface coatings of beeswax, while films B and C had individual lipid crystals and could be discerned. As a result, film A was better than films B and C in respect of physical properties, but the selection of useful film depended upon which physical property was more functional. Moreover, it was desirable in some cases for using films B and C because of their easiness of preparation and cold storage durability. It will be further needed to investigate how to formulate films B and C to have more unique surface characteristics, and to reduce water vapor and oxygen transmission rates.

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Liquid Phase Epitaxial Growth of GaAs on InP Substrates (액상에피택시 방법에 의한 InP기판상의 GaAs 이종접합 박막 성장)

  • Kim, Dong-Geun;Lee, Hyeong-Jong;Im, Gi-Yeong;Jang, Seong-Ju;Jang, Seong-Ju;Kim, Jong-Bin;Lee, Byeong-Taek
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.4 no.5
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    • pp.600-607
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    • 1994
  • Optimum exper~mental conditions were established for the growth of heteroepitaxial GaAs layers on InP using liquid phase epitaxy (LPE) technique. Results showed that the optimum growth temperature was $720^{\circ}C$ at a cooling rate of $0.5^{\circ}C$/min. Surface morphology of the grown layers significantly improved by addition of about 0.005wt% Se to the Ga growth melt, which effectively suppressed melt-back of InP substrates into the melt during the initial stage of growth. It was observed that the quality of GaAs layers also improved substantially when the substrates patterned with grating structure were used, as determined by the (400) double crystal X-ray diffraction. The transmission electron microscopy observation indicated t.hat the misfit dislocations interact with each other at the grating region, resulting in a lower dislocation density in the upper GaAs layer.

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Fe첨가에 따른 지르코늄의 재결정 현상

  • 김영석;권상철;주기남;안상복;김성수
    • Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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    • 1998.05b
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    • pp.37-40
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    • 1998
  • Fe량을 0 - 0.4 wt.%까지 변화시켜 Zr-Fe 이원계 합금을 진공아크용해로 제조한 후 1050 $^{\circ}C$에서 30분 균질화 처리 및 700 $^{\circ}C$에서의 열간압연, 그리고 2회의 걸친 냉간압연 및 열처리를 통하여 판재로 제조되었다. 중간 열처리 시 열처리 온도 및 시간을 조절하여 최종 냉간가공에 앞서 각 시편의 결정립 크기 및 경도 값이 같도록 조절하였다. 최종 냉간가공 시 냉간가공량을 60%로 동일하게 조절하였고, 최종열처리 시 열처리 온도 및 시간을 300-750 $^{\circ}C$, 5-3000분으로 각각 변화시켰다. 재결정 정도는 미세조직 관찰 및 경도 측정으로 평가되었으며, 석출물의 구조, 분포 및 형상 등도 TEM으로 분석되었다. 0.1 wt.% 정도까지의 Fe 첨가는 Fe를 첨가하지 않은 순수지르코늄에 비하여 지르코늄입자의 빠른 성장을 야기해, 조대한 재결정 지르코늄 입자들이 나타났다. 그러나 Fe 첨가량이 0.1wt.%이상 첨가되면, Zr$_3$Fe 석출물에 의한 입자성장 억제효과로 지르코늄 입자의 크기는 오히려 작아졌다. 결론적으로, Fe의 첨가는 지르코늄의 확산을 가속시켰다는 것을 보여준다. 한편, 750 $^{\circ}C$에서 열처리 시 이차 재결정현상으로 지르코늄 입자가 비정상적으로 매우 커졌으며, 동시에 annealing twining 현상이 관찰되었다. 이러한 annealing twining 현상은, 입자성장속도가 임계치 이상으로 갑자기 커진, Zr$_3$Fe 석출물이 거의 없는 합금에서만 나타났다. 이 결과를 토대로 annealing twining 현상은 입자의 빠른 이동이 필요 조건이라는 결론을 도출하였다. .Ar-4vol.%H$_2$ 분위기보다 H$_2$분위기에서 소결했을 때 밀도가 더 높았다. 그러나, 결정립은 $UO_2$$UO_2$-Li$_2$O의 경우, 수소분위기에서 소결했을 때, (U,Ce)O$_2$와 (U,Ce)O$_2$-Li$_2$O에서는 Ar-4vol.%H$_2$분위기에서 소결했을 때 더욱 성장하였다.설명해 줄 수 있다. 넷째, 불규칙적이며 종잡기 힘들고 단편적인 것으로만 보이던 중간언어도 일정한 체계 속에서 변화한다는 사실을 알 수 있다. 다섯째, 종전의 오류 분석에서는 지나치게 모국어의 영향만 강조하고 다른 요인들에 대해서는 다분히 추상적인 언급으로 끝났지만 이 분석을 통 해서 배경어, 목표어, 특히 중간규칙의 역할이 괄목할 만한 것임을 가시적으로 관찰할 수 있 다. 이와 같은 오류분석 방법은 학습자의 모국어 및 관련 외국어의 음운규칙만 알면 어느 학습대상 외국어에라도 적용할 수 있는 보편성을 지니는 것으로 사료된다.없다. 그렇다면 겹의문사를 [-wh]의리를 지 닌 의문사의 병렬로 분석할 수 없다. 예를 들어 누구누구를 [주구-이-ν가] [누구누구-이- ν가]로부터 생성되었다고 볼 수 없다. 그러므로 [-wh] 겹의문사는 복수 의미를 지닐 수 없 다. 그러면 단수 의미는 어떻게 생성되는가\ulcorner 본 논문에서는 표면적 형태에도 불구하고 [-wh]의미의 겹의문사는 병렬적 관계의 합성어가 아니라 내부구조를 지니지 않은 단순한 단어(minimal $X^{0}$ elements)로 가정한다. 즉, [+wh] 의미의 겹의문사는 동일한 구성요 소를 지닌 병렬적 합성어

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Optimization of Soldering Process of Sn-3.0Ag-0.5Cu and Sn-1.0Ag-0.7Cu-1.6Bi-0.2In Alloys for Solar Combiner Junction Box Module (태양광 접속함 정션박스 모듈 적용을 위한 Sn-3.0Ag-0.5Cu 및 Sn-1.0Ag-0.7Cu-1.6Bi-0.2In 솔더링의 공정최적화)

  • Lee, Byung-Suk;Oh, Chul-Min;Kwak, Hyun;Kim, Tae-Woo;Yun, Heui-Bog;Yoon, Jeong-Won
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.25 no.3
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    • pp.13-19
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    • 2018
  • The soldering property of Pb-containing solder(Sn-Pb) and Pb-free solders(Sn-3.0Ag-0.5Cu and Sn-1.0Ag-0.7Cu-1.6Bi-0.2In) for solar combiner box module was compared. The solar combiner box module was composed of voltage and current detecting modules, diode modules, and other modules. In this study, solder paste printability, printing shape inspection, solder joint property, X-ray inspection, and shear force measurements were conducted. For optimization of Pb-free soldering process, step 1 and 2 were divided. In the step 1 process, the printability of Pb-containing and Pb-free solder alloys were estimated by using printing inspector. Then, the relationship between void percentages and shear force has been estimated. Overall, the property of Pb-containing solder was better than two Pb-free solders. In the step 2 process, the property of reflow soldering for the Pb-free solders was evaluated with different reflow peak temperatures. As the peak temperature of the reflow process gradually increased, the void percentage decreased by 2 to 4%, but the shear force did not significantly depend on the reflow peak temperature by a deviation of about 0.5 kgf. Among different surface finishes on PCB, ENIG surface finish was better than OSP and Pb-free solder surface finishes in terms of shear force. In the thermal shock reliability test of the solar combiner box module with a Pb-free solder and OSP surface finish, the change rate of electrical property of the module was almost unchanged within a 0.3% range and the module had a relatively good electrical property after 500 thermal shock cycles.

모재/중간층/박막의 H/E ratio 구배에 따른 Cr계 경질 박막의 기계적 특성에 관한 연구

  • Kim, Hoe-Geun;Song, Myeon-Gyu;Lee, Sang-Yul
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2018.06a
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    • pp.135-135
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    • 2018
  • 천이금속 질화물 코팅은 우수한 기계적 특성들로 인해 공구 코팅으로 많이 사용 되어왔다. 그 중에서도 특히 Cr계 경질 코팅은 높은 경도와 낮은 표면조도, 우수한 마찰특성 등 뛰어난 기계적 특성을 나타내므로 공구 코팅으로의 적용 가능성이 크다. 그러나 최근 공구산업의 발전으로 인해 공구가 더욱 가혹한 환경에서 사용됨에 따라, 공구의 수명을 향상시키고 보호하기 위해 코팅의 높은 밀착력이 요구되고 있으며, 모재와 코팅 사이에 중간층을 합성함으로써 공구의 밀착력을 향상시키는 연구가 활발히 진행되고 있다. 이전 연구에서 모재/중간층/코팅간의 경도와 탄성계수 비율(H/E ratio)의 구배가 코팅의 밀착력에 큰 영향을 미치는 것으로 확인되었다. 그러므로, WC 모재와 Cr계 코팅의 중간값의 H/E ratio를 갖는 중간층의 합성을 통해 코팅의 밀착력을 향상시킬 수 있을 것으로 판단된다. 본 연구에서는, 코팅의 밀착력을 향상시키기 위해 다양한 중간층을 증착한 CrZrN, CrAlN 코팅을 비대칭 마그네트론 스퍼터링 장비를 이용하여 합성하였다. 모재로는 디스크 형상의 WC-6wt.%Co 시편을 사용하였고 Cr, Zr, Si, Al single 타겟을 이용하여 Cr, CrN, CrZrN, CrZrSiN 등의 중간층이 증착된 코팅을 합성했다. 코팅의 합금상, 경도 및 탄성계수, 미세조직 및 조성, 표면 조도을 확인하기 위해 X-ray diffractometer (XRD), Fischer scope, field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), atomic force microscopy를 사용하였고, 코팅의 밀착 특성을 분석하기 위해 scratch tester와 optical microscopy (OM)를 이용하였다. 코팅의 내열성을 확인하기 위해 코팅을 furnace에 넣어 공기중에서 500, 600, 700, 800, 900, $1,000^{\circ}C$로 30분 동안 annealing 한 후에 nano-indentation을 사용하여 경도를 측정하였다. CrZrN 및 CrAlN 코팅을 나노 인덴테이션으로 분석한 결과, 모든 코팅의 경도(33.4-35.8 GPa)와 탄성계수(384.1-391.4 GPa)는 중간층의 종류에 상관없이 비슷한 값을 보인 것으로 확인됐다. 그러나, 코팅의 마찰계수는 중간층의 종류에 따라 다른 값을 보였다. CrZrN 코팅의 경우 CrN 합금상 중간층을 갖을 때 가장 낮은 값을 보였으며, CrAlN 코팅의 경우 CrN/CrZrSiN 중간층을 증착하였을때 마찰계수는 0.34로 CrZrN 중간층을 증착하였을 때(0.41)에 비해 낮은 값을 보였다. 또한, 코팅의 마모율 및 마모폭도 비슷한 경향을 보인 것으로 보아, CrN/CrZrSiN 중간층을 합성한 CrAlN 코팅의 내마모성이 상대적으로 우수한 것으로 판단된다. 코팅의 밀착력의 경우도 마찰계수와 비슷한 경향을 보였다. 이것은 중간층의 H/E ratio가 코팅의 내마모성에 미치는 영향에 의한 결과로 사료된다. H/E ratio는 파단시의 최대 탄성 변형율로써, 모재/중간층/코팅의 H/E ratio 구배에 따라 코팅 내의 응력의 완화 정도가 변하게 된다. WC 모재 (H/E=0.040)와 CrAlN 코팅(H/E=0.089) 사이에서 CrN, CrZrSiN 중간층의 H/E ratio는 각각 0.076, 0.083으로 모재/중간층/코팅의 H/E ratio 구배가 점차 증가함을 확인 할 수 있었고, 일정 응력이 지속적으로 가해지면서 진행되는 마모시험중에 CrN과 CrZrSiN 중간층이 WC와 CrAlN 코팅 사이에서 코팅 내부의 응력구배를 완화시키는 역할을 함으로써 CrAlN 코팅의 내마모성이 향상된 것으로 판단된다. 모든 코팅을 열처리 후 경도 분석 결과, CrN/CrZrSiN 중간층을 증착한 CrAlN 코팅은 $1,000^{\circ}C$까지 약 28GPa의 높은 경도를 유지한 것으로 확인 되었고, 이는 CrZrSiN 중간층 내에 존재하는 SiNx 비정질상의 우수한 내산화성에 의한 결과로 판단된다.

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