• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2001.11a
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• pp.178-180
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• 2001

비저항이 500$\Omega$-cm, 두께가 250~300$\mu\textrm{m}$인 p(100) Si 웨이퍼를 이용하여 배면전극을 갖는 새로운 Si pin 태양전지를 설계.제작하였다. dark상태와 60W/$cm^2$의 자연광에서 제작된 전지의 전기.광학적 특성을 측정한 결과, 전지의 직렬저항과 포화전류는 각각 20$\Omega$과 1.6$\mu$A로, 개방전압과 단락전류는 0.45 V와 10.3 mA로, 충실도는 0.44로 나타났다. 제안된 구조에서 전지의 두께를 최적화할 경우, 보다 높은 효율 특성이 기대된다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1995.06a
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• pp.149-153
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• 1995

세슘원자에 대한 레이저 쿨링용 광원으로 사용하기 위해 다이오드 레이저의 서폭을 축소하고 발진 주파수 및 출력을 동시에 안정화 시키는 연구를 수행하였다. 자유발진 상태에서 약 30 MHz 이고, 출력이 10mW인 다이오드 레이저에 유이창으로 Q 갑이 낮은 외부 공진기를 구성함으로써 발진선폭을 약 5MHz로 줄일수 있었다. 그리고 세슘원자의 포화흡수 스펙트럽의 교차공진 흡수선에 레이저 주파수를 안정시키기 위해 주입전류를 10kHz 로 변조하고, lock-in amp 의 출력단에서 나오는 주파수 오차신호를 전류공급장치와 유리창이 부착된 PZT로 동시에 피드백시켰다. 또한 오차신호를 레이저 다이오드의 온도 조절장치로 피드백 시킴으로써 주파수와 동시에 레이저 출력을 안정화시킬 수 있었다. 이 때의 출력의 변동폭은 약 0.03% 로서 온도로 피드백 시키지 않는 경우에 비해 약 260배 안정된 결과를 얻었다. 그리고 컴퓨터를 이용해서 흡수선의 peak 값을 매 10초마다 검색하고 이 값이 최대가 되도록 PZT 전압을 조절함으로써 레이저 주파수를 세슘원자의 흡수선의 봉우리에 1주일 이상 안정화시킬 수 있었다. 주파수 안정도 측정을 위해 Zeeman 이동된 포화흡수 스펙트로미터를 구성하였으며, 측정된 주파수 안정도 (Allan 분산의 제곱근)는 적분시간 1초 일 때 1.2x10-10 이었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.07a
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• pp.71-72
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• 2012

비례-적분(PI) 제어기 출력이 포화되었을 때, windup현상이 나타나며 이것은 큰 오버슈트 및 느린 정착 시간과 같은 성능저하를 야기시킨다. 이 논문에서는 이러한 문제점을 개선하기 위해 적분 상태 예측기를 갖는 Anti-windup PI제어기를 이용한 전류제어 방법을 제안한다. PSIM을 이용한 시뮬레이션을 통해 성능을 증명하였다. 이 방법은 PI제어기 출력이 포화되었을 경우와 그렇지 않을 경우에 따라 적분 상태가 각각 제어된다. 실험결과는 PI제어 방법과 비교하여 오버슈트 및 정착 시간과 같은 제어 성능이 개선되었음을 보여준다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.441-441
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• 2010

Hyperthermal neutral beam (HNB)은 박막 성장에 필요한 에너지와 반응 입자들을 동시에 공급할 수 있기 때문에 특히, 저온에서 박막을 성장시킬 때 매우 유용하다. 이와 같은 목적으로 race track 형태의 자기장 구조를 갖고 있는 2.45 GHz electron cyclotron resonance (ECR) plasma를 이용한 HNB 소스를 개발하였다. HNB 소스에서 인출되는 입자들은 중성 입자 뿐만 아니라 이온이나 전자와 같은 하전 입자들로 구성되어 있다. 그러나 양질의 HNB를 얻기 위해서는 하전 입자들의 구성 비율을 최소화해야 한다. HNB 소스는 하전 입자의 구성 비율을 1 % ($1{\mu}A/cm^2$) 이하가 되도록 설계되었다. 이것을 위해서 영구 자석의 자기장을 이용한 plasma limiter를 설계하였다. 대부분의 전자는 limiter 앞에 형성된 자기장의 구조와 반응하여 주로 gradient B drift와 curvature drift를 통하여 차단되고, 이온은 로렌츠 힘을 받아 빔 축으로 부터 벗어나도록 하였다. Limiter의 특성을 연구하기 위해서 정전탐침을 limiter에서 빔 축 방향으로 이동시키면서 I-V 곡선과 이온 포화 전류 및 전자 포화 전류를 측정하였다. 측정 결과를 바탕으로 plasma limiter의 성능을 검증하였고 문제점을 논의하였다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.11 no.4
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• pp.340-348
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• 2006

This paper proposes an inrush current control technique of matching transformer for configuration of dynamic voltage restorer(DVR). The DVR system consist of PWM inverter to inject arbitrary voltage, LC low pass filter as harmonic eliminator and matching transformer for isolation. However, the matching transformer has an excess of inrush current by magnetic flux saturation in the core. Due to this inrush current, the rating of matching transformers is double for needed nominal rating for protection of DVR. Therefore, in this paper, the modeling method of magnetic flux saturation is used to analyze a magnitude of inrush current, and additional current controller is used for PWM inverter output regulation. Simulation and experimental results are provided to demonstrate the validity of the proposed control method.

• 전기의세계
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• v.12
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• pp.30-34
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• 1963

비선형자기철심을 사용한 inductance를 그 비선형영역까지 동작하게 할때와 직렬형가포화 reactor에 R-C부하를 직렬로 연결하여 동작시킬 때 어떠한 동작범위에서는 회로의 전류진폭이 불안정한 경우가 있다. 특히 직렬형가포화 reactor에 R-C부하를 연결한 경우는 J.T.Salihi씨 및 H.C.Bourne씨에 의하여 그 동작현상이 설명되었다. 그러나 안정조건은 충분한것이 아니라고 생각되며 이와같은 R-L-C 직렬회로는 정량적으로 해석하는데 수학적인 난점이 있어서 곤란하지만 정성적인 방법 즉 근사계산에 의하여 안정성문제와 그 회로동작상태 등을 고찰할 수 있다. 본 고는 이러한 안정조건을 계산하여 제시코져 한다.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.11 no.1
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• pp.65-71
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• 1997

주 스위치가 항상 영전압에서 스위칭을 하는 새로운 영전압 스위칭 방식 (ZVS)의 PWM 컨버터를 제안하였다. 제안된 컨버터에서 두 개의 가포화(saturable)인덕터를 보조 스위치의 전도 손실을 줄이기 위하여 기존의 ZVS PWM 컨버터에서 사용한 한 개의 인덕테를 대체하였다. 컨버터의 주 스위치는 영전압 스위칭으로 인하여 스위칭의 전류를 줄이므로써 최소화하였다. 따라서, 제안된 컨버터는 고 전력밀도의 시스템 구현에 사용이 가능하다. 영전압 스위칭을 포함한 위의 특징을 실험을 통하여 증명되었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.681-682
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• 2008

최근 다양한 부하들로 인해, 배전용변압기로 사용되고 있는 몰드변압기의 운전조건이 가혹해 지고 있다. 특히, 전력변환장치와 연계된 몰드변압기의 경우, 부하의 운전특성에 따라 편자(偏磁)현상이 발생하며 이로 인해 직류성분의 전류가 몰드변압기로 유입된다. 이는 철심의 포화현상 및 변압기의 손실 증가를 유발하여 국부과열 문제로 인한 사고로 이어질 우려가 있다. 본 연구에서는 이러한 문제를 해결하기 위해, EMTP 과도해석 프로그램을 활용하여 직류성분 전류에 의해 증가되는 몰드변압기의 여자전류를 계산하고, 이를 토대로 철심의 자속밀도 변화를 계산하였다. 직류성분 전류의 크기에 따라 철심의 적정 운전자속밀도를 고려하여 몰드변압기를 설계함으로써 직류전류 유입시에도 안정적인 운전이 가능할 것으로 사료된다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.41 no.9
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• pp.19-24
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• 2004

In this paper, we have demonstrated the fabrication of a 70 nm foot print of the T-gate by using a positive resist ZEP520/P(MMA-MAA)/PMMA trilayer by double exposure method without a thin dielectric supporting layer on the substrate. The device performance was characterized by DC and RF measurement. The fabricated 70 nm InGaAs/InAlAs MHEMTS with 70 ${\mu}{\textrm}{m}$ unit gate width and 2 fingers showed good DC and RF characteristics of Idss, max =228.6 mA/mm, gm =645 mS/mm, and fT =255 GHz, respectively.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.7
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• pp.464-472
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• 2001

Asymmetric n-MOSFET＇s for improving packing density have been fabricated with 0.35 ${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS process. Electrical characteristics of asymmetric n-MOSFET show a lower saturation drain current and a higher linear resistance compared to those of symmetric devices. Substrate current of asymmetric MOSFET is lower than that of symmetric devices. Asymmetric n-MOSFET＇s have been modeled using a parasitic resistance associated with abnormally structured drain or source and a conventional n-MOSFET model. MEDICI simulation has been done for accuracy of this modeling. Simulated values of reverse as we11 as forward saturation drain current show good agreement with measured values for asymmetric device.