• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.45 no.11
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• pp.21-28
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• 2008

In this paper, we suggest an analytical model that can derive the I-V characteristics in the saturation region of a short channel GaAs MESFET. Instead of the pinch-off concept that has been used in the conventional models we can derive the two-dimensional potential in the depletion region in order that the velocity saturation region cannot be pinched-off and the current continuity condition can be satisfied. Obtained expression for the velocity saturation length is expressed in terms of the total channel length, channel doping density, gate voltage, and drain voltage. Compared with the conventional channel length shortening models, the present model seems to be considerably accurate and more reasonable in explaining the Early effect.

• Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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• 2018.11a
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• pp.55-58
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• 2018

본 논문에서는 가이디드 영상 필터를 (guided image filter) 이용하여 컨볼루션 신경망 (convolutional neural network) 을 이용한 역 톤 매핑 (inver tone - mapping; iTMO) 기법의 결과를 향상 시킬 수 있는 알고리듬을 제안한다. 기존 low dynamic range (LDR ) 영상을 high dynamic range (HDR ) 디스플레이에서 표현할 수 있는 역 톤 매핑 기법이 과거부터 계속 제안되어 왔다. 최근에 컨볼루션 신경망을 이용하여 단일 LDR 영상만으로 넓은 동적 범위 (dynamic range) 를 가진 HDR 영상으로 변환하는 알고리듬이 많이 연구되었다. 기존의 알고리듬 중 포화 영역 (saturated region) 으로 인해 잃어버린 화소 정보를 학습된 컨볼루션 신경망을 이용해서 복원하는 알고리듬은 그 효과가 좋지만 포화 영역이 아닌 부분의 잡음을 제거하지 못하며 포화 영역의 디테일을 복원하지 못한다. 제안한 알고리듬은 입력 영상에 가중치 기반 가이디드 영상 필터를 사용해서 비포화 영역의 잡음을 제거하고 포화 영역의 디테일을 복원시킨 다음 컨볼루션 신경망에 인가하여 결과 영상의 품질을 개선하였다. 제안하는 알고리듬은 실험을 통해서 기존의 알고리듬에 비해 높은 정량적 화질 평가 지수를 나타내었고, 기존의 알고리듬에 비해 세부 사항을 효과적으로 복원할 수 있음을 확인할 수 있었다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.13 no.2
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• pp.146-154
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• 2002

This paper presents a linearization technique up to the saturation region of power amplifiers. The predistorter gain polynomials which have optimum coefficients are introduced. Power amplifiers are most efficient when operated near the saturation region. Compensating the amplifier nonlinearities with these predistorter gain polynomials, the efficiency of the amplifier can be maximized. Simulation results demonstrate that the adjacent channel power ratio (ACPR) is improves by about 63 ㏈ at the band edge. The convergence and reconvergence characteristics of the linearizer are also satisfactory.

• Proceedings of the KSMRM Conference
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• 2002.11a
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• pp.104-104
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• 2002

목적： SAAV sequence를 이용하여 동시에 획득한 동맥과 정맥의 두 MRA 영상을 Color Mapping으로 동맥과 정맥을 구분하여 한 영상에 나타냄으로써 AVM 이나 DAVF 등과 같은 혈관질환의 임상적 진단 및 치료에 도움을 주고자 하였다. 대상 및 방법： 일반적으로 MRA 영상은 사전 포화방법(presaturation)을 이용한 2D TOF 기법을 통하여 동맥과 정맥을 구분하여 영상을 획득한다. 이러한 일반적인 사전포화방법을 응용한 SAAV 기법은 일정영역을 미리 포화(saturation)시킨 후 포화영역의 위, 아래의 영역을 한번에 영상화하여 동맥과 정맥의 구분된 영상을 한번에 획득할 수 있다. 마산 삼성병원의 0.3T MRI system(Megfinder, AILab. Korea)에서 SAAV sequence를 이용하여 정상적인 피험자로부터 목 부위의 동맥과 정맥 혈관영상을 동시에 얻었다. 이들의 각 2D 영상을 Color Mapping으로 조합한 후 Maximum Intensity Projection(MIP) 기법을 통해 3D Artery-Vein Color Mapping(AVCM) MRA 영상으로 재구성하였다. 3명의 피험자에 대한 SAAV MRA data를 256$\times$256$\times$64(resolution： 0.89$\times$0.89$\times$2㎣)로 획득하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.05a
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• pp.681-684
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• 2015

Power amplifier is an essential component for transmitting signals to a remote receiver in wireless communication systems. Power amplifier is a non-linear device in general, and the nonlinear distortion becomes severer as the output power increases. The nonlinearity results in spectral regrowth, which leads to adjacent channel interference, and decreases the transmit signal quality. To linearize power amplifiers, many techniques have been developed so far. Among the techniques, digital pre-distortion is known as the most cost and performance effective technique. However, the linearization performance falls down abruptly when the power amplifier operates in its saturation region. This is because of the severe nonlinearity. To relieve this problem, this paper proposes a new adaptive predistortion technique. The proposed technique controls the adaptive algorithm based on the power amplifier input level. Specifically, for small signals, the adaptive predistortion algorithm works normally. On the contrary, for large signals, the adaptive algorithm stops until small signals occur again. By doing this, wrong coefficient update by severe nonlinearity can be avoided. Computer simulation results show that the proposed method can improve the linearization performance compared with the conventional digital predistortion algorithms.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2009.05a
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• pp.796-800
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• 2009

토목구조물 및 사면의 붕괴는 집중호우가 내리는 경우 많이 발생하고 있으며, 특히 사면에서는 붕괴까지의 변형이 급속히 진행되어 이를 사전에 예방하기는 매우 어려운 현실이다. 침투 및 배수과정에서의 사면 붕괴는 강우침투로 인한 지반의 물리적 특성변화가 직접적으로 사면의 안전계수 변화에 영향을 주는 것으로 판단되며, 이때 발생하는 물리적 특성변화로는 침투시 사면 내 지반의 단위 중량은 증가하여 전단응력의 증가 및 전단강도 감소현상이 발생하며, 이와 반대로 사면 내 배수로 인하여 전단응력의 감소 및 전단강도의 증가현상이 발생한다. 따라서 본 연구에서는 강우침투로 발생하는 지반의 포화도 변화를 지반 내 투수계수의 함수로 설명하여 강우로 인한 지반의 침투 및 배수과정을 규명하고자 한다. 일반적으로 지반 내 지하수의 침투과정은 라플라스 공식을 적용한다. 그러나 라플라스 공식은 정상 상태(Steady State)일 경우에만 사용할 수 있고, 강우 등으로 인한 지하수의 수두 변화가 발생한 비정상 상태(Unsteady State)의 경우에는 부적합하므로 사면과 옹벽 등의 토질구조물에서는 안전성 변화를 계산할 수 없다. 이를 위해 사면 내 지반의 침투 및 배수과정을 투수계수의 함수로 나타내어, 강우의 침투과정을 Fourier Series, 변수분리법 및 섭동함수를 사용하여 식으로 유도함으로서 강우에 의한 지반의 침투 및 배수과정에 따른 사면 내 지하수의 분포를 예측한다. 침투과정 해석을 위하여 지표에서 포화대까지의 깊이 10m의 모델사면 및 지표부터 포화대까지의 포화도는 직선으로 비례한다는 가정을 적용한다. 먼저 푸리에 급수를 이용, 시간에 따른 온도를 열전달에 관하여 편미분하여 발생하는 열확산계수를 투수계수로 변환함에 따라 지하수의 시간과 수직방향거리에 대한 지반의 포화도를 산정한다. 변수분리법은 산정된 포화도에 지반의 초기조건과 경계조건를 고려하기 위해 적용하며, 변수분리법에 의해 산정된 지하수 분포를 섭동함수법으로 과도 및 정상상태로 분류한다. 본 연구의 수행으로 인해 얻어진 결과를 요약하면 다음과 같다. 첫째, Fourier Series와 변수분리법, 섭동함수를 이용하여 강우에 의한 지반의 포화도 변화를 수식적으로 나타낼 수 있으며 둘째, 지반에서의 강우침투과정을 식으로 표현함으로서, 깊이별 시간에 따른 포화도의 영역이 상부로부터 하부로 전이되는 과정을 알 수 있다. 셋째, 푸리에 급수를 이용한 지반의 침투계산으로 강우로 인한 지반의 포화영역 및 불포화영역을 명확히 구분할 수 있으며, 각 깊이별 포화도를 계산하여 각 구간에서 불포화구간의 전단강도에 대한 보다 정확한 계산이 가능하리라 판단된다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.41 no.5
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• pp.15-21
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• 2004

In this paper a new structure of BJT is proposed to improve the saturation voltage characteristics so that it can be used to the low power switching devices. In the case of the conventional finger transistor(FT), the saturation voltage is so high that it dose not satisfy the requirements for the low power device. So the other multi base island transistor(MBIT) is suggested and its saturation voltage is so low in the region of low current that it satisfy the requirement for the low power switching devices, but in region of the high current the saturation voltage tends to increase so that it does not satisfy the requirements for the low power switching devices. So in this paper a new structure of folded back electrode transistor(FBET) is proposed and the characteristics is investigated. When the new structure is applied the emitter area is increased by 35 % so the saturation voltage is reduced by 30 % at the low current region and the contact area is increased by 92 % so the saturation voltage is reduced by totally f % at the high current region with the reduction of 30 % by the increase of the emitter area and the reduction of 7 % by the increase of the emitter contact area.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 1998.05a
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• pp.395-403
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• 1998

오염원의 이송확산에 관한 많은 연구들이 수행되어 왔으나 특히 비포화 영역에서 오염원 이송확산을 측정하는 것은 매우 어려운 것으로 알려지고 있다. 비포화 토양에서의 오염원 이송확산은 매질의 함수량 변화에 영향을 받기 때문에 오염원 거동특성을 이해하려면 비포화 흐름 분석을 선행한 후 오염원의 이송확산 특성을 분석하여야 한다. 본 연구에서는 비포화 영역에서의 오염원 이송특성을 분석하기 위하여 TDR(Time Domain Reflectometry)을 이용하여 비포화 흐름 및 오염원 이송을 측정하였다. 이를 위하여 본 연구에서는 TDR을 이용하여 오염원 이송을 측정하는 방법을 개발하였으며, 이 방법을 이용하여 1차원의 토양기둥시료에서 비포화 흐름 및 오염원 이송확산에 관한 실험을 수행하고 수치모형을 적용함으로써 비포화 영역에서 오염원의 이송확산에 관한 거동특성을 규명하였다. 본 연구에서는 두 종류의 국내 토양시료(SUS, KUS)를 사용하였는데, 토양의 물리적 특성을 예비실험을 통하여 규명한 후 토양기둥시료를 이용한 본실험을 수행하였다. 비포화 천이흐름하의 오염원 이송확산 실험에서는 급격한 습윤전선의 전진에 따른 종형의 함수량변화를 관측할 수 있었고, 이때 오염원의 농도는 함수량의 천이구간의 중심점으로부터 전방영역의 농도분포가 습윤전선에서의 함수량 분포와 유사한 종형을 이루고 있음을 관측할 수 있었다. 비포화 정상흐름하의 오염원 이송확산 실험에서는 오염원이 이송하며 농도 천이구간이 확장되어지는 전형적인 형태를 보였다. 또한 예비실험에서 측정한 매개변수를 입력자료로하여 수행한 수치결과와 실험결과를 비교하였는데 비포화 흐름특성은 실험결과와 수치결과가 정량적으로 일치하는 경향을 보였으나, 오염원 이송확산 특성은 정량적으로 수치결과가 실험결과보다 더 많이 확산되는 경향을 보였다. 따라서 수치모형을 현장에 적용할 경우 확산지수 결정에 주의하여야 할 것으로 판단된다. 즉, 수치모형에 적용할 확산지수는 BTC 실험을 통하여 측정한 확산지수, 수치확산, 흡착계수, 적용영역의 크기 등을 고려하여 결정하여야 한다. 특히 본 논문에서는 TDR을 이용하여 최초로 천이상태의 함수량과 오염원 농도를 측정하였는데 이를 위하여 전기전도도와 함수량관계를 추정하는 식을 제안하였으며, 전기전도도와 토양수 농도, 전기전도도와 함수량의 관계를 이용한 천이상태의 오염원 농도 측정방법을 개발하였다. 특히 제안식에서는 한계함수량의 개념을 도입하여 전기전도도와 함수량관계를 추정하므로 추정식의 실험값 반영 정도를 증가시켰다. 본 연구에서 제안된 식을 이용하여 추정된 전기전도도와 함수량관계는 다른 제안식에 비하여 개선된 결과를 보여 주었고, 본 연구에서 개발한 오염원 농도 측정법을 이용하여 측정한 결과 함수량이 0.15이하에서는 측정오차가 크지만 함수량이 0.15이상일 경우 매우 좋은 결과를 보였는데 질량평형을 검토한 결과 약 5-10%의 오차율을 보였다. 따라서 본 논문에서 개발된 천이상태의 오염원 농도측정법은 용존 오염물질의 이송에 관한 정확한 실험을 제공할 것으로 판단된다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T
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• v.35T no.1
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• pp.14-21
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• 1998

In the conventional GaAs MESFET circuit simulation, the DC and transient simulation results are often failed due to the discontinuities of the first and second order derivatives arising from the use of separate models in linear, saturation, and transition regions. In this paper, we propose a unified drain current-voltage model by using a unified channel length modulation effect that is derived by extending the channel length modulation effect in the saturation region to the linear region. Calculated results from the proposed drain current-voltage model agree well with the results of Shur model. Also, we propose a unified capacitance model for linear, transition, and saturation regions by using a unified channel length modulation effect. Its results from the proposed capacitance model agree well with 2-D device simulation results. Thus, the proposed models are expected to be useful in circuit simulations.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.24 no.3
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• pp.47-52
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• 2017

This research scrutinizes the data retention characteristics of the MLC NAND Flash Memory instigated by the loss effect of trapped charge when the memory is in the state of program saturation. It is attributed to the threshold voltage saturation phenomenon which engenders an interruption to the linear increase of the voltage in the memory cell. This phenomenon is occasioned by the outflow of the trapped charge from the floating gate to the control gate, which has been programmed by the ISPP (Incremental Step Pulse Programming), via Inter-Poly Dielectric (IPD). This study stipulates the significant degradation of thermal retention characteristics of threshold voltage in the saturation region in contrast to the ones in the linear region. Thus the current study evaluates the data retention characteristics of voltage after the program with a repeated reading test in various measurement conditions. The loss effect of trapped charge is found in the IPD layer located between the floating gate and the control gate especially in the nitride layer of the IPD. After the thermal stress, the trapped charge is de-trapped and displays the impediment of the characteristic of reliability. To increase the threshold saturation voltage in the NAND Flash Memory, the storage ability of the charge in the floating gate must be enhanced with a well-thought-out designing of the module in the IPD layer.