• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권10호
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• pp.9-15
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• 2009

본 논문에서는 고속 ATC(Automatic Threshold Control) 회로 구조를 고안하고 이를 이용하여 고속 ATC 기능을 갖는 버스트 모드 제한증폭기를 설계하였고, $0.8{\mu}m$ SiGe BiCMOS 상용 파운드리 기술을 이용하여 제작하였다. 제작된 버스트 모드 제한증폭기는 $PRBS=2^7-1$에서 무에러(error free)의 아이를 보였고, 160ps이내의 지터 특성과 95ps이내의 상승/하강시간을 보였다. ATC특성 측정결과 버스트 데이터의 신호의 초기부터 안정되게 파형을 잘 잡아낼 정도로 빠른 ATC동작이 이루어지고 있어 고안한 ATC회로의 고속특성을 확인할 수 있었다. 그러나 버스트 초기에서 듀티사이클 왜곡이 발생했고, 입력 신호의 크기가 커짐에 따라 듀티사이클이 59%까지 증가하는 특성을 보였다. 그러나 10 사이클이 지난 후에는 모든 입력 신호의 크기에 대해 듀티사이클이 52% 이내로 안정화되고 있음을 확인하였다

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권8호
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• pp.764-768
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• 2002

본 논문에서는 (주)타키오닉스의 SiGe HBT 공정을 이용하여 double balanced Gilbert cell down conversion MMIC mixer를 구현한 결과를 제시하고, 이를 통해 RFIC 설계용 SiGe HBT 파운드리의 정확성과 신뢰성을 평가하였다. 제작된 Mixer는 3 V 동작 전압에서 10 mA의 전류를 소모하며, 2 GHz의 주파수 대역에서 17 dB의 Conversion Gain과 9.8 dB NF, -4.2 dBm Output 1 dB Compression Point, -27 dEc의 RF-IF Isolation의 특성을 나타내었으며 우수한 50 $\Omega$ 입. 출력 정합 특성을 갖는다. 시뮬레이션 결과와 측정결과는 거의 유사한 특성을 가지며, 이를 통해 SiGe HBT 모델 라이브러리의 정확성과 공정의 재현성을 검증할 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제33권12호
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• pp.558-564
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• 2023

In this study, we designed and manufactured a large angular contact ball bearing (LACBB) with low deformation using JIS-SUJ2 steel and analyzed changes in its structural characteristics and chemical composition upon heat treatment. The bearing was produced by hot forging and heat treatment including a quenching and tempering (Q/T) process, and its properties were analyzed using 4 mm thick specimens. A difference in the size distribution of the carbide in the outer and inner parts of the bearing was observed and it was confirmed that large and non-uniform carbide was distributed in the inner part of the bearing. After heat treatment, the hardness value of the outer part increased from 13.4 HRC to 61 HRC and the inner part increased from 8.0 HRC to 59.7 HRC. As a result of X-ray diffraction (XRD) measurements, the volume fraction of the retained austenite contained in the outer part was calculated to be 3.5~4.8 % and the inner part was calculated to be 3.6~5.0 %. The surface chemical composition and the content of chemical bonds were quantified through X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and a decrease in C=C bonds and an increase in Fe-C bonds were confirmed.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제15권7호
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• pp.4191-4197
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• 2014

공동가치창출 현상은 B2B 및 B2C 시장 모두에서 중요한 비즈니스 전략으로 인식되고 있다. 본 연구에서는 다양한 주체들 및 복잡한 네트워크로 구성된 첨단 기술 기반의 B2B 시장에서 공동가치창출을 위한 핵심 자원 및 역량을 도출하였다. 대만의 파운드리 반도체 선두업체인 TSMC가 사례 연구로 선정되어 공급자, 고객, 파트너들간의 공동가치창출 현상에 대해 연구하였다. 관찰 연구, 내용 분석 및 TSMC 직원들과의 비구조화된 인터뷰를 통해 수집한 질적 데이터를 정성적 데이터 분석(Qualitative data analysis) 툴을 사용하여 분석하였다. 귀납적 추리 (Inductive reasoning)에 기반한 사례 연구 및 사례 연구를 바탕으로 한 이론수립을 연구방법론으로 적용하여 4가지의 핵심 자원 (재무적 자원, 지식 자원, 효율성 자원, 지적 자원)과 6가지의 핵심 역량 (관계 역량, 협력 역량, 전략적 역량, 혁신 역량, 관리 역량, 서비스 역량)을 도출하였다. 도출된 자원과 역량을 기반으로 관계 네트워크 하에서의 공동가치창출을 연구하기 위한 연구 체계를 수립하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 춘계학술대회
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• pp.747-749
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• 2012

본 고에서는 미국, 일본, 유럽, 대만, 중국 등 주요 국가의 시스템반도체 정책을 분석해보고 우리나라의 시스템반도체 산업 발전을 위해 필요한 정책적 시사점을 도출하고자 한다. 시스템반도체는 시스템 기능을 지원하고 실행하는 반도체로서 메모리반도체를 제외한 모든 비메모리 반도체이다. 시스템반도체는 시장규모가 2천억 달러가 넘는 막대한 시장이면서 자동차 조선 의료 기계 건설 섬유 국방 에너지 조명 로봇 등 전통 산업과 IT의 융합으로 새로운 시장이 형성되고 있어 산업의 근간인 시스템반도체의 잠재력은 매우 크다고 하겠다. 미국, 일본 등 선진국은 앞선 기술을 바탕으로 민간 주도, 대만 등 후발국은 정부 주도로 경쟁력 강화를 지원하고 있다. 반면, 우리나라는 세계 최고의 메모리반도체 강국임에도 불구하고 세계 시스템반도체 시장 2,300억 달러(약 250조원)의 3%를 점유할 정도로 매우 취약하며 국내 최대 팹리스 기업 규모가 세계 51위에 불과하다. 시스템 반도체산업이 부진한 것은 대만에 비해 국내 기업들이 뒤늦게 시작하였고, 다품종 소량생산의 산업 특성에 따라 대기업들이 대량생산이 가능한 메모리반도체 생산에 주력하였기 때문이다. 앞으로 국내 시스템 반도체 산업이 글로벌 선두권 기업으로 도약하기 위해서는 전문화된 인력 양성, 차별화된 원천기술 확보, 시스템반도체 성장전략 마련, 협업 모델 구축 등을 통해 장기적인 경쟁력을 확보해야 할 것이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제26권7호
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• pp.620-626
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• 2015

본 논문에서는 2차 전역통과 필터를 이용하여 입력정합을 수행하고, LC 병렬공진 회로를 이용하여 트랜지스터의 출력 리액턴스를 최소화하는 기법을 적용함으로써 2~6 GHz에서 동작하는 광대역 GaN 전력증폭기 MMIC를 설계 및 제작하였다. 광대역 손실정합을 위해 사용된 2차 전역통과 필터는 트랜지스터의 채널 저항 효과를 보상하기 위해 비대칭적 구조를 사용하였다. Win Semiconductors사의 $0.25{\mu}m$ GaN HEMT 파운드리 공정으로 제작된 MMIC 칩은 크기가 $2.6mm{\times}1.3mm$이며, 주파수 대역 내에서 약 13 dB의 평탄한 이득 특성과 10 dB 이상의 우수한 입력정합 특성을 보였다. 포화출력 조건에서 측정된 출력전력은 2~6 GHz에서 38.6~39.8 dBm의 값을 보였고, 전력부가효율은 31.3~43.4 %을 나타내었다.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제48권2호
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• pp.6-11
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• 2011

본 논문은 나노 구조에서 ASIC 표준 라이브러리 셀의 특성에 대하여 전파지연시간 측정의 새로운 설계 방법을 제시하였다. 라이브러리 셀((NOR, AND, XOR 등)에 대한 정확한 시간 정보를 제공함으로서 ASIC 설계 흐름 공정의 시간적 분석을 증진시킬 수 있다. 이러한 분석은 기술 공정에서 반도체 파운드리 팀에게 유용하게 사용할 수 있다. CMOS 소자의 전파지연시간과 SPICE 시뮬레이션 은 트랜지스터 파라미터의 정확도를 예측할 수 있다. 위상오차 축적방법 물리적 실험은 반도체 제조공정($0.11{\mu}m$, GL130SB)으로 실현하였다. 표준 셀 라이브러리에서 전파지연시간은 $10^{-12}$초 단위까지 정확성을 측정할 수 있었다. VLSI STPE를 위한 솔루션은 배치, 시뮬레이션, 그리고 검증에 사용할 수 있다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제12권7호
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• pp.1191-1198
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• 2001

본 연구에서는 밀리미터파용 MMIC 저잡음 증폭기를 0.15$\mu$m pHEMT TRW 파운드리를 이용하여 설계, 제작하였다. 증폭기 설계시 능동소자모델링과 EM 시뮬레이션을 중심으로 설계가 이루어졌다. 기존의 모델의 단점을 기술하고 스케일링 문제를 해결하기 위하여 분산소자 모델을 사용하여 소신호 파라미터와 잡음 파리 미터를 정확히 예측하였다. 이러한 모델을 사용하며 2-단 단일 종지형 저잡음 증폭기 2종이 각각 Q-band(40~44 GHz)와 V-band(58~65GHz) 주파수 대역에서 설계되었다. Q-band 저잡음 증폭기의 경우 2.2 dB의 평균잡음지수와 18.3 dB의 평균이득이 측정되었으며 V-band 저잡음 증폭기의 경우는 65 GHz에서 14.7 dB의 평균이득과 2.9 dB의 평균잡음지수가 측정되었다. 이러한 결과는 시뮬레이션 결과와 일치하며 따라서 본 논문에서 사용설계기법이 밀리미터파 대역에서도 정확함을 의미한다. 또한 기존의 문헌과 비교하여 볼 때 잡음지수와 이득면에서 state-of-the-art성능을 나타냄을 확인하였다.

• IT SoC Magazine
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• 통권19호
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• pp.24-28
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• 2007

올해 44회를 맞이한 DAC(Design Automation Conference)는 6월 4일부터 8일까지 5일간 캘리포니아 샌디에고에서 개최되었다. 이번 DAC에도 샌프란시스코에서 열렸던 43회 DAC와 마찬가지로 인텔, IBM, ARM, Sun Microsystems 등 첨단 SoC/IP 설계회사와 Cadence, Synopsys 등 EDA 개발회사, 그리고 TSMC, UMC 등 유수의 파운드리회사들이 참가하였다. 전시회 참여업체는 약 250여개로 예년보다 약간 증가하였고 총 참관객수는 11,000여명으로 다소 줄어들었다. 하지만 국내 참여업체 관계자들은 참관객들의 질적인 수준이 작년 DAC보다 더 높아 제품을 홍보하고 관련 업계 사람들과 정보를 교환하기에 더없이 좋은 기회였다고 평가했다. 또한 이번 DAC 컨퍼런스는 총 10개 트랙, 53개의 세션들이 진행되었으며 약 161개의 논문이 발표되어 매우 역동적인 기술교류가 이루어졌다. 여기에서는 44th DAC의 주요 이슈와 전시회에 참여하였던 국내 SoC업체들의 제품에 대해 살펴 보고자한다.

• 폴리머
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• 제35권2호
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• pp.136-140
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• 2011

니트릴 가교 과불소고무와 과산화물 가교 과불소고무의 내플라즈마 특성을 평가하기 위해 고온상태에서 $NF_3$, $O_2$ 리모트 플라즈마에 노출된 과불소 고무 재질의 오링(O-ring)에 대해 각각의 무게 손실 및 표면 특성을 확인하였다. 이를 위해 컴파운드는 반도체 및 LCD 생산라인에서 적용되고 있는 오링/씰 제조를 위한 전형적인 처방에 맞춰 설계하고 오픈 롤을 사용하여 혼련작업을 실시하였으며, 이후 열프레스로 작업한 후 오븐을 이용한 후가교 공정을 거쳐 최종 오링 형태로 제조하였다. 가교된 과불소고무 오링을 고온 플라즈마 환경에 노출시킨 후 무게 감량 및 표면 특성 변화를 전자 저울 및 주사전자현미경을 사용해 관찰하였다. 그 결과, 과불소고무의 가교타입, 필러 시스템, 플라즈마의 종류에 따라 무게 손실과 표면 상태의 변화가 상당한 수준으로 발생되는 것을 확인하였다.