• Journal of IKEEE
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• v.22 no.3
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• pp.613-618
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• 2018

In this paper, an active snubber type flyback converter was applied to a 60W class adapter and its test results are reported by producing a prototype. Especially, the prototype of the adapter was designed for both input voltage of 110V and 220V. The output voltage was designed for 60W with 19V class which is the most commonly used in laptops. The prototype was designed to a volume of about $50cm^3$ and a power density of about $1.22W/cm^3$ to minimize the size and verify portability. The maximum efficiency of the prototype was 90.88% at its maximum load of 60W against input voltage change and 91.04% was observed at 60W under input voltage of 220V. Furthermore, the stability of the output voltage against load power was observed to be within about 0.07%.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.40 no.9
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• pp.1693-1698
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• 2015

This paper proposed a PFM(pulse-frequency modulator) boost converter which has dual pulse-width. The PFM boost converter is composed of BGR(band gap voltage reference generating circuit), voltage reference generating circuit, soft-start circuit, error amplifier, high-speed comparator, inductor current sensing circuit and pulse-width generator. Converter has different inductor peak current so it has wider load current range and smaller output voltage ripple. Proposed PFM boost converter generates 18V output voltage with input voltage of 3.7V and it has load current range of 0.1~300mA. Simulation results show 0.43% output voltage ripple at ligh load mode and 0.79% output voltage ripple at heavy load mode. Converter has efficiency 85% at light lode mode and it has maximum 86.4% at 20mA load current.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.9 no.3
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• pp.279-284
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• 2014

This paper proposes a novel OLED pixel circuit to compensate the threshold voltage variation of p-channel low temperature polycrystalline silicon thin-film transistors (LTPS TFTs). The proposed 5-TFT OLED pixel circuit consists of 4 switching TFTs, 1 OLED driving TFT and 1 capacitor. One frame of the proposed pixel circuit is divided into initialization period, threshold voltage sensing and data programming period, data holding period and emission period. SmartSpice simulation results show that the maximum error rate of OLED current is -4.06% when the threshold voltage of driving TFT varies by ${\pm}0.25V$ and that of OLED current is 9.74% when the threshold voltage of driving TFT varies by ${\pm}0.50V$. Thus, the proposed 5T1C pixel circuit can realize uniform OLED current with high immunity to the threshold voltage variation of p-channel poly-Si TFT.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.14 no.6
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• pp.232-235
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• 2004

Linear GMR isolator which is profitable for transmitting analog signal was modeled and the output voltage and current in relation to the input current were investigated. GMR isolator modeling was divided into two parts, namely magnetic and electric parts. The flow chart of the modeling was drawn in which the MR curve of the spin valves were incorporated to obtain the electrical voltage output. For magnetic modeling, 3-dimensional model of planar coil was analyzed by FEM method to obtain the magnetic field strength corresponding to the input current. Coil efficiency of the planar coil having magnetic core layer was shown to have about 1.5 times larger than that of the coil without the magnetic core layer. The feedback coil current(output current) corresponding to the input coil current was calculated to be within ${\pm}$0.25 mA of the linear fitting function of I$\_$out/= I$\_$in/-5 mA. Also, the response time and output waveforms were obtained when the coil current was a rectangular waveform. The rise time and fall time was 6 ${\mu}\textrm{s}$, respectively when the slew rate of the op-amp was 0.3 V/${\mu}\textrm{s}$.

• Journal of IKEEE
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• v.24 no.4
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• pp.1074-1080
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• 2020

This paper proposes a digitally controlled buck converter insensitive to process, voltage and temperature and capable of three modes of operation depending on the state of the output voltage. Conventional digital-controlled buck converters utilized A/D converters, counters and delay line circuits for accurate output voltage control, resulting in increasing the number of counter and delay line bits. This problem can be resolved by employing the 8-bit and 16-bit bidirectional shift registers, and this design technique leads a buck converter to be able to control duty ratio up to 128-bit resolution. The proposed buck converter was designed and fabricated with a CMOS 180 nano-meter 1-poly 6-metal process, generating an output voltage of 0.9 to 1.8V with the input voltage range of 2.7V to 3.6V, a ripple voltage of 30mV, and a power efficiency of up to 92.3%. The transient response speed of the proposed circuit was measured to be 4us.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.4 no.5
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• pp.474-482
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• 1999

In this paper, a new field weakening algorithm which maximizes the output torque not only in steady state b but also in transient state is proposed. Considering both voltage and current limit of system, analytic solutions f for optimal torque utilization in field weakening region I and region II are obtained. This algorithm finds optimal currents considering dynamic vol떠ge limit based on flux and speed. So the maximum usage of stator v voltage even in transient state results in the maximum torque and fast response time. Simulation and e experimental results show the effectiveness of the proposed field weakening scheme.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1998.05b
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• pp.929-934
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• 1998

KT(KAERI Tokamak) 장치의 언저리 영역에서 삼중정전탐침을 이용하여 플라즈마밀도, 전자온도 및 부유(floating)전압을 측정하였다. 토카막 방전조건에 따라 고정된 위치에서의 측정값들은 시간에 대한 변화를 보였다. 특히 플라즈마 밀도 값 <η$_{e}$>은 약 두 배까지의 시간에 따른 변화 폭을 보였다. 반면에 밀도 섭동량(fluctuation) $\delta$η$_{e}$/<η$_{e}$>은 다른 섭동량과 마찬가지로 거의 일정한 값을 나타냈다. z 방향에 대해 측정한 proafile 결과는 모두 z/a에 따라 감소하였으며, 반면에 섭동량은 증가하는 경향을 나타냈다. 부유전압 및 압력구매에 의하여 발생되는 poloidal 방향의 drift속도를 profile 결과로부터 얻었으며, 언저리 영역에서 섭동량은 이온 diamagnetic 방향으로 최대 + 2 $\times$$10^{5}$ cm/sec의 속도로 이동함을 예상할 수 있었다 섭동량 자체에 의해 유기되는 전기장 \ulcorner(equation omitted) 로부터, 반경방향으로 이동되는 속도는 측정한 부유전압의 섭동량에 대한 z 방향 profile로부터 언저리 영역에서 $\upsilon$$_{r}$가 최대 + 1.2 $\times$ $10^{5}$ cm/sec가 됨을 알 수 있었다. 언저리 영역에서 섭동량이 장치 벽쪽으로 이동하는 정도를 진행 속도 값으로부터 예상할 수 있었다.있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.193.1-193.1
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• 2016

극미량의 fluoride 이온이 첨가된 전해질을 사용하여 Ti 기판 위에서 양극산화를 하여 형성된 TiO2 나노 튜브는 광촉매, 태양전지, 에너지 저장 및 변환 장치 뿐 아니라 의료용 재료로 많이 연구되고 있다. 양극산화를 통해 형성된 TiO2의 구조는 fluoride 이온의 농도, 용매의 종류 등과 같은 전해질조건, 온도, 교반등과 같은 환경조건, 전압 또는 전류로 대표되는 전기적 조건에 의하여 제어 된다. 대표적인 구조적 특징인 나노튜브의 직경은 전압에 의하여 제어되어지는데 전압이 높을수록 직경이 커진다고 알려져 왔다. 하지만 대부분의 보고는 외경에 대한 제어일 뿐 내경에 대한 보고는 찾기가 쉽지가 않다. 더욱이 일반적인 양극산화 조건에서는 외경 역시 최대 150nm 이상으로 넓이기는 쉽지가 않다. 본 발표에서는 다양한 전해질 조건과 전기적 조건의 변화를 통하여 TiO2 나노 튜브의 외경 뿐 아니라 내경도 제어 할 수 있음을 보였다. 또한 최적 조건에서는 그 내경이 최대 350nm를 가지는 TiO2 나노 튜브를 형성 할 수 있게 되었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.455-456
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• 2019

본 논문은 태양광 발전시스템에서 일사량이 급변했을 때 최대 전력점(MPP: Maximum Power Point)을 빠르게 추종할 수 있는 P&O(Perturb and Observe)기반 가변 스텝 알고리즘을 제안하였다. 제안한 기법은 일사량 또는 온도에 의해 환경 변화 시 최대 전력점에서의 전압 변화 특성을 이용하며, 가변 스텝 방식이 적용된 전압제어를 통해 MPP를 추종한다. 임계값 설정으로 일사량 급변을 판단하며, MPP를 빠르게 추종하기 위한 고속 모드로 동작한다. MPP에 도달하면 가변 모드로 전환하여 정상상태 오차를 최소화 한다. PV 시뮬레이터와 태양광 전력변환시스템을 통해 제안한 MPPT 알고리즘의 성능을 검증하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• summer
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• pp.1172-1175
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• 2004

포항 방사광 가속기의 선형가속기는 2.5GeV 전자빔용 마이크로웨이브의 발생을 위하여 80 MW급 클라이스트론(klystron) 11대와 입사부용 65 MW 급 클라이스트론 1대를 사용한다. 80 MW 급 클라이스트론 부하를 구동하기 위하여 최대 펄스 정격출력 200MW(400kV, 500A, 평탄도 $4.4\;{\mu}s$)인 대출력 펄스 전원공급 장치(modulator)가 요구된다. 모듈레이터 시스템 용 PFN(pulse forming network) 커패시터의 충전용 입력전원으로써 최대 출력전압 50 kV, ${\pm}\;0.5\%$ 이내의 전압제어가 가능한 고전압 인버터 전원장치를 적용하여 PLS 선형가속기용 국산화 개발 클라이스트론 부하의 성능시험을 수행하였다. 국산화 개발된 S-band 펄스 클라이스트론은 고전압 길들이기 과정을 거쳐 최대 정격 출력 빔 전압 400 kV 이상까지 시험 완료하였다. 클라이스트론의 정확한 RF 출력성능의 측정을 위하여 방향성 결합기와 검파기를 설치하여 측정시스템의 성능을 개선하였다. 본 논문에서는 포항 방사광 가속기의 국산화 개발 1호 클라이스트론 부하의 성능시험을 위한 50 kV 급 인버터시스템 적용과정에서 수행하였던 시험장치 개선과 PFN의 충전 특성을 분석하였다. 또한, 클라이스트론의 고전압 및 RF 길들이기 시험 결과에 관하여 고찰하고자 한다.