• 전자공학회논문지SC
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• 제45권6호
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• pp.60-66
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• 2008

리튬 전지(Li/SOCl2)는 오랜기간 방치후 부하를 인가하였을 때 순간적으로 전압이 하강하여 정상적인 작동전압을 회복하는데 까지 일정 시간이 경과해야만 하는 단점이 있는데, 이를 리튬전지의 초기전압지연이라 한다. 리튬 전지에서 필연적으로 발생하는 초기전압지연으로 인해 장비를 즉시 사용할 수 없는 단점이 있으므로, 초기전압지연 시간을 단축하는 것은 Li/SOCl2 시스템에서 극복해야 할 근본적인 과제이다. 본 논문에서는 전해액에 첨가제를 투입하거나, 리튬 음극에 PVC를 도포하는 등의 직접적인 방법으로 리튬 표면에 염화리튬 성장을 억제하는 것이 아니라, 양극의 성형밀도를 조절하여 양극 내에서 이온의 이동을 원활하게 유도함으로써, 용액저항을 감소시켜. 초기전압지연을 개선한 연구결과를 수행하였고, 특히 용액의 저항이 증가하는 저온에서 리튬전지의 초기전압지연 감소방안을 실험적 연구를 통해 개선하였다.

• 전자공학회논문지C
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• 제36C권8호
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• pp.1-9
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• 1999

빠르고 정확한 결과를 얻기 위해서 타이밍 수준에서의 회로 해석이 이루어지며, 게이트와 연결선에서의 신호 지연 해석은 회로의 설계 검증을 위하여 필수적이다. 본 논문에서는 CMOS 회로 게이트에서의 지연 시간과 연결선의 지연 해석을 위한 초기 천이 시간을 동시에 계산할 수 있는 방법을 제시한다. 회로 연결선의 유효 커패시턴스 개념을 이용하여 게이트의 지연 시간과 게이트에서의 구동 저항을 고려한 연결선 선형 전압원의 천이 시간을 계산한다. 게이트 지연과 연결선 선형 전압원의 천이 시간을 구하는 과정은 예비 특성화된 게이트 타이밍 데이터를 이용하여 반복적인 연산과정을 통하여 동시에 구하게 된다. 기존의 게이트 지연 계산 알고리즘은 연결선 선형 전압원의 천이 시간을 위해 별도의 게이트 특성 데이터를 필요로 하였으나, 본 논문에서 제시하는 방법은 계산 과정 중에 생성된 데이터를 이용함으로써 현재의 예비 특성화 방법을 수정하지 않고서도 효율적인 타이밍 수준의 게이트 및 연결선 지연 시간 예측이 가능하도록 하였다.

• 전자공학회논문지
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• 제52권1호
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• pp.135-139
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• 2015

플라즈마 디스플레이 패널의 각 부화면 시간동안 기입 방전의 지연시간을 각각 조사하였고 오방전이 발생하지 않는 범위내에서 추가 주사전압의 높이를 다르게 인가하여 모든 부화면 시간동안 기입방전 지연시간을 단축시키기 위한 수정된 구동방법을 제시한다. AC PDP에서 첫번째 초기화 기간 동안 주사전극에 높은 상승 경사파 전압을 인가하여 약한 플라즈마 방전이 발생하고 셀 내부에서 프라이밍 입자와 벽전하 생성을 유도한다. 생성된 벽전하는 셀 내부 벽전압이 되므로 기입기간 중 기입전압과 더해져서 기입 방전을 일으킨다. 그러나 셀 내부의 벽전하는 시간이 지나면서 점차 소멸되므로 1 TV 프레임 시간 동안 각 부화면 시간동안 기입방전은 늦게 발생한다. 첫 번째 부화면 시간에는 초기화 기간 동안 상승 경사파를 갖는 높은 전압에 의해 벽전하가 많이 남아 있으므로 첫 번째 기입 방전은 다른 부화면 시간보다 빠르게 형성된다. 한편, 두 번째부터 마지막 부화면 시간까지의 기입 방전 생성시간은 셀 내의 벽전하 소멸에 의하여 점차적으로 늦어진다. 본 연구에서는 각 부화면 시간동안 기입방전의 시간지연을 조사하였고, 부화면 시간의 기입기간 마다 추가 주사전압을 다르게 인가하여 전체 기입방전지연시간을 단축시켰다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2006년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.43-45
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• 2006

대부분의 컨버터들은 초기 기동시에 MOSFET 전류와 전압의 과도한 상승을 막아주기 위해서 Soft Start 기능을 갖고 있다. 하지만 제어기 내부의 지연시간이나 LEB(Leading Edge Blanking) 시간 등으로 인해 MOSFET은 무시할 수 없는 상당한 기간의 최소 턴온 시간(Minimum Turn-on Time)을 갖게 되고, 이로 인해 드레인 전류가 과도하게 상승하는 현상을 보이게 된다. 본 논문에서는 이런 현상이 발생할 수 있는 초기 기동이나 출력단 단락시에 과도한 드레인 전류의 상승을 막아주는 방법을 제시하고자 한다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2003년도 춘계학술발표논문집
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• pp.253-255
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• 2003

Flash memory는 device 특성상 peripheral circuit을 구성하는 transistor의 종류가 다양하고, 이에 따른 각 transistor의 동작 전압 영역이 넓다. 이에 따라 설계 초기의 전기적 특성 스펙 절정을 위해서는, silicon 상에서 소자의 scale down에 따른 전기적 특성을 선 검증하는 과정이 필수적이었으며, 이로 인해 설계 및 소자 개발의 기간을 단축하기 어려웠다. 본 연구에서는 TCAD tool을 사용하여 silicon상에서의 제작 공정을 거치지 않고, 효과적으로 model parameter를 생성할 수 있도록 하는 방법을 제안하여. 전기적 특성 스펙 결정과 설계 단계의 시간 지연을 감소할 수 있도록 한다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.68-68
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• 2003

최근의 전자부품은 고밀도 고집적화 됨에 따라 여러 가지 문제점들이 발생되고 있다. 그 중 부품이 실장되는 부분에 사용되는 솔더나 전기적 회로를 구성하는 패턴간에 금속 이온 마이그레이션(Metallic Ion Migration)이 발생하여 전기적 단락(Short)를 유발함으로써 전자제품의 치명적 고장을 유발한다. 본 연구는 이온 마이그레이션 현상을 물방울시험(Water Drop Test)을 통하여 재현함으로써 발생 메카니즘을 확인하여 발생원인을 직접적으로 관찰하고, 각 종 패턴의 거리 및 전압에 따른 발생속도의 차이를 조사하기 위하여 수행되었다. 이러한 실험을 위하여 콤 패턴(Comb Pattern)의 FR-4 재질 인쇄회로기판(PCB : Printed Circuit Board)을 사용하였으며, 사용된 전극재질로는 Cu, SnPb, Au를 사용하였고, 패턴간 거리는 0.5, 1.0, 2.0mm의 3가지 종류로 구분하였다. 또한 패턴간에 인간 된 전압은 6.5V, 15V를 인가한 후 마이그레이션이 발생되는 시간을 측정하였다. 이러한 실험으로부터 다음과 같은 결론을 얻었다. (1) 6.5V의 인가전압에서는 Cu 패턴이 대체적으로 가장 빠르게 마이그레이션이 발생하였으며, 다음으로 Au가 발생하였고, Cu와 SnPb의 발생시간은 대체적으로 근사한 값을 나타내었다. 이것은 비슷한 평형전위를 갖는 재료는 마이그레이션 발생시간이 유사하게 나타나며, 높은 (+)전위를 갖을수록 발생시간이 지연됨을 알 수 있다. (2) 15V를 인가하였을 때 패턴간격이 0.5mm인 경우 Cu, Au, SnPb의 순으로 나타났으며, 1.0mm는 SnPb, Cu, Au, 2.0mm인 경우는 SnPb, Au, Cu의 순으로 마이그레이션이 발생하였다. 인가전압이 높은 경우 초기 발생에는 큰 차이가 없지만 수지상이 발생 후 성장하는데 많은 영향을 미치는 것으로 보인다. 이것은 초기 수지상의 형성에 큰 영향을 미치는 것은 재료의 평형전위에 의한 값이 좌우하지만, 수지상이 일정길이 이상 형성된 이후에는 성장속도가 평형전위에 따른 값과는 다소 다르게 나타남을 알 수 있다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
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• pp.118-119
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• 2000

최근에 많이 사용되는 휴대용기기의 표시장치인 액정표시장치를 보면 반사형 액정표시장치가 많이 사용되고 있다. 반사형 액정표시장치는 표시장치의 전력소모의 많은 부분을 차지하는 backlight 를 주변 광원으로 대체하여 전력소모를 줄일 수 있는 표시장치로서 많이 연구되고있다. 최근에 연구되고있는 반사형 표시장치를 살펴보면 반사형 TN (Twisted Nematic) LC 모드가 주류를 이루고 있으나 콘트라스트비가 낮은 단점이 있다$^{[1]}$ . 이를 극복하기 위하여 반사형 VA (Vertical Aligned) LC 모드가 제시되어진다. VA LC 모드는 TN LC 모드와 반대로 음의 유전율 이방성을 가지는 액정물질을 이용하여 유리기판에 수직으로 배향시킨 모드로서, 전압이 인가되지 않은 초기상태에는 액정 cell 이 복굴절을 전혀 나타내지 않는다. TN LC 모드와 정확히 역의 구조를 가진다. 그리하여 초기상태에서 편광판 한 장과 광대역 λ/4 위상지연판을 사용하여 뛰어난 어두운 상태를 구현할 수가 있다. (중략)

• 전력전자학회논문지
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• 제10권4호
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• pp.388-396
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• 2005

SRM은 각종 산업분야에서 토크 리플과 소음 진동, 낮은 역률로 인하여 실제 적용에는 어려움이 있고 구동을 하기 위해서는 회전자위치 정보를 위한 센서가 필요하다. 따라서 본 논문에서는 전압펄스 주입방식을 이용한 센서리스 방식을 제안하였다. 기존 전압펄스 주입방식의 문제점인 위상지연 문제와 기존 센서리스 방식의 어려움이라 할 수 있는 초기구동 문제를 제안하였다. 또한 고성능 마이크로프로세서를 사용한 복잡한 연산과정 없이 단순한 범용 아날로그 소자만으로도 간단히 센서리스 방식을 구현하였다.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제21권5호
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• pp.665-674
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• 2018

In this paper, we propose a development results of a D-type non-rechargeable lithium battery($Li/SOCl_2$) on improvement in a low cost protection circuit of discharge for domestic military power source. According to this study, we describe a new design and product with 8-bit microcontroller in the protection circuit which can estimate state of health of the battery regardless of occurring an initial voltage delay. Also this paper discuss and facilitate development as solution to a safety about the non-rechargeable lithium batteries. As a result, we verified a quality of the protection circuit by a development test and evaluation(DT&E) process.

• 전력전자학회논문지
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• 제13권6호
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• pp.403-410
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• 2008

본 논문에서는 벡터제어에 필요한 유도전동기의 상수를 정지 상태에서 부가적인 신호 주입을 이용하여 추정하는 방법을 제안하였다. 농형 유도전동기 회전자 바의 표피효과를 수학적으로 모델링을 하고 분석하였다. 상수 추정을 위해 정지 상태에서 두 가지의 서로 다른 주파수의 신호를 주입한다. 전동기의 초기 상수를 알지 못하므로 개-루프 전압 주입방법 대신 폐-루프 전류제어 방법을 이용한다. 이 방법은 전기적 사고를 미리 방지할 수 있으므로 개-루프 전압 주입방법 보다 안전하다. 그리고 유도전동기의 상수 추정에 심각한 영향을 주는 위상지연효과를 보상하기 위한 오프라인 시험방법을 제안하였다. 그리고 제안된 상수 추정 방법의 타당성을 증명하기 위해 세 가지 용량의 유도전동기에 대해 실험을 수행하였다.