• Journal of Internet Computing and Services
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• v.16 no.6
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• pp.1-9
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• 2015

In this paper, we study the coexistence of typical radio access technologies (WiMAX, CDMA, WLAN) in heterogeneous networks. Although the radio accesses employ different frequency band, they can interfere with each other due to out-of- band emission. We compute the minimum adjacent channel interference ratio (ACIR) to satisfy the allowable level of interference, and the resulting minimum frequency separation (guard band) between interfering and victim system. We observe that WiMAX-WLAN coexistence and WiMAX-CDMA coexistence are feasible with at least 20 MHz and 15 MHz guard bands, respectively.

• The Transactions of the Korea Information Processing Society
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• v.7 no.9
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• pp.2958-2968
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• 2000

To effectively supervise WDM systems requires that the alarm signals for each optical transport network layer is considered. The related recommendations and studies for alarm signals are defining fundamental functions without specifying the structure and configuration of the supervisory channel. In this paper, we propose the detailed alarm signals and propagation flows for each optical transport network layer. We also describe the structure of overhead and the configuration of supervisory channel. Our proposals are based on the ITU T requirements of optical transport network and the supervisory schemes of terminal & add-drop systems. We show that our proposed schemes effectively performs supervisory functions for various fault conditions which will occur in terminal & add-drop typed WDM systems.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.450-450
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• 2013

플래시 메모리는 소형화가 용이하고, 낮은 구동 전압과 빠른 속도의 소자 장점을 가지기 때문에 휴대용 전자기기에 많이 사용되고 있다. 현재 사용되고 있는 플로팅 게이트를 이용한 플래시 메모리 소자는 비례축소에 의해 발생하는 단 채널 효과, 펀치스루 효과 및 소자 간 커플링 현상과 같은 문제로 소자의 크기를 줄이는데 한계가 있다. 이 문제를 해결하기 위해 FinFET, nanowire FET, 3차원 수직 구조와 같은 구조를 가진 플래시 메모리에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 비례축소의 용이함과 낮은 누설 전류의 장점을 가진 FinFET 구조를 가진 낸드 플래시 메모리의 전기적 특성에 대해 조사하였다. 메모리의 집적도를 높이기 위하여 비대칭 FinFET 구조를 가진 더블 게이트 낸드 플래시 메모리 소자를 제안하였다. 비대칭 FinFET 구조는 더블 게이트를 가진 낸드 플래시에서 각 게이트 간 간섭을 막기 위해 FinFET 구조의 도핑과 위치가 비대칭으로 구성되어 있다. 3차원 TCAD 시뮬레이션툴인 Sentaurus를 사용하여 이 소자의 동작특성을 시뮬레이션하였다. 낸드 플래시 메모리 소자의 게이트 절연 층으로는 high-k 절연 물질을 사용하였고 터널링 산화층의 두께는 두 게이트의 비대칭 구조를 위해 다르게 하였다. 두 게이트의 비대칭 구조를 위해 각 fin은 다른 농도로 인으로 도핑하였다. 각 게이트에 구동전압을 인가하여 멀티비트 소자를 구현하였고 각 구동마다 전류-전압 특성과 전하밀도, 전자의 이동도와 전기적 포텐셜을 계산하였다. 기존의 같은 게이트 크기를 가진 플로팅 게이트 플래시 메모리 소자에 비해 전류-전압곡선에서 subthreshold swing 값이 현저히 줄어들고 동작 상태 전류의 크기가 늘어나며 채널에서의 전자의 밀도와 이동도가 증가하여 소자의 성능이 향상됨을 확인하였다. 또한 양족 게이트의 구조를 비대칭으로 구성하여 멀티비트를 구현하면서 게이트 간 간섭을 최소화하여 각 구동 동작마다 성능차이가 크지 않음을 확인하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.7 no.4
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• pp.370-374
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• 1996

A Superstructure Grating(SSG) Distributed-Bragg-Reflector(DBR) laser has a broad tuning range with a good mode suppression ratio. However, gaps of channel are observed in the wavelength-tuning characteristics of an SSGDBR laser which employs linearly-chirped DBR mirrors. We found by numerical simulation that the gaps may be attributed to the nonuniform reflection-peak heights of a linearly-chirped DBR mirrors. We propose a nonlinearly chirped grating DBR mirror structure that makes reflection-peak heights almost uniform. Therefore a nonlinearly chirped grating structure can be employed in an extended tuning range semiconductor laser to achieve gap-free tuning and low threshold current operation simultaneously.

• Journal of the Korea Society of Computer and Information
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• v.7 no.4
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• pp.115-120
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• 2002

This paper presents the implementation of IS-95 CDMA signal processor, baseband and Intermediate Frequency(IF) digital converter using Field Programmable Gate Array(FPGA) and ADC/DAC and frequency up/down converter IS-95 CDMA channel processor is generated the pilot channel signal with short PN code and Walsh-code generator. The digital If is composed of FPGA. digital transmit/receive signal processor and high speed analog-to-digital converter(ADC) and digital-to-analog converter(DAC). The frequency up/down converter consisted of filter, mixer, digital attenuator and PLL is analog conversion between intermediate frequency(IF) and baseband. This implemented system can be deployed in the IS-95 CDMA base station device etc.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.10 no.3
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• pp.264-273
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• 2005

Broadband power line communications have been receiving tremendous interest In recent years because this technology enables utilities to deploy a communication network over existing power line infrastructures. Despite the enormous potential, there is some skepticism about the technology and its commercial viability. In this paper, we investigate the performance characteristic of PLC through field test carried out in actual households. Also it addresses major field deployment aspects, such as range, coverage, the number of node for operation and maintenance.

• Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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• v.14 no.6
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• pp.674-677
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• 2004

This paper deals with a systematic approach for the construction of the fixed-delay tree search (FDTS) detector in the intersymbol interference channel. The approach is based on the efficient multi-dimensional space partitioning. The Voronoi diagram (VoD) and the Delaunay tessellation (DT) of the multi-dimensional space are applied to implement the algorithm. In the proposed approach, utilizing the geometric information contained in the VOD/DT, the relative location of the observation sequence is determined which has been shown to reduce the implementation complexity. Detailed construction procedures are discussed followed by an example from the intersymbol interference communication channel.

• 한국HCI학회:학술대회논문집
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• 2006.02b
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• pp.416-423
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• 2006

본 논문은 개인별 프로그램 선호도와 채널 선호도를 기반으로 프로그램을 추천해주는 선호프로그램편성표를 구성하여 이를 효과적으로 보여주는 사용자인터페이스(UI) 모델을 제안한다. 현재 개인 맞춤화 전자프로그램가이드(PEPG)에 대한 다양한 연구가 이루어지고 있으나 주로 추천 알고리즘 연구에 그 초점이 맞춰져 있는 실정이다. 동일한 추천 알고리즘에 의해 추출된 프로그램이라 할지라도 정렬 순서와 디스플레이 방법에 따라 편성표를 이용하는 사용자의 용이성이 달라질 수 있다. 이에 본 논문은 추천 알고리즘에 의해 추출된 프로그램들의 선호도에 현재시간 기준으로 가중치를 부과하여 그 프로그램들의 선호도를 합산한 값으로 정렬한 편성표를 구성하였다. 이러한 선호프로그램편성표는 시청자가 가장 선호하는 프로그램과 채널이 최우선으로 보여지게 되므로 쉽고 빠르게 원하는 프로그램을 찾아갈 수 있다는 장점이 있다. 따라서, 사용자는 원하는 프로그램이 시작할 때까지 기다리거나 하는 시간의 낭비없이 시청이 가능하다. 본 논문을 통해 향후 등장하게 될 많은 개인 맞춤화된 서비스들을 개발하는데 도움이 될 수 있길 바란다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.239.2-239.2
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• 2014

태양전지의 전면전극과 웨이퍼의 접촉저항은 태양전지의 효율을 저하시키는 원인이 된다. 전면전극과 웨이퍼의 접촉저항을 감소시키는 공정으로써 선택적 에미터 도핑이 널리 적용되고 있다. 선택적 에미터 도핑은 태양전지의 전면전극 하부에 고농도 도핑을 함으로써 전극과 웨이퍼의 접촉저항을 감소시켜 태양전지의 효율상승을 유도한다. 이러한 선택적 에미터 도핑은 주로 고가의 레이저 장비가 요구 되어 생산단가가 높으며 웨이퍼의 구조적 손상을 야기한다. 본 연구에서는 고가의 레이저 장비를 플라즈마 제트 장치로 대체함으로써 생산단가를 낮추고자 한다. 도펀트가 도포된 웨이퍼에 플라즈마 제트를 조사하면 플라즈마 전류 흐름에 의한 저항 열이 발생한다. 발생된 열에 의해 도펀트가 웨이퍼에 확산되어 도핑된다. 플라즈마 제트로 구성된 선택적 에미터 도핑 장비 개발을 위한 기초 특성을 조사한다. 플라즈마 제트의 전류량의 변화에 따른 웨이퍼의 온도 특성과 도포된 도펀트 용재의 인산 함유량에 따른 도핑 깊이를 조사한다. 또한 선택적 에미터 도핑의 생산성을 향상시키기 위해 다중 채널 플라즈마 제트 장치를 구성하여 특성을 조사한다. 각 채널의 플라즈마 제트의 선폭과 전류량이 적절한 균일도를 갖도록 한다. 도핑 프로파일은 이차 이온 질량분석법을 통해 분석한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.130-130
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• 2011

최근 반도체 메모리 산업의 발전과 동시에 발생되는 문제들을 극복하기 위한 새로운 기술들이 요구되고 있다. DRAM (dynamic random access memory) 의 경우, 소자의 크기가 수십 나노미터 영역으로 줄어들면서, 단채널 효과에 의한 누설전류와 소비전력의 증가 등이 문제가 되고 있다. 하나의 캐패시터와 하나의 트랜지스터로 구성된 기존의 DRAM은, 소자의 집적화가 진행 되어 가면서 정보저장 능력이 감소하는 것을 개선하기 위해, 복잡한 구조의 캐패시터 영역을 요구한다. 이에 반해 하나의 트랜지스터로 구성되어 있는 1T-DRAM의 경우, 캐패시터 영역이 없는 구조적인 이점과, SOI (silicon-on-insulator) 구조의 기판을 사용함으로써 뛰어난 전기적 절연 특성과 기생 정전용량의 감소, 그리고 기존 CMOS (complementary metal oxide semiconductor) 공정과의 호환성이 장점이다. 또한 새로운 물질 혹은 구조를 적용하여, 개선된 전기적 특성을 통해 1T-DRAM의 메모리 특성을 향상 시킬 수 있다. 본 연구에서는, SOI와 SGOI (silicon-germanium-on-insulator) 및 sSOI (strained-si-on-insulator) 기판을 사용한 MOSFET을 통해, strain 효과에 의한 전기적 특성 및 메모리 특성을 평가 하였다. 그 결과 strained-Si층과 relaxed-SiGe층간의 tensile strain에 의한 캐리어 이동도의 증가를 통해, 개선된 전기적 특성 및 메모리 특성을 확인하였다. 또한 채널층의 결함이 적은 sSOI 기판을 사용한 1T-DRAM에서 가장 뛰어난 특성을 보였다.