• Journal of KIISE:Computer Systems and Theory
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• v.26 no.12
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• pp.1458-1467
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• 1999

VLSI 공정 기술이 발달하면서 이웃한 전선 간의 간격이 점점 더 가까워 지고 있으며, 그에 따라 인접 전선 간의 혼신 문제가 심각해지고 있다. 본 논문에서는 3층 그리드 채널 배선에 적용 가능한 혼신을 최소화시키는 배선층 할당 방법을 제안한다. 이 방법은 선형 의사 불린 최적화 기법에 맞도록 고안되었으며, 적절한 변수 선택 휴리스틱과 상한값 추정 방법을 통하여 최적의 결과를 짧은 시간 안에 찾아낸다. 실험 결과를 통하여, 일반적인 0/1 정수 선형 프로그래밍 기법과 비교하여 성능과 수행시간 면에서 우수함을 보인다. Abstract Current deep-submicron VLSI technology appears to cause crosstalk problem severe since it requires adjacent wires to be placed closer and closer. In this paper, we deal with a horizontal layer assignment problem for three layer HVH channel routing to minimize coupling capacitance, a main source of crosstalk. It is formulated in a 0/1 integer linear programming problem which is then solved by a linear pseudo boolean optimization technique. Experiments show that accurate upper bound estimation technique effectively reduces crosstalk in a reasonable amount of running times.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.21 no.4
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• pp.72-77
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• 1984

A placement program in LSI layout is developed and the results of test are discussed in this paper. In order to achieve 100% wiring, this paper introduces, as a virtual routing method, an algorithm which is close to the real routing. This algorithm is reflected to calculate the channel density. An object function is introduced to achieve minimization of total wire length, number of cuts, and maximum channel density simultaneously. The time complexity for the proposed virtual routing algorithm is O(n2). The time required for the algorithm is very short. This algorithm represents the routing state which is close to minimum wire length. So this algorithm is very proper to the application of placement problem. An auto-placement program is developed by the use of this algorithm. The efficiency of the proposed algorithm is shown in the test of the developed program.

• Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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• v.4 no.4
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• pp.81-86
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• 2003

Current growth of VLSI design depends critically on the research and development of automatic layout tool. Automatic layout is composed of placement assigning a specific shape to a block and arranging the block on the layout surface and routing finding the interconnection of all the nets. Algorithms performing placement and routing impact on performance and area of VLSI design. Switchbox routing is a problem interconnecting each terminals on all four sides of the region, unlike channel routing. In this paper we propose a genetic algorithm searching solution space for switchbox routing problem. We compare the performance of proposed genetic algorithm(GA) for switchbox routing with that of other switchbox routing algorithm by analyzing the results of each implementation. Consequently experimental results show that out proposed algorithm reduce routing length and number of the via over the other switchbox routing algorithms.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07d
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• pp.2017-2018
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• 2006

전력선 통신기술은 추가 배선이 필요 없는 유용성에도 불구하고 전력선 채널에 대한 정확한 채널 모델링과 전력선 모뎀의 전송 신뢰성에 대하여 많은 문제점을 나타내고 있다. 본 논문에서는 전송선로의 주파수에 대한 잡음과 임피던스 특성을 분석하고, 이의 해결을 위하여 전력선 채널에 Spread Spectrum 기법을 적용한 신호를 전송하였을 때의 시뮬레이션 결과와 구현된 FPGA 보드를 비교분석 하였다. 채널 모델링은 잡음과 감쇄 특성을 고려하였으며, Spread Spectrum 변조 방식을 적용한 전력선 모뎀의 FPGA를 구현하여 성능을 분석하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.106-106
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• 2003

반도체 소자의 고집적화에 따라 채널길이와 배선선 폭은 점차 줄어들고, 이에 따라 단채널효과, 소스/드레인에서의 기생저항 증가 및 게이트에서의 RC 시간지연 증가 등의 문제가 야기되었다. 이를 해결하기 위하여 자기정렬 실리사이드화(SADS) 공정을 통해 TiSi2, CoSi2 같은 금속 실리사이드를 접촉 및 게이트 전극으로 사용하려는 노력이 진행되고 있다. 그런데 TiSi2는 면저항의 선폭의존성 때문에, 그리고 CoSi2는 실리사이드 형성시 과도한 Si소모로 인해 차세대 MOSFET소자에 적용하기에는 한계가 있다. 반면, NiSi는 이러한 문제점을 나타내지 않고 저온 공정이 가능한 재료이다. 그러나, NiSi는 실리사이드 형성시 NiSi/Si 계면의 산화와 거침성(roughness) 때문에 높은 누설 전류와 면저항값, 그리고 열적 불안정성을 나타낸다. 한편, 초고집적 소자의 배선재료로는 비저항이 낮고 electro- 및 stress-migration에 대한 저항성이 높은 Cu가 사용될 전망이다. 그러나, Cu는 Si, SiO2, 실리사이드로 확산·반응하여 소자의 열적, 전기적, 기계적 특성을 저하시킨다. 따라서 Cu를 배선재료로 사용하기 위해서는 확산방지막이 필요하며, 확산방지재료로는 Ti, TiN, Ta, TaN 등이 많이 연구되고 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.38-38
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• 2010

계조표현의 방법인 기존의 펄스폭에 의한 방법과 본 연구에서 수행한 4채널의 계조표현 방법에 대해 비교하였다. 펄스폭에 의한 계조표현은 동일한 전압에서 펄스의 폭을 제어하여 계조표현이 가능하며, 4채널의 계조표현은 두 개의 채널로 전극배선을 하여 제작한 소자에 black입자와 white입자를 주입하고 생성된 4개의 서브픽셀의 컬러를 순차적으로 변하도록 하여 계조표현하는 방법이다. 두 가지의 계조표현은 이미지의 구현방법과 지속시간의 차이점이 있다. 4채널의 계조표현이 4개의 서브픽셀을 구동하면, 또 다른 계조표현은 8채널의 계조표현방법으로 이 방법은 하나의 큰 셀에 4개의 서브셀을 만들어 각각 다른 weight를 가지도록 만들어 우수한 계조표현을 구현할 것으로 판단되어 제안하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.167.2-167.2
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• 2015

고 이동도(~10 cm/Vs), 낮은 공정온도 및 높은 투과율 등의 특성을 갖는 산화물 반도체는 저 소비전력, 대면적화 및 고해상도 LCD Panel에 적합한 재료로서 현재 일부 Mobile Panel 및 TFT-LCD Panel의 양산에 적용되고 있으나, 향후 UHD급(4 K, 8 K)의 대형, 고해상도 Panel에의 적용을 위해서는 30 cm2/Vs 이상의 고 이동도 재료의 개발 및 저 저항 배선의 적용에 따른 소자 신뢰성의 개선이 필요하다. Cu는 대표적인 저 저항 배선 재료로 일부 양산에 적용되고 있으나, Cu 전극과 산화물 반도체의 계면에서 Cu원자의 확산 및 Cu-O 층의 형성에 의한 소자 특성 저하의 문제가 있다. 본 연구에서는 고 이동도의 In doped-ZTO계 산화물 반도체를 기반으로 채널 층과 Cu source-Drain layer의 계면에서의 Cu element의 거동 및 TFT 소자 특성과의 상관관계를 고찰하고, 계면에 형성된 Cu-O layer에 대해 높은 전자 친화도를 갖는 Ca element를 첨가에 의한 TFT 소자 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구에서는 이러한 효과로 인한 소자 신뢰성의 향상을 기대하였으며, 우선 In doped-ZTO 채널 층에 Cu와 CuCa 2at% source-drain을 적용한 TFT 특성을 확인하였다. 그 결과, Cu는 Field-effect mobility: ~17.67 cm2/Vs, Sub-threshold swing: 0.76 mV/decade 및 Vth:, 4.40 V의 결과가 얻어졌으며 CuCa 2at%의 경우 Field-effect mobility: ~17.84 cm2/Vs, Sub-threshold swing: 0.86 mV/decade 및 Vth:, 5.74 V의 결과가 얻어졌다. 소자신뢰성 측면에서도 Bias Stress의 변화량 ${\delta}Vth$의 경우 Cu : 4.48 V에 대해 CuCa 2at% : 2.81 V로 ${\delta}Vth$:1.67 V의 개선된 결과를 얻었다.

• Journal of IKEEE
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• v.23 no.3
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• pp.1038-1045
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• 2019

This paper describes high-speed duobinary transceiver design techniques which are widely used to increase data-rate despite limited channel bandwidth. At high data-rate, signal level is severely degraded as signal frequency becomes larger than the channel bandwidth. Mathematically, a duobinary signal has lower frequency components compared to a Non-Return-to-Zero signal for the same data-rate. Therefore, by using the duobinary signaling, the signal loss can be effectively reduced in physical channel environment as compared to the Non-Return-to-Zero signaling. The mathematical basis of duobinary signaling, and its applications to high-speed transceiver design are investigated in this paper.

• Journal of IKEEE
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• v.23 no.3
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• pp.1046-1053
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• 2019

In a multi-channel single-ended system, the far-end crosstalk (FEXT) due to mutual inductance and mutual capacitance between two adjacent channels critically limit the bandwidth. FEXT causes crosstalk-induced jitter (CIJ) and crosstalk-induced glitch (CIG) which leads to timing margin and voltage margin degradations, respectively. Therefore, FEXT must be compensated in order to increase eye opening and achieve high data-rate. It can be compensated in transmitter by controlling the timing of the data or reshaping the waveform of the signal. Also, FEXT can be compensated in receiver by generating mimicked FEXT using high-pass filter. In this paper, recent techniques to compensate FEXT are investigated, with discussions of their pros and cons.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.19 no.8
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• pp.1831-1838
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• 2015

In this paper, a method of implementing a communication network in ship, which exploits a powerline-based legacy-line communication system (LLC), is presented. We develop an inductive coupling unit and a multi-interface device to connect a data communication terminal to the powerline. As a result of operation tests for the ship under working, the implemented LLC shows a transmission rate of at least 25.8 Mbps in the distance of 200 m away with 100% success rate. Thus, the system can be a useful alternative to implement a communication network in ship without additional channels. Being easy to be implemented and supporting various interfaces for data communication, the presented system will be very effective when a real-time monitoring system is launched in future digital ship.