전형적인 컬퓨터보다 훨씬 강력한 계산 능력을 얻기 위해 병렬 컴퓨터 구조에 대한 많은 연가 진행되어 왔다. 이러한 컴퓨터들은 통상 상호 연결 네트워크(Interconnection Network)로 연결된 많은 수의 처리기들로 구성된다. 그중 중요한 한 부류가 초대규모 집적(Very Large Scale Integration) 또는 웨이퍼규모 집적(Wafer Scale Integration)을 이용한 셀룰러 병렬 처리기로 하나의 칩이나 웨이퍼에 단지 이웃으로만 연결된 많은 수의 단순 조를 가지는 처리기로 구성된다. 이런 셀룰러 병렬 처리기틀에 반드시 수반되는 문제가 재구현(Reconfiguration)으로 세가지 유형을 정의할 수 있는데 본 논문에서는 이 세가지 재구현 문제, 즉 결함 허용 재구현(Fault-Tolerant Reconfiguration), 기능적 재구현(Functional Reconfiguration), 그리고 통합 재구현(Integrated Reconfiguration)에 대하여 논하였다. 본 논문은 결함 진단 및 검출(Fault Detection and Fault Location) 제어 방법, 구성(Configuration) 제어방법, 재구현의 수행 단계 등 결함 허용 재구현과 기능적 재구현시 필요한 여러 고려 사항을 분석 정리하고, 최근 제기된 결함 허용 재구현과 기능적 재구현의 일체화 문제 즉 통합 재구현 문제의 이해에 핵심적인 결할 허용 재구현과 기능적 재구현 사이의 관계를 밝혔으며, 통합 재 구현에 적합한 결할 진단 및 검출 제어 방법과 구성제어 방법에 대하여 논하였다.
본 논문에서는 CSP(Chip Size Package)를 이용하여 정합소자 및 모든 바이어스소자, ESD(Electrostatic Dis-charge) 보호소자를 MMIC상에 완전집적한 K/Ka밴드 광대역 MMIC chip set에 관하여 보고한다. CSP에 대해서는 이방성 도전필름인 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 이용하였으며, 그 결과 MMIC 패키지 프로세스가 간략화 되었고, CSP MMIC의 저 가격화가 실현되었다. MMIC상에 집적하기 위한 DC 바이어스 용량소자로서는 고유전율의 $STO(SrTi_{3})$ 필름 커패시터가 이용되었으며, DC 피드소자와 ESD 보호소자로서는 LC 병렬회로가 사용되었다. 그리고, K/KA 밴드 광대역에 걸친 MMIC의 정합과 안정도를 위해서는 프리매칭회로와 RC 병렬회로가 이용되었으며, 제작된 CSP MMIC는 광대역(K/Ka) 밴드에서 양호한 RF 특성을 보였다. 본 논문은 K/Ka 밴드의 주파수 대역에 있어서의 완전집적화 CSP MMIC 칩셋에 관한 최초의 보고이다.
제조공정을 통해 생산된 화살의 성능은 화살의 이동궤적(궁사의 패러독스)과 탄착점의 집적도에 따라 좌우된다. 특히 동일한 환경에서 반복적으로 화살의 슈팅실험을 수행할 경우, 반복실험에서 얻어진 화살의 탄착점 집적도는 화살 성능 평가에서 중요한 객관적 지표가 된다. 그러나 화살의 탄착점에 대한 분석은 현재 상용화된 기술이 부족하며, 기존의 연구들은 화살의 성능에 영향을 미치는 제조공정 변수(화살깃, 화살촉, 화살의 곧기, 중량, 외경, 스파인)만을 최적화하려는 방향으로 기술력이 집중되어 있다. 본 논문에서는 화살의 주요성능지표인 화살의 탄착점 측정 자동화를 위해, Mamdani 퍼지 추론 시스템(Mamdani Fuzzy Inference System)과 도형의 닮음(Similarity of Polygon)을 이용한 화살의 탄착점 측정 시스템을 제안한다. 라인레이저(Line Laser)와 포토다이오드어레이(Photo Diode Array)를 이용하여 고속(약 275km/h)으로 이동하는 화살의 탄착점 데이터를 계측하고, 계측된 데이터를 퍼지 추론과 도형의 닮음을 이용하여 화살의 탄착점으로 사상(Mapping) 시킨다.
본 논문에서는 24GHz ISM 밴드(24-24.25GHz)에서 SIW를 이용한 SoS(System on Substrate)구현을 위한 제반 설계를 하고자하며 그 일환으로 SIW, 전환기 및 MPAA를 SoS형태로 동일 기판에 집적하여 그 특성을 분석하였다. 기판은 비유 전율이 3.48이고 두께가 20mil인 Rogers사의 Ro4350을 사용하였다. 최적 설계결과 길이 11.55mm의 SIW의 삽입손실은 0.32dB를 보였으며 $50{\Omega}$ 마이크로 스트립으로 신호전환 하는 데 0.19dB의 삽입손실이 발생하였다. SoS형태로 동일 기판에 집적된 MPAA의 특성은 단독 MPAA의 특성과 매우 유사했다. 그러나 집적된 MPAA는 단독 MPAA에 비해 이득 면에서는 SIW와 전환기의 삽입손실 만큼(0.58dB) 감소했으며 SLL은 0.7dB만큼 감소하였다. 반면에 대역폭은 670MHz에서 800MHz로 19.4%만큼 증가하였다.
본 논문에서는 커브형 집적영상 시스템에서 부분적으로 가려진 먼 거리 3차원 물체의 인식 향상을 위한 새로운 direct pixel-mapping (DPM)방법을 제안한다. 제안 방법은 커브형 집적영상 시스템에서 DPM 방법에 의해 먼 거리에 위치한 3차원 물체로부터 픽업된 요소영상배열 (elemental image array, EIA)은 가시적으로 가까운 거리에서 픽업한 것과 같은 새로운 요소영상배열을 생성한다. 이러한 특성은 재생한 3차원 물체 영상의 해상도를 향상 시킬 수 있고, 이로 인하여 먼 거리에 위치한 3차원 물체에 대한 인식 성능을 향상 시킬 수 있다. 컴퓨터적 실험결과와 기존 방법과의 비교를 통하여 제안방법으로 재생한 물체의 PSNR과 NCC의 값이 평균 1.75dB와 4.56% 향상됨을 확인할 수 있었다.
전자산업의 소형화와 경량화 추세에 맞추어 최근 집적 칩(IC)이나 패키지를 적층시키는 삼차원 집적화(3D integration) 기술 개발은 차세대 핵심기술로 중요시되고 있다. 본 연구에서는 삼차원 집적화 공정 기술 중 하나인 초박막 실리콘 웨이퍼 연삭(grinding)공정이 웨이퍼 표면에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. 실리콘 웨이퍼를 약 $30{\mu}m$과 $50{\mu}m$ 두께까지 연삭한 후, 미세연삭(fine grinding) 단계까지 처리된 시편을 건식 연마(dry polishing) 또는 습식 애칭(wet etching)으로 표면 처리된 시편들과 비교 분석하였다. 박막 웨이퍼 두께는 전계방시형 주사전자현미경과 적외선 분광기로 측정하였고, 표면 특성 분석을 위해선 표면주도(roughness), 표면손상(damage), 경도를 원자현미경, 투과정자현미경 그리고 나노인덴터(nano-indentor)를 이용하여 측정하였다. 표면 처리된 시편의 특성이 표면 처리되지 않은 시편보다 표면주도와 표면손상 등에서 현저히 우수함을 확인 할 수 있었으나, 경도의 경우 표면 처리의 유무에 관계없이 기존의 벌크(bulk)실리콘 웨이퍼와 오차범위 내에서 동일한 것으로 보였다.
집적 영상 기술은 잘 알려진 3D 영상 기록 및 디스플레이 기술이다. 집적 영상에서 사용되는 대용량 데이터는 3D 영상을 저장하고 전송하기 위한 압축 기법을 요구한다. 기존의 압축 방법에서는 동일한 기록 시스템을 사용한 다할 지라도 요소 영상의 데이터 크기가 3D 물체의 위치, 조명과 렌즈 배열 등의 다양한 기록 조건에 따라 크게 달라진다. 본 논문에서는 기록 조건에 따른 요소 영상 특성의 의존성을 줄이기 위하여 집적 영상에서 요소 영상의 분할 영역을 이용한 압축 기법이 제안된다. 제안된 기법은 각 3D 물체의 픽업 위치에 따른 요소 영상의 지역적 유사성을 고려하여 향상된 압축률을 보여준다. 제안된 기법의 효율성을 보이기 위하여, 다양한 요소 영상들이 픽업되었고 표준 MPEG-4를 이용하여 압축이 진행되었다. 실험을 통하여 제안된 압축 기법이 기존의 압축 방식에 비하여 9%의 압축률 향상을 보였다.
본 연구는 내실 있는 기업 유치를 증대시키기 위한 입지마케팅 정책을 수립하는데 적절한 함의를 제공할 목적으로 시도되었다. 구체적으로 본 연구는 충북지역의 기업체를 대상으로 기업의 입지환경수준을 기초자치단체의 지원정책, 광역자치단체의 지원정책, 중앙정부의 지원정책 등의 '지원정책요인', 동종 혹은 관련 산업의 집적, 풍부한 판매시장, 개방적 혁신적인 산업분위기, 대학, 연구소 등의 다양한 혁신기관의 집적 등의 '집적요인', 양호한 정보 통신망, 공항, 철도, 고속도로 등의 광역교통망과의 근접성, 저렴한 지가 혹은 임대료 등의 '입지기반요인' 등 세 가지로 구분하여 분석하였다. 이러한 기업의 입지환경수준을 세 가지 요인으로 구분하여 기업규모에 미치는 영향은 어떻게 존재하는 지에 대하여 실증적인 분석을 했다. 기업성장을 촉진시킬 수 있는 입지환경의 역할이 중요한 현실 하에서 입지환경수준과 기업규모의 관계를 분석하는 것은 중요하다고 할 수 있다. 이러한 연구결과는 기업에게 가장 적합한 입지마케팅 정책을 수립하고 방향을 설정하는데 도움을 제공할 수 있을 것이다.
본 연구의 목적은 국내 광고산업의 집적 특성과 광고제작의 공간적 네트워크를 고찰하는 것이다. 광고산업은 다른 비즈니스 서비스와 마찬가지로 서울의 집중도가 높기 때문에 서울 내에서의 집적 특성을 중점적으로 분석하였다. 업종별 종사자수의 지역별 비중과 더불어 로컬 모란 I와 입지계수 방법이 분석에 이용되었다. 광고산업의 강남지역 집중이 두드러지게 나타나는데, 이것은 신생 기업들의 강남지역 지향 입지와 국내 진입 외국계 광고대행사의 강남지역 선호와 관련이 있다. 또한 네트워크 분석 방법을 이용해 TV광고 제작의 공간적 네트워크를 분석했다. 광고대행사-광고제작사 네트워크 매트릭스를 구축하고, 이를 지역 매트릭스로 변환한 후, 중심성 분석과 중개 분석을 통해 광고제작의 공간적 네트워크를 고찰하였다. 이를 통해 강남 세부지역의 상이한 역할과 지위를 알 수 있는데, 강남지역 내부와 외부의 광고대행사들이 강남지역에 있는 광고제작사에 대부분의 광고제작을 아웃소싱하고 있다. 이러한 분석을 통해 광고산업이 강남지역이 광고제작의 목적지로서 뿐 아니라 강남지역에서 광고제작 네트워크가 순환되고 있음을 알 수 있다.
0.25$\mu\textrm{m}$이하의 최소선폭을 같는 초고집적회로에 사용할 수 있는 구리박막의 형성기술 을 조사하였다. 본 실험에서는 측면박막 형성에 적합한 화학적 증착을 시도하였으며 (hfac)Cu(VTMS)(hexafluoroacetylacetonate vinyltrimethylisilane copper(I))로 명명된 금속 유기 화합물을 원료로 사용하였다. 구리박막의 형성은 TiN와 $SiO_2$모재 위에 이루어 졌으며, 형성 중에 모재의 온도와 증착용기 내 압력의 함수로서 집적회로 공정상 주요 변수인 박막 의 비저항, 박막의 증착선택도를 측정하였다. 구리박막은 모재온도 $180^{\circ}C$와 증착용기의 압력 0.6Torr의 조건에서 가장 좋은 전기적 성질을 보여 주었다. 이 조건에서 형성된 구리박막은 다결정 구조를 나타내었으며 구리박막의 증착속도는 120nm/min, 비저항은 0.25$mu \Omega$.cm, 평균거칠기는 15.5nm로서 0.25$\mu\textrm{m}$이하 선폭의 집적회로에서 요구되는 전기적, 재료적 사양에 근접한 구리박막을 얻었다. 또한 140-$250^{\circ}C$의 모재 온도 범위에서 TiN모재와 $SiO_2$모재 사 이에 뚜렸한 증착선택성이 관측되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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