집적회로에서 발생되는 열은 회로의 불안정한 동작을 야기하여 시스템의 기능을 저하시키므로 동작중인 집적회로를 일정온도 이하로 유지 할 수 있는 장치가 요구된다. 현재 사용되는 방열 시스템은 대부분이 크기가 큰 공냉식이며 Heat sink의 크기로 인해 수냉식의 방열 시스템 역시 그 크기가 칩의 크기보다 매우 크다. 본 논문에서는 드라이 필름 레지스터를 사용하여 짧은 제작 기간과 적은 비용으로 Master를 제작하였다. 이 Master를 사용한 Replication 공정을 이용하여 칩의 패키지내에 삽입될 수 있는 Polymer Heat Exchanger를 제작하였다.
기억소자의 발달은 진공관식 기억소자로부터 cathode ray tube식 기억소자, magnetic core 기억소자를 거쳐 monolitic 반도체 기억소자로 이어진다. 반도체 기억소자는 planar bipolar transistor를 이용한 기억소자가 처음 소개 되었으나, 고집적 기억소자의 기초를 마련한 것은 MOS DRAM의 효시인 Intel의 1Kb DRAM(1971년)인 것이다. 약 20년 후인 1990년에는 4M DRAM의 양산과 16M DRAM의 개발 완료가 이룩되었으며, 이는 약 10만배의 집적도의 증가를 의미한다. 여기서 우리는 DRAM의 발전과정을 공정, 설계, 제품의 기술적 측면과 전략적 측면에서 고찰하고 앞으로의 전망을 예측해 보고자 한다.
본 연구에서는 고밀도로 백색 발광다이오드를 웨이퍼 상에 제작하기 위한 제조공정에 필요한 포토마스크를 제작하는 연구를 수행하였다. 발광다이오드 한 개의 패턴을 웨이퍼상에 연속적으로 배열하여 이를 병렬로 연결하는 금속배선을 고려하였다. AutoCAD의 DWG 파일로 캐드작업을 수행하여 이를 DXF 파일로 변환하였으며, 레이저빔으로 스켄하여 소다라임 유리판 위에 크롬을 식각함으로써 포토마스크를 제작하였다. 이는 기존에 제작된 개별칩 형태의 발광다이오드 제작공정을 집적공정화함으로써 웨이퍼상에서 전면 발광하는 조명광원의 구조를 갖는다. 또한 이를 활용하여 백색 발광다이오드 집적칩을 제작하려 한다.
실리콘 반도체 칩 가공기술의 미세화는 40년에 걸쳐 전자기기 진보에 큰 공헌을 할 수 있었다. 절반간격(Half Pitch)이라는 최소 패턴크기로 좁아지고 있다. 회로패턴을 평면적으로뿐만 아니라 집적도를 올리는 3차원 실장기술이 중요시 되었다. 종래칩 표면에만 존재했던 접속용 전극을 표면과 뒷면에 붙여 칩을 관통하는 미세실리콘 관통전극(TSV; Through Silicon Via)제조기술로써 TSV는 한계의 반도체기술을 극복하여 한층 더 크게 발전할 가능성을 비추고 있다.
고리 3호기 원자로를 대상으로 압력용기에서의 고속중성자 집적량을 계산하였다. 수송계산에는 2차원 각분할 수송코드인 DOT 4.3을 사용하였고 핵단면적 라이브러리는 ENDF /B-II와 ENDF /B-III를 근거로 한 CASK와 ENDF /B-IV를 근거로 한 BUGLE80, 고리고 ENDF /B-Ⅵ를 근거로 한BUGLE93 등이다. 사용한 핵단면적에 따른 압력용기에서의 고속중성자속 분포를 살펴보고 최근에 배포된 BUGLE93 라이브러리의 Dosimeter File을 사용하여 1, 2차 감시시험에서 측정된 중성자 측정시료의 방사능으로부터 계산된 고속중성자속 측정치를 계산된 고속중성자속과 비교하였다. 이 비교를 통하여 압력용기에서의 고속중성자속과 수명기간동안의 고속중성자 집적량을 평가하였다.
한국광학회 1989년도 제4회 파동 및 레이저 학술발표회 4th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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pp.185-192
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1989
It is shown that GaAs/GaAs stripe Roof-Top-Reflector LD is better than cleaved mirror LD by numerical analysis. And surface light emitting device is developed by LPE melt-back growth, which is of good controllability for OEIC. OEIC transmitter using RTR LD structured device and FET has been made and modulated, expected to show good modulation characteristics after solving process problem. Beam-Lead LD mounted on Si carrier has been made and shows low heat-resistance and so long life and good characteristics of LD.
자체집광(Self-focusing)현상은 매우 높은 집적도를 가지는 광기록매체의 제작에 응용 가능하기 때문에 많은 연구자들에 의해 광범위하게 연구되어왔다. 그동안의 연구에서는 자체집광에 대한 분석방법으로서 빛살의 벡터특성을 무시한 비선형 슈뢰딩거 방정식(nonlinear Schr dinger equation)을 이용하였는데, 이 경우 축상으로 대칭적인 빛살이 입사될 때 발생되는 다중 필라멘테이션(Multiple Filamentation)현상은 입사빛살에 첨가되는 random noise에 기인한다는 것이 유일한 해석방법이었다. (중략)
고밀도 광집적회로의 광도파로는 단일모드 광섬유와 굴절률의 차이 및 코어 크기에 의해 모드 부정합 문제가 존재한다. 본 논문은 이러한 모드 부정합 문제를 해결할 수 있는 모드 크기 변환기를 설계 하고 3-D Beam Propagation Method (BPM)을 이용하여 분석하였다. 모드 크기 변환기술에는 마이크로 렌즈, 테이퍼 광섬유, 렌즈화 광섬유가 사용되고 있으나 이는 패키징 가격이 높으며 광섬유와의 정렬 문제가 존재하므로, 집적된 실리콘 기판위에 제작하는 모드 크기 변환기에 대한 연구가 다각도에서 시도되고 있다. (중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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