국가혁신체계로서 클러스터의 중요성과 더불어, 향후의 방향에 대해 논하고자 한다. 본 연구의 목적은 클러스터의 지역, 산업, 정책적인 특성을 파악하여서 미래의 발전방향을 파악해보기 위한 것이다. 일반적으로 클러스터는 지역적으로, 산업적으로 확산되는 가운데, 정책적 지원을 통한 성장을 기대하고 있다. 지역, 산업, 정책 클러스터로 구분하여 살펴본 결과, 지역 및 산업 간의 연결과 정책적 촉진(facilitate)은 불가피한 것으로 나타났다. 다만 정책은 클러스터의 진화에 필요한 합리적이고 객관적인 기준설정에 의해 실행되어야 하고, 궁극적으로 시장의 자율적 역할이 극대화되는 방향으로 전개되어야 할 필요성이 존재하고 있다. 따라서 클러스터 진화과정에서 시장의 자율 즉 새로운 비즈니스에 대한 시장의 엄격한 평가가 진행될 수 있도록 진화시키는 것이 중요하다고 하겠다.
본 고에서는 최근 컴퓨터 비전 분야에서 가장 활발히 연구되고 있는 분야 중에 하나인 자가 학습(Self-supervised Learning) 기술의 동향과 향후 방향성에 대해서 논의한다. 컴퓨터 비전 분야에서의 자가 학습 기술은 최근에 Contrastive Learning 기법을 활용하여 활발하게 연구되고 있는데, 이를 위한 좋은 Positive와 Negative를 어떻게 추출할까에 대한 고민으로 수많은 연구들이 진행되어 왔다. 본 고에서는 이러한 방향성에서 대표적인 몇 가지의 방법론에 대해서 논의하고 이의 한계점을 언급하며 컴퓨터 비전 분야에서 자가 학습 기법이 가야 할 방향성에 대해서 논의하고자 한다.
단일 결정의 Ge 박막은 0.67 eV의 작은 밴드갭을 가지고 있기에 장파장의 빛을 흡수하기 위한 목적으로 태양전지 분야에서 집중적인 연구가 진행되어지고 있다. 또한, Si에 비하여 높은 전하 이동도를 가지고 있기에 박막 트랜지스터로의 응용 연구들이 진행되고 있는 중이다. 전자 소자로써 큰 효과를 가지고 오기 위해서는 양질의 Ge 결정박막을 성장하여야 한다. 이를 위하여 다양한 공정 방법으로 Ge 박막의 결정성 향상에 대한 연구들을 진행하고 있다. 그중 본 연구에서는 ICP-assisted DC sputtering 방법을 이용하여 저온(${\sim}230^{\circ}C$) Ge 박막 결정성장에 대한 연구를 진행하였다. Ge 박막을 유리기판(Eagle 2000) 위에 증착하였으며, $6{\times}10^{-6}$ Torr 이하의 기본 압력에서 공정을 진행하였다. 7 mTorr의 Ar 분위기에서 타겟에 인가되는 전압 및 전류를 변화 시키며 Ge 박막 증착에 미치는 영향에 대해서 연구를 진행하였다. 기본적인 DC sputtering 방법을 이용하여 박막을 증착하였을 경우 증착한 모든 샘플에서 결정성을 확인하였으며, 낮은 전압에서도 결정화가 일어나는 것을 확인 할 수 있었다. 또한 전압을 증가시켜도 결정화 정도가 일정하게 유지됨을 확인 할 수 있었다. 다만 이 경우에는 결정의 방향이 랜덤하게 형성되었으며, DC sputtering 방법을 이용하여 저온에서 공정을 진행하였기에 박막은 수십 nm의 columnar grain을 형성하였다. ICP를 이용한 DC sputtering 방법을 이용하여 박막을 증착 하였을 경우, 일정 전압 이하에서는 비정질의 Ge 박막이 균일하게 형성됨을 확인 할 수 있었으며, 이후 결정화 정도가 타겟에 인가되는 전압에 비례하여 증가하였다. 또한, 이때 증착된 Ge 박막은 단일 결정으로 형성되었음을 확인 할 수 있었다. 이는 박막 성장시 ICP에 의해서 생성된 Ar 이온이 표면으로 가속화됨으로 인하여 Ge 박막 표면에서 channeling 효과가 나타남으로 인하여 <110> 방향으로 결정이 정열된 것으로 보인다.
장애 극복, 중복, 부하 분산, 서비스 비용, 정책 등의 이유로, IPv6에서 멀티홈(Multi-homing)을 지원하는 연구들이 진행 중이다. 본 논문에서는 현재 진행 중인 멀티홈 지원 방안들을 살펴보고, 특히 이름과 위치 정보를 분리하는 방향으로 진행 중인 연구들 중 대표적인 HIP와 Shim의 방안을 비교한다.
현재 a-Si TFT는 평판 디스플레이 소자로서 주로 사용되고 있으나 점차 고속응답속도 특성, 고화질이 요구됨에 따라 높은 전계효과 이동도를 가진 poly-Si TFT로 대체하기 위한 연구가 진행되고 있으며 특히 poly-Si TFT를 상용 유리 기판에 적용하기 위해 비정질 실리콘의 저온 결정화에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 본 연구에서는 극박막의 Ni을 선택적으로 증착하여 전계 유도방향성 결정화 (Field Aided Lateral Crystallization : FALC) 공정을 이용하여 결정화를 진행하였으며 전계를 인가하지 않은 경우와 전계를 인가한 경우, 전계 세기에 따른 결정화에 대하여 비교하였다.
내연기관의 열전달은 구조물에 따라 흡기계통, 연소실, 배기계통으로 나누어지고, 열전달기구에 따라 전도, 대류, 복사로 나누어지며, 여기서는 그중 가장 핵심이 되는 연소실 내에서의 대류 및 복사 열전달 현상에 관하여 논하고자 한다. 연소실 열전달의 정량적 해석을 위해서는 흡기계통과 피스톤 운동에 의한 3차원 압축성 난류 유동장과 점화, 착화 및 연소 진행과정, 이들의 복합적 상호 작용에 대한 이해가 선행되어야 한다. 여기서는 현재까지 제시된 연소실 열전달의 정량적 모델과 문제점,앞으로의 연구 진행방향에 대해 소개하고자 한다.
MPEG-4 표준은 초기에는 낮은 비트율의 영상 통신을 지원하였으나, 표준화 작업이 진행 되면서 스튜디오 프로파일(Studio Profile)과 같이 높은 비트율의 고화질 영상의 압축 전송을 포함하고 있다. 본 논문에서는 현재까지 진행된 MPEG-4 스튜디오 프로파일의 표준화 진행 상황을 살펴보고, 그 성능을 개선할 수 있는 방향을 제안한다.
한국광학회 1991년도 제6회 파동 및 레이저 학술발표회 Prodeedings of 6th Conference on Waves and Lasers
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pp.185-189
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1991
GaAs Schottky 접촉 전송선을 전극으로 하는 진행파형 광변조기의 특성이 분석되었다. 초고주파의 전파특성은 quasi-TEM 모델에 의해 분석되었으며, 고유치 방법과 유효 굴절율법을 결합하여 광파의 전파특성을 분석하였다. 또한 이를 통해 Schottky 접촉 전송선 및 광도파로의 기하학적 변수에 따라 진행파형 광변조기의 성능지수를 계산함으로써 최적 설계조건을 계산하였다.
최근 통로를 지나가는 사람을 계수하거나 특정 공간 내 사람이 몇 명 있는지를 계수하는 시스템에 관한 연구가 활발하게 진행 중이다. 기존의 인원 계수 시스템은 기둥 혹은 벽 주변에만 설치 가능한 적외선, 초음파, 카메라 등을 이용하여 인원을 계수하였다. 적외선, 초음파의 경우, 가격은 싸지만 다수의 보행자가 동시에 들어오는 상황이 발생할 경우 출입을 감지하기에는 적합하지 않다. 본 논문에서는 이러한 단점을 보완하기 위해 압전 센서를 이용하여 센서매트를 설계하였다. 또한, 보행자의 진행방향을 파악하고, 방향에 따라 인원을 계수할 수 있는 시스템을 구현하였다. 센서 매트는 보행자가 센서 매트 위로 걸어 갈 때 센서에 감지된 압력과 시간을 통해 방향성을 파악하고 지나가는 보행자의 수를 파악하여 준다.
산업의 급격한 발전은 화석에너지의 고갈을 야기하였고, 이러한 이유로 화석연료를 대체하기 위한 에너지로 태양광에너지가 각광받기 시작하였다. 하지만 기술발전에 있어 전체적인 연구방향 및 향후 연구 방향에 대한 논의가 부족하였다. 이에 보다 효과적인 기술개발을 위해 특허 데이터와 논문 데이터를 활용하여 태양광 에너지의 기술 동향을 파악하고 논의를 진행하였다. 분석방법으로는 토픽 모델링과 텍스트 마이닝을 활용하여 1997년도부터 2015년까지의 데이터를 토대로 기술 동향과 연구의 방향성에 대하여 분석한다. LDA알고리즘을 통하여 토픽을 선정하고, 선정된 기술 범주에 포함된 키워드의 증가량을 살펴보고, 태양광 기술의 발전방향에 대하여 분석하였다. 태양광 발전 기술에 대한 연구는 꾸준히 진행될 것으로 예상되며, 특히 고효율화 및 고성능화 기술에 대하여 집중적으로 연구가 이루어질 것으로 분석된다. 향후 연구로는 해외의 특허데이터와 다양한 논문데이터를 추가하여 연구를 진행할 수 있을 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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