• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.366-366
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• 2013

건식 박막증착 공정인 플라즈마 중합법을 이용하여 유기 재료인 Styrene을 절연 박막으로 제작하였다. 플라즈마 중합된 Styrene (ppS) 절연 박막의 정밀한 공정 제어를 위해 bubbler와 circulator를 이용하여 습식 공정과 비교하여도 절연 특성이 뛰어난 pps 절연 박막을 증착하고, 이를 활용하여 gate 전극으로 ITO, insulator layer로 pps, floating gate로 Au, tunneling layer로 ppMMA와 pps, semiconductor로 Pentacene, source/drain 전극으로 Au를 사용한 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. ppMMA와 pps의 서로 다른 tunneling layer의 두께 변화에 따른 비휘발성 메모리 특성 변화를 연구하였다.

• 한국진공학회지
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• 제7권3호
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• pp.229-236
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• 1998

본 논문에서는 건식중합법에 속하는 진공증착 중합법을 이용하여 내열 절연성 박막 을 제작하고 열경화 온도에 따른 박막의 물성과 전기적 특성에 대해 연구하였다. hexafluoroisopropyliden-2,2-bis[phthalicanhydride](6FDA)와 4,4'-diamino diphenyl ether (DDE) 단량체를 화학량론적으로 최적의 온도인 $214^{\circ}C$, $137^{\circ}C$부분에서 같은 증발율을 보일 때 폴리이미드를 형성하였다. 진공증착 중합된 박막은 열경화에 의해 이미드특성 피이크가 증가되며, 폴리아믹산의 형태에서 폴리이미드 형태로 축중합되어짐을 알 수 있었다. 열경화 온도가 증가함에 따라 박막의 두께는 감소되고 굴절율은 증가된다. 열경화 온도가 $300^{\circ}C$인 경우 최적임을 알았고, 이 온도에서 열경화 시킨 폴리이미드의 전기적 특성에서 100Hz~ 200kHz주파수에서는 3.7의 비유전율을 나타내었고, 유전정접은 0.008의 낮은 값을 보였다. 또한, 30~에서 약1.05$\times$1015$\Omega$cm의 저항율을 보였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권5호
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• pp.340-346
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• 1998

In this study, we intended to investigate aging effect of polyimide prepared by VDPD(vapor deposition polymerized method). The prepared polymide was treated by the oxygen and argon gas plasma. And we evaluated the polyimide treated by plasma from contact angle, surface leakage current, FT-IR and SEM. We know that the structure of polyimide at surface are changed to amide structure by plasma treating. It seems that strong energy of plasma causes breaking the molecular chin of the polyimide. And surface roughness increases with plasma treating time increased and sequentially the wettability and leakage current increases.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권8호
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• pp.776-782
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• 1996

The electrical properties of vapor deposition polymerized polymide thin films for getting an in-line system with manufacturing process of semiconductor device, have been studied. Polyimide thin films fabricated by vapor deposition polymerization(VDP) method based on PMDA and 4,4'-DDE monomer were confirmed by FT-IR spectra. It is found that the major conduction carriers of thin films are ions, and the hopping length of ions is almost same with monomer length at the temperature over 120.deg. C through the analysis of electrical conduction mechanism. Also, The activation energy is about 0.69 eV at the temperature of >$30^{\circ}C$ - >$150^{\circ}C$ and it is shown that the resistivity at which thin films can be used as an insulating film between layers of semiconductor device, is 3.2*10$^{15}$ .ohm.cm.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제10권3호
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• pp.3-9
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• 1996

PMDA와 4,4'-DDE 단량체를 이용하여 진공증착중합법으로 기판온도를 변화시키면서 제조한 폴리이미드 박막을 TGA(Thermogravimetry Analyzer)로 내열특성을 조사하였다. 박막 제조시 기판온도의 증가에 따라 증착율이 감소함을 알 수 있었으며, 기판온도가 7$0^{\circ}C$ 이상 일때는 중합이 이루어지지 않아 폴리이미드라고 할 수 없었다. TG곡선으로부터 구한 5%중량 감소온도($T_{TG}$)는 기판온도가 $20^{\circ}$, $40^{\circ}$, $70^{\circ}$일때는 $565^{\circ}$, $397^{\circ}$, $210^{\circ}$이었다. 따라서 $20^{\circ}$와 $40^{\circ}$에서 제조한 박막이 20,000시간 동안 견딜 수 있는 온도는 각각 $230^{\circ}$와 $200^{\circ}$임을 예측할 수 있었다.

• 전자공학회논문지T
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• 제36T권3호
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• pp.19-25
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• 1999

플라즈마 중합법과 dip-coating법에 의해 이층형 유기 감광체를 제조하였다. 알루미늄 기판위에 장벽 층으로 Al₂O₃막을 만들었고, 전하 생성층으로 H₂ phthalocyanine(H₂Pc)를, 전하 수송층으로는 Poly 9-Vinylcarbazole을 채택하여 CGL/CTL의 이층 구조가 되도록 하였다. 플라즈마 중합법과 진공 증착법에 의해 각각 H₂ phthalocyanine 박막을 제조하여 흡광 특성을 검토한 결과 진공 증착막의 경우 613.6[nm]와 694.8[㎚]에서 흡수 피크가 관찰되었으나 플라즈마 중합막에서는 600-700[㎚]사이에서 완만한 피크가 관찰되었다. PVCz막의 표면전위는 인가한 코로나 방전 전압과 PVCz의 두께가 증가함에 따라 증가하였고, 암 감 쇠 특성과 광 감쇠 시간 그리고 잔류 시간도 PVCz의 두께의 증가와 함께 증가하였다. 15[㎛] 두께의 PVCz의 표면 전하량을 계산한 결과, 인가 전위 -600[V]에서 134[nc/㎠]이었으며 H₂Pc의 전하 생성 효율은 0.034이었다.

• 한국진공학회지
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• 제20권5호
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• pp.327-332
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• 2011

ITO가 코팅된 유리 기판 위에 플라즈마 중합법으로 styrene 고분자 박막을 제작하고 상부 전극을 진공 열증착법으로 제작된 Au 박막으로 한 MIM (metal-insulator-metal) 소자를 제작하였다. 또한, 플라즈마 중합된 styrene 고분자 박막을 유기 절연박막으로 하고 진공열증착법으로 pentacene 유기반도체 박막을 제작하여 유기 MIS (metal-insulator-semiconductor) 소자를 제작하였다. 플라즈마 중합법으로 제작된 styrene (ppS; plasma polymerized styrene) 고분자 박막은 styrene 단량체(모노머) 고유의 특성을 유지하면서 고분자 박막을 형성함을 확인하였으며, 통상적인 중합법으로 제작된 고분자 박막 대비 k=3.7의 높은 유전상수 값을 보였다. MIM 및 MIS 소자의 I-V 및 C-V 측정을 통하여 ppS 고분자 박막은 전계강도 $1MVcm^{-1}$에서 전류밀도 $1{\times}10^{-8}Acm^{-2}$ 수준의 낮은 누설전류를 보이고 히스테리시스가 거의 없는 우수한 절연체 박막임이 판명되었다. 결과적으로 유기박막 트랜지스터 및 유기 메모리 등 플렉서블 유기전자소자용 절연체 박막으로의 응용이 기대된다.

• 한국진공학회지
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• 제21권6호
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• pp.354-361
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• 2012

유기 메모리 절연막 제작을 위해 일반적으로 사용되어지는 습식법이 아닌 건식법 중 플라즈마 중합법을 이용하였다. 유기 절연 박막으로 사용된 단량체는 Styrene과 MMA을 사용하고, 터널링 박막은 MMA를 사용하며, 메모리 박막은 열기상증착법을 이용한 Au 박막을 사용하였다. 최적화된 소자의 구조는 Au의 메모리층의 두께를 7 nm, Styrene 게이트 절연막의 두께를 400 nm, MMA 터널링 박막의 두께를 30 nm로 증착하여 제작된 부동 게이트형 유기 메모리 소자는 40/-40 V의 double sweep시 27 V의 히스테리시스 전압을 얻을 수 있었다. 이 특성을 기준하여 유기 메모리의 전하 포집 특성을 얻을 수 있었다. 유기 재료 중 MMA 대비 Styrene의 전하 포집 특성이 좋은 것으로 보아 향후 부동 게이트인 Au 박막을 유기 재료인 Styrene으로 대체하여 플렉시블 소자의 가능성을 기대한다.

• 전자공학회논문지T
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• 제36T권2호
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• pp.1-7
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• 1999

본 연구는 진공증착중합법에 의해 폴리이미드를 제작하고 박막의 절연파괴특성을 자기절연회복법에 의해 측정하였다. PMDA(Pyromellitic dianhydride)와 DDE(4,4'-diaminodiphenyl ether)를 증착 중합하여 Polyamic-acid(PAA)를 형성하고 이를 열처리함으로서 폴리이미드를 제조하였다. 제조된 박막의 특성을 조사하기 위해 주사형 전자현미경(SEM), 적외선분광장치(FT-IR) 및 오저전자분광장치(AES)를 사용하였다. 절연파괴특성 실험은 동일 시료에서 50회를 반복하였으며 25회 이상에서 절연파괴전계는 포화되었다. 열처리 온도를 200${^\circ}C$, 250$^{\circ}C$, 300$^{\circ}C$ 및 350${^\circ}C$로 변화했을 때 절연파괴전계는 1.21MV/cm, 3.94MV/cm, 4.61MV/cm, 4.55MV/cm로 변화하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1997년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.293-296
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• 1997

The experimental system used for vapor deposition polymerization (VDP) from PMDA (Pyromellitic dianhydride) and DDE (4, 4-diaminodiphenyl ether) were changed to PI (polyimide) thin films by thermal curing. The curing temperatures were 20$0^{\circ}C$, 25$0^{\circ}C$, 30$0^{\circ}C$, 35$0^{\circ}C$. When test number was 40, the electric breakdown strengths of PI were 1.21MV/cm, 3.94MV/cm, 4.61MV/cm, 4.55MV/cm according to curing temperatures.