• Journal of Navigation and Port Research
• /
• v.39 no.4
• /
• pp.345-351
• /
• 2015

This study investigated the optimum depth for the application of bioremediation in contaminated coastal sediment using a lab scale column experiment. The biostimulants were placed in the top surface of the sediment facing seawater, 3cm, 6cm and 10cm of the depth from the surface, respectibely. During the experiment, the changes of organic pollutants and heavy metal fractions in the sediment were monitored in 1 month and 3month time intervals. The organic pollutants found during various analysis such as chemical oxygen demand, total solids and volatile solids, significantly reduced when the depth of the biostimulant was 3cm or less. In contrast, at a depth of over 6cm, the reduction of organic pollutants decreased, and the results were similar to the control. Heavy metals fractions in the sediment also changed with the depth of the biostimulants. The exchangeable fraction of the metals was quite reduced at the sediment surface in the column, but the organic bound and residual fractions considerably increased at a depth of 3cm. Based on this study, the optimum biostimulants depth for in-situ bioremediation of contaminant coastal sediment is 3cm from the sediment surface.

• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.12 no.3
• /
• pp.162-167
• /
• 2003

To find the concentration according to the depth-direction of ions implanted in the sample, with sputtering of the sample surface, one needs the depth profiling of ion implanted in the sample. On measuring of depth profiling, the sputtering rate to affect depth direction, is calculated by SRIM simulation. When ion is implanted in the sample, the atomic density of the sample rises up a little, and it alters sputtering yield. This alteration then causes differences of sputtering rate to affect depth-direction, on measuring of depth profiling. With the usage of SRIM Monte Carlo simulation code, one calculates sputtering rate, with sputtering yield by the alteration of atomic density of the sample through ion implantation. As a result, it goes to prove that its difference affects depth distribution, on measuring of depth profiling.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.38 no.2
• /
• pp.9-9
• /
• 2001

Nano-scale의 게이트 길이를 가지는 MOSFET소자는 접합 깊이가 20∼30㎚정도로 매우 얕은 소스/드레인 확장 영역을 필요로 한다. 본 연구에서는 $As₂^ +$ 이온의 10keV이하의 낮은 에너지 이온 주입과 RTA(rapid thermal annealing)공정을 적용하여 20㎚이하의 얕은 접합 깊이와 1.O㏀/□ 이하의 낮은 면저항 값을 가지는 $n ^+$-p접합을 구현 하였다. 이렇게 형성된 $n^ +$-p 접합을 nano-scale MOSFET소자 제작에 적용 시켜서 70㎚의 게이트 길이를 가지는 NMOSFET을 제작하였다. 소스/드레인 확장 영역을 $As₂^ +$ 5keV의 이온 주입으로 형성한 100㎚의 게이트 길이를 가지는 NMOSFET의 경우, 60mV의 낮은 $V_ T$(문턱 전압감소) 와 87.2㎷의 DIBL (drain induced barrier lowering) 특성을 확인하였다. $10^20$$㎝^ -3$이상의 도핑 농도를 가진 abrupt한 20㎚급의 얕은 접합, 그리고 이러한 접합이 적용된 NMOSFET소자의 전기적 특성들은 As₂/sup +/의 낮은 에너지의 이온 주입 기술이 nano-scale NMOSFET소자 제작에 적용될 수 있다는 것을 제시한다.

• The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
• /
• v.13 no.3
• /
• pp.226-234
• /
• 2020

As the average life expectancy of human beings is extended in addition to the entry of the aging society, there is a tendency for the interest in the appearance of men and women in modern society to increase. The most external judgment of human aging is the wrinkles on the facial skin. People are undergoing various procedures to have clean, wrinkled, and resilient healthy skin. Many thread lifting procedures are being implemented because they tend to want simple and effective procedures during the procedure. In this study, in order to improve lifting effect in thread lifting, animal experiments were conducted to confirm the improvement of wrinkles by injecting RF high frequency and CO₂ gas into existing PDO suture procedures. The experimental groups consisted of natural aging groups, PDO treatment groups, groups with RF high frequency in PDO procedures, groups with CO₂ gas injected into PDO procedures, and groups with CO₂ gas and RF injected simultaneously into PDO procedures. The individuals in the natural aging group had an average wrinkle depth of 0.408mm before the procedure, and the average wrinkle depth of the 10th week was 0.68mm. The depth of wrinkles in the PDO treatment group averaged 0.384mm before the procedure, and 0.348mm on the 10th week after the procedure. The average crease depth of pre-procedure objects injected with RF high frequency in PDO was 0.42mm, and the average crease depth for 10 weeks was 0.378mm. The average crease depth of the CO₂ gas injected into the PDO was 0.4mm before the procedure, and the average crease depth was reduced to 0.332mm in the 10th week after the procedure. On average, the number of objects injected with CO₂ gas and RF high frequency in the PDO procedure decreased to 0.412mm before and 0.338mm in the 10th week after the procedure. The procedure of injecting CO₂ gas and RF into the PDO suture showed the highest reduction rate of 17.96%.

• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.3 no.3
• /
• pp.341-345
• /
• 1994

As+ 와 P+ 이온들이 주입된 실리콘에서 주입 이온들의 확산 및 실리콘의 재결정화에 열처리가 미치는 영향에 대해서 조사하였다, 여기서 이온 주입량은 실리콘 표면영역을 비정질화하기에 충분한 양 이었다. 이온 주입 시실리콘 내부에 생성된 손상들을 제거하기 위해 온도와 시간을 변화시켜 가며 시편 을 전기로 속에서 열처리하였다. 그러나 이때 야기된 도우펀트들의 과도적인 확산에 의해서 접합깊이는 예측한 것보다 더욱 깊은 곳에서 나타나다. 이러한 과도적인 확산은 주로 이온 주입으로 인해 야기된 시편들이 손상들을 제거하기 위한 열처리 과정동안 일어난 것으로 생각된다. 이것은 SIMS와 SUPREM IV simulation 에 의해서 확인할 수 가 있었다. As+ 와 P+ 이온이 주입된 실리콘의 결정성 회복을 Raman 분광법을 이용하여 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 1999.07a
• /
• pp.219-219
• /
• 1999

플라즈마 이온 주입은 진공 chamber 내에 주입하려는 이온이 포함된 플라즈마를 발생시킨 후 처리하고자 하는 시편에 negative high voltage pulse를 인가함으로써 시편 주위에 형성되어 있는 이온들을 시편에 주입하는 방법이다. 이러한 플라즈마 이온 주입 방법은 금속의 내마모성, 내부식성, 강도 및 경도를 증가시키고, 고분자 화합물의 표면 개질에 있어서 친수성 또는 소수성과 같은 표면 처리를 쉽고 간단하게 처리할 수 있다. 그리고 반도체 공정의 shallow junction doping을 효과적으로 처리할 수 있으며 특히, 대면적의 시편에 균일하게 이온을 주입할 수 있다. 플라즈마 이온 주입 방법에서 중요한 요소는 dose, 즉 이온 주입한 양과 처리하려는 시편에 주입되는 이온의 에너지이다. 여기서, 플라즈마내에 생성된 이온들의 비율을 정확히 안다면 시편에 주입되는 이온의 양과 주입되는 이온의 에너지를 충분히 예견할 수 있다. 질소 플라즈마의 경우에는 N+와 N2+가 생성되므로, 시편에 주입된 질소 이온의 실질적인 이온당 질소 원자수는 1$\times$N+% + 2$\times$N+%가 되고, N2+의 경우는 N+ 주입 에너지의 1/2 로 시편내에 주입되게 된다. 또한 질소 플라즈마의 경우 N2+ 이온이 상대적으로 N+이온보다 많다면 N+가 많은 경우보다 이온 주입 깊이는 얕아지게 된다. 본 실험에서는 Dycor M-100 residual gas analyzer와 potical emission spectrometer (Ocean Optics SQ 2000)를 사용하여 압력과 RF power를 변화시키며 플라즈마내에 생성되어지는 질소 이온의 비율을 측정하였다. 또한 Langmuir probe를 이용하여 속도차에 의한 각 이온들의 존재비율을 계산하였다. 여기에서 질소 가스의 압력이 낮을수록 N+보다 N2+의 존재비율이 높음을 보였다. 이것은 압력이 낮은 영역에서 일반적으로 전자의 평균온도가 높기 때문으로 여겨진다.

• The Korean Journal of Nuclear Medicine
• /
• v.31 no.4
• /
• pp.433-439
• /
• 1997

$^{166}Ho$-chitosan complex, or $^{166}Ho$-CHICO, is a candidate pharmaceutical for intracavitary radiation therapy of cystic brain tumors because of the desirable nuclear characteristics of $^{166}Ho$ for therapeutic use and the suitable biological and chemical characteristics of chitosan, not to mention its ready producibility The amount of $^{166}Ho$-CHICO to be administered to obtain the goal therapeutic effect can be suggested by predicting the dose to the cyst wall for a varying pharmaceutical dose. When $^{166}Ho$-CHICO is infused into the cyst, the major part of the energy delivery by beta particles emitted from $^{166}Ho$ occurs in the cyst wall within 4mm in depth from the cyst wall surface. Also, realizing the attachment of $^{166}Ho$-CHICO to the cyst wall surface would change the predictions of dose to the cyst wall.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 1999.07a
• /
• pp.184-184
• /
• 1999

반도체소자의 고집적, 미세화에 따라 MOSFET 소자에서의 고농도, 미세접합이 요구되고 있다. 이러한 고농도, 미세접합을 형성하기 위하여 기존의 저에너지 이온주입법을 대체 또는 병행할 목적으로 플라즈마 이온주입방법이 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 이온주입방법을 이용하여 (100) 실리콘 기판에 보론을 주입후 열처리하여 형성된 p+층의 도펀트의 활성화와 이온주입으로 인한 실리콘 기판의 손상을 고찰하였다. 본 실험에서 (100)실리콘 기판에 도핑할 소스 가스로 BF3을 주입하고, D.C. pulse 플라즈마 도핑시스템을 사용하여 플라즈마 내의 보론이온을 웨이퍼 홀더에 -1~-5kV의 인가된 음전압에 의해 가속시키어 실리콘 웨이퍼에 주입하였다. 주입에너지 -1kV, -3kV, -5kV와 1$\times$1015, 3$\times$1515의 dose로 주입된 실리콘 기판을 급속가열방식(RTP)을 사용하여 $600^{\circ}C$~110$0^{\circ}C$의 온도구간에서 10초와 30초로 열처리하여 도펀트의 활성화와 미세접합을 형성한 후 SIMS, four-point probe, Hall 측정, 그리고 FT-IR을 이용하여 플라즈마 이온주입된 도펀트의 거동과 활성화율을 관찰하였고 FT-IR과 TEM의 분석을 통하여 이온주입으로 인한 실리콘 기판의 손상을 고찰하였다. SIMS, four-point probe, Hall 측정, 그리고 FT-IR의 분석으로 열처리 온도의 증가에 따라 도펀트의 활성화율이 증가하였고, 이온주입 에너지와 dose 그리고 열처리 시간의 증가에 따라서 주입된 도펀트의 활성화는 증가하였다. 그리고 주입에너지와 dose 그리고 열처리 시간의 증가에 따라서 주입된 도펀트의 활성화는 증가하였다. 그리고 주입에너지와 dose를 증가시키면 접합깊이가 증가함을 관찰하였다. 이온주입으로 인한 기판손상의 분석을 광학적 방법인 FT-IR과 미세구조를 분석할 수 있는 TEM을 이용하여 분석하였다. 이온주입으로 인한 dislocation이나 EOR(End Of Range)과 같은 extended defect가 없었고, 이온주입으로 인한 비정질층도 없는 p+층을 얻을수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2011.05a
• /
• pp.193-195
• /
• 2011

강판재 사용에 있어 수소취성현상은 강판재가 고강도화됨에 따라 그 감수성이 커지는 것으로 알려져 있다. 특히 노출강판재의 경우, 표면으로부터 침투해 들어가는 수소에 의한 수소취화 거동에 대한 연구가 필요하다. 본 연구에서는 고강도 DP강을 시험편으로 하여, 음극전기분해법에 의해 수소를 강제주입시킨 후, DP강 표면하 subsurface zone의 수소취화 거동을 평가하고자 하였다. 미소경도분포 측정결과, 수소주입시간이 증가함에 따라 표면하 subsurface zone의 경도 또한 증가하는 것으로 조사되었다. 이는 수소에 의해 표면하 subsurface zone의 경화가 일어나 DP강의 기계적 특성에 영향을 미친것으로 판단된다. 미소경도분포의 측정결과와 미세조직 관찰결과로부터 수소임계침투깊이를 평가하였고, 이를 통해 DP강내 수소확산에 의한 수소임계침투깊이가 존재함을 확인할 수 있었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
• /
• v.39 no.1
• /
• pp.31-36
• /
• 2002

Low energy boron ions were implanted into the preamorphized and crystalline silicon substrates to form 0.2${\mu}m$ $p^+-n$ junctions. The rapid thermal annealing(RTA) was used to annihilate the crystal defects due to implantation and to activate the implanted boron ions, and the furnace annealing was employed to reflow the BPSG(bolo-phosphosilicate glass). The implantation conditions for Gepreamorphization were the energy of 45keV and the dose of 3$\times$1014cm-2. BF2 ions employed as a p-type dopant were implanted with the energy of 20keV and the dose of 2$\times$1015cm-2. The thermal conditions of RTA and furnace annealing were $1000^{\circ}C$/10sec and $850^{\circ}C$/40min, respectively. The junction depths were measured by SIMS and ASR techniques, and the 4-point probe was used to measure the sheet resistances. The electrical characteristics were analyzed via the leakage currents of the fabricated diodes. The single thermal processing with RTA produced shallow junctions of good qualities, and the thermal treatment sequence of furnace anneal and RTA yielded better junction characteristics than that of RTA and furnace anneal.