• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.35D no.2
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• pp.78-85
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• 1998

The design method of a temperature stable bandpass filter using dielectric coaxial resonators of with two dielectric ceramics with opposite signs of temperature coefficient of dielectric constant (${\tau}_{\epsilon}$) to compensate for each other in this method. $MgTiO_3$(${\tau}_{\epsilon}$=+99 ppm/${\circ}C$) as a positive ${\tau}_{\epsilon}$ material and Ba($Zn_{1/3}Nb_{2/3}$)$O_3$(${\tau}_{\epsilon}$=-77ppm/${\circ}C$) as a negative material were selected. The length of a SIR for the temperature stability was calculated according to the design method and the susceptance slope parameter of the SIR was obtained. A temperature stable bandpass filter using dielectric SIR's was designed, simulated and fabricated. The center frequency of this filter was 915 MHz and the pass bandwidth was 20 MHz. Temperature properties of this bandpass filter by simulations were compared with the measured results of the bandpass filter fabricated.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.133-133
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• 2010

3-5족 화합물 반도체를 이용한 집광형 삼중 접합 태양전지는 35% 이상의 광변환 효율로 주목을 받고 있다. 일반적으로 삼중 접합 태양전지는 넓은 영역대의 파장을 흡수하기 위해 밴드갭이 다른 InGaP, GaAs, Ge이 사용된다. 그 중 하부셀은 기계적 강도가 높고 장파장을 흡수할 수 있는 Ge이 사용되는데, p-type Ge 기판위에 III-V 결정막 성장 시 5족 원소가 확산되어 pn접합을 형성하게 된다. 이러한 구조를 가진 Ge 하부셀이 효율적으로 홀-전자 쌍을 형성하기 위해서는 두꺼운 베이스와 얇은 에미터 접합이 필요하다. InGaP의 phosphorus는 낮은 확산계수로 인해 GaAs의 arsenic에 비해 얇은 접합이 형성 가능하며, Ge표면 에칭효과가 더 적다는 장점이 있다. 이를 고려해 우리 연구그룹에서는 metalorganic chemical vapor depostion(MOCVD)을 이용하여 Ge기판위에 성장한 InGaP layer의 특성을 관찰해 보았다. <111>로 $6^{\circ}$ 기울어진 p-type Ge(100) 기판위에 MOCVD를 통해 InGaP layer를 형성하였고, 성장된 layer를 atomic force microscope(AFM)와 high-resolution x-ray diffraction(HRXRD)을 이용하여 표면형상, 조성, 응력상태 등을 각각 관찰하였다. 또한 phosphorus 확산에 의해 형성되는 도핑농도는 electrochemical capacitance-voltage(ECV)을 이용하여 관찰하였다. 성장된 Ge기판위의 InGaP layer의 경우 특징적으로 높이 50 nm, 밑변 길이 $1\;{\mu}m$의 경사진 표면을 관찰할 수 있었으며, 이러한 구조는 TMIn과 TMGa의 비율이 증가 할수록 감소하였다. 따라서 이러한 경사진 형태의 구조는 격자 불일치 때문인 것으로 판단된다. 추가적으로 V/III ratio의 최적화를 통해 1.3 nm의 표면 거칠기를 갖는 InGaP layer를 얻을 수 있었다. ECV를 통해 Ge 하부셀의 pn접합 형성을 관찰한 결과 약 160 nm에서 접합이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. 또한, 같은 성장 조건의 샘플을 1000 초 열처리 후에 접합깊이의 변화를 관찰한 결과 180 nm에서 접합이 관찰되었지만, GaAs의 arsenic에 의한 pn접합은 열처리 후에 그 깊이가 170 nm에서 300 nm로 증가 하였다. 따라서 삼중접합 태양전지의 제작 공정을 고려할 경우 phosphorus에 의한 접합 형성이 Ge 하부셀의 동작 특성에 유리할 것으로 판단된다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.11a
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• pp.58.2-58.2
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• 2010

본 연구에서는 n-type wafer에 비정질 실리콘을 증착한 이종접합 태양전지를 열처리 방법을 이용하여 열처리의 효과를 분석함으로써 이종접합 태양전지에 효율적인 열처리 효과에 대하여 연구하였다. P, N-layer는 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) I-layer는 HWCVD(Hot wire chemical vapor deposition), ITO는 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 동일한 조건에서 제작하였고 rapid thermal process를 이용하여 진공 중에서 $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $220^{\circ}C$, $250^{\circ}C$까지 열처리를 하였다. 열처리 전과 후 QSSPC로 minority carrier life time, 자외 가시선 분광분석 장치로 투과 반사도를, Ellipsometer로 흡수 계수 등의 변화를 조사하였다. 열처리 후 Minority carrier life time, Voc 및 광변환 효율이 증가하였다.

• Magazine of the Korea Concrete Institute
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• v.4 no.4
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• pp.135-147
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• 1992

본 연구는 기존의 이론을 배경으로 전단키에 영향을 미치는 전달전달의 요소가 포함된 기본식을 산정하여, 접합부의 유형에 따라 구체적으로 전단강도를 예측하는 방법을 제안하였다. 접합부 콘크리트와 횡보강철근의 강도 및 장부호과를 고려한 프리캐스트 콘크리트 전단키 접합부의 기본극한강도식은 수정 Mohor-Coulomb의 파괴기준과 항복선의 도입에 의하여 전개하였고, 극한전단능력의 근사해는 상하계법에 의한 극치해석의 수법을 이용하여 구하고 여기에 재료의 유효강도계수를 도입하였다. 또한, 지존의 실험결과와 비교하여 그 적용성을 고찰하였다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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• v.7 no.2
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• pp.218-225
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• 1983

측벽부착형 순유체조자에서 제어입력이 존재할 때 2차원 난류제트가 오프셋된 경사면에 재접합하 는 현상을 연구하였고 정상상태하의 재접합모델을 이론적으로 전개하였다. 순유체조자의 상하면 이 제트의 확산에 미치는 영향을 조사하기 위하여 제트의 중심선에 따라 최대속도를 측정하였고, 그 결과에 따라 본 모델에 사용한 제트확산계수(.sigma.)의 값은 자유제트의 것 (.sigma.=7.67)보 다 큰 .sigma.=10.5로 택하였다. 이론적 모델을 확증하기 위하여 제트의 재접합점과 변형각도에 관한 기존 논문에 보고된 실험적 연구결과와 비교하여 좋은 일치를 보았다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.05a
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• pp.129.2-129.2
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• 2011

본 연구에서는 a-Si:H/c-si 구조의 이종접합 태양전지의 p a-Si:H 에미터 층의 박막 조건에 따라 태양전지 특성을 연구하였다. p, n-layer는 PECVD (Plasma-enhanced chemical vapor deposition) i-layer는 HWCVD(Hot wire chemical vapor deposition), ITO는 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 제작하였다. p-layer의 도핑 농도, 기판 증착 온도, 증착 높낮이에 따라 특성을 비교 분석 하였다. QSSPC로 minority carrier life time, 자외 가시선 분광분석 장치로 투과 반사도를, Ellipsometer로 흡수 계수, 두께, FTIR로 막의 구성요소 등의 변화를 조사하여 개선된 p a-Si:H의 특성이 이종접합 태양전지에서 효율향상에 영향을 주는지 Photo IV와 EQE를 통하여 조사하였다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2011.05a
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• pp.196-197
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• 2011

실리콘 태양전지의 pn 접합 계면특성을 조사하기 위해서 p형 실리콘 기판 위에 전기로를 이용한 $POCl_3$ 공정을 통하여 n형의 불순물을 주입하여 pn접합을 만들었다. n형 불순물의 확산되어 들어가는 공정시간이 길고 공정온도가 높을수록 면저항은 줄어들었다. n형 불순물의 주입이 많아질수록 pn 접합 계면에서의 전자친화도가 줄어들면서 면저항은 감소되었다고 할 수 있다. n형 반도체의 페르미레벨이 높아지면서 공핍층도 생기지만 n형 불순물이 많아지면서 공핍층의 폭은 점점 좁아지고 쇼키 장벽의 높이도 낮아지면서 자유전자와 홀 쌍의 이동이 쉽게 이루어지게 되었다. n형의 불순물 확산공정시간이 긴 태양전지 셀에서 F.F. 계수가 높게 나타났으며, 효율도 높게 나타났다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.26 no.11
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• pp.2277-2286
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• 2002

The application of bonded dissimilar materials to industries as automobiles, aircraft, rolling stocks, electronic devices and engineering structures is increasing gradually because these materials, compared to the homogeneous materials, have many advantages for material properties. In spite of such wide applications of bonded dissimilar materials, the evaluation method of quantitative strength considering the stress singularities for its bonded interface has not been established clearly. In this paper, the stress singularity for Bctors and the stress intensity factors were analyzed by boundary element method(BEM) for the scarf joints of Al/Epoxy with and without a crack, respectively. From static fracture experiments of the bonded scarf joints, a fracture criterion and a evaluation method of interface strength in bonded dissimilar materials were proposed and discussed.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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• v.18 no.7
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• pp.1705-1712
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• 1994

Hilbert problems are derived to evaluate thermal stress intensity factors for a partially insulated crack subjected to vertically uniform heat flow in infinite bonded dissimilar materials. In case of fully insulated crack surface, the present solutions of thermal stress intensity factors are reduced into the same as the previous results. For the homogeneous material, mode II thermal stress intensity factor only exists. However, in the bonded dissimilar materials, both mode I and II thermal stress intensity factors are obtained. Specially, in this case, mode II thermal stress intensity factor is dominent. Also, thermal stress intensity factors are strongly influenced by the material properties. Thermal stress intensity factors decrease when the degree of insulation decreases.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.17 no.5
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• pp.180-185
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• 2000

An interface V-notched crack problem can be formulated as a eigenvalue problem. there are the eigenvalues which give stress singularities at the V-notched crack tip. The RWCIM is a method of calculating the eigenvector coefficients associated with eigenvalues for a V-notched crack problem. Obtaining the stress intensity factors for an interface crack in dissimilar materials is examined by the RWCIM. The results of stress intensity factors for an interface crack are compared with those of the displacement extrapolation method by the BEM