한국신재생에너지학회:학술대회논문집
- 2011.05a
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- Pages.129.2-129.2
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- 2011
이종접합 태양전지용 p a-Si:H 에미터 층 최적화 및 태양전지 특성 거동 연구
- Kim, Kyung Min ;
- Jeong, Dae Young ;
- Song, Jun Yong ;
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Park, Joo Hyung
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Oh, Byung Sung
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Song, Jinsoo
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Lee, Jeong Chul
- 김경민 (한국에너지기술연구원) ;
- 정대영 (한국에너지기술연구원) ;
- 송준용 (한국에너지기술연구원) ;
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박주형
(한국에너지기술연구원)
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오병성
(충남대학교)
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송진수
(한국에너지기술연구원)
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이정철
(한국에너지기술연구원)
- Published : 2011.05.26
Abstract
본 연구에서는 a-Si:H/c-si 구조의 이종접합 태양전지의 p a-Si:H 에미터 층의 박막 조건에 따라 태양전지 특성을 연구하였다. p, n-layer는 PECVD (Plasma-enhanced chemical vapor deposition) i-layer는 HWCVD(Hot wire chemical vapor deposition), ITO는 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 제작하였다. p-layer의 도핑 농도, 기판 증착 온도, 증착 높낮이에 따라 특성을 비교 분석 하였다. QSSPC로 minority carrier life time, 자외 가시선 분광분석 장치로 투과 반사도를, Ellipsometer로 흡수 계수, 두께, FTIR로 막의 구성요소 등의 변화를 조사하여 개선된 p a-Si:H의 특성이 이종접합 태양전지에서 효율향상에 영향을 주는지 Photo IV와 EQE를 통하여 조사하였다.
Keywords