• Title/Summary/Keyword: 접촉 센서

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A study on the Non-Contact Human Interface using by CdS Sensor Array (CdS센서 배열을 이용한 비접촉 입력장치에 관한 연구)

  • Cha, Seong-Bok;Hwang, Dae-Seok;Lee, Young-Woo
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.10 no.11
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    • pp.2045-2048
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    • 2006
  • This study presented the non-contact human interface using by CdS sensor array. We are pointing the light on the target to measure the value. We converted the CdS sensors value to digital value and applied the digital value to set the coordinate value from the ratio of it to the adjacent sensors. The indicated coordinate-value is presented on the PC screen by LabVIEW The experimental result, we could confirm the right value divided between each sensor distance into In parts.

비접촉 토오크센서의 개발(I)

  • 손대락;임순재;김창석;남궁석
    • Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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    • 1991.11a
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    • pp.75-79
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    • 1991
  • 자동차 엔진, 점프, 모우터 둥과 같은 회전동력장치의 일률이나 효율을 측정하거나 혹은, 회전동력장치를 과부하 없이 운용하고자 할 때 토오크센서를 이용한다. 이 때 사용되는 토오크센서는 대부분 strain gage와 slip ring을 이용하고 있는 데, 이러한 종류의 센서들은 감지된 토오크를 회전하는 축으로부터 외부로 그 신호를 전달하기 위해서 slip ring 이나 magnetic coupler와 같은 중간의 신호 전달장치 ( signal transmitter )를 설치하여야 한다.(중략)

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Vision Sensor for Welding Automation (용접 자동화를 위한 시각센서)

  • 이철원;나석주
    • Journal of Welding and Joining
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    • v.11 no.3
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    • pp.10-21
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    • 1993
  • 용접공정에 시각센서를 도입하여 고정 오차, 용접물 준비 상태에 상관없이 유연성을 확보할 수 있고 용접부 형상에 따라 용접 변수를 조절하는 적응제어가 가능하다. 본 해설에서는 용접 자동 화에 이용되는 시각센서의 원리를 설명하였고 상업화되어 쓰이고 있는 시각센서들을 소개하였다. 시각센서를 용접 공정에 적용하기 위해 센서의 신뢰도 향상, 센서와 로봇간의 정보 교환, 용접환 경으로부터 센서의 보호기술등의 개발이 요구됨을 알 수 있었다. 지난 10여년간 용접자동화에 기 계시각을 도입하고자 하는 연구가 활발히 진행되어 자동차, 항공기, 원자력 발전 설비 등의 생산 현장에서 시각센서의 우수성이 입증되고 있다. 현재 접촉식 센서나 아크센서에 비해 가격이 높은 단점이 있어 상업화에 어려움이 있으나 필요 부품들의 계속적인 가격 하락으로 점차 시각센서의 이용이 증대될 것이다. 특히, 아크센서로는 추적할 수 없는 박판 용접과 레이저 용접등의 정밀 용 접공정에서 수요가 커질 것으로 예상된다.

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A Study on the Liquid-level Sensors Using Splitting Ratio of Fiber-optic Directional Couplers (광섬유형 방향성 결합기의 광 분배비를 이용한 수위 센서 연구)

  • Sohn, Kyung-Rak;Key, Kwang-Hyun
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • v.34 no.6
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    • pp.846-851
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    • 2010
  • A liquid-air interface sensing system using the flat end surfaces of a fused-silica fiber coupler has been demonstrated. The principle is based on the additional optical loss caused by changing the refractive index of the external material at the boundary of the end face made of a fiber. The immersion characteristics of this system with respect to the different splitting ratios of the couplers were investigated to determine the sensitivity when it responses to water and air. These experimental data are very useful for selecting the coupling ratio of a coupler in order to develop a multiple sensing probe system. In the proposed sensor structure, it can be emphasize that the sensing probe can be appropriately arrayed on the basis of splitting ratio of the coupler. As a result, it is expected that the proposed liquid-air interface sensors can also be applied to monitor flooding that occurs in multiple areas at the same time.

Hall 소자용 InAs 박막성장

  • 김성만;임재영;이철로;노삼규;신장규;권영수;유연희;김영진
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.94-94
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    • 1999
  • 반도체 Hall 효과를 이용하여 자계를 검출하여 이를 전압신호로 출력하는 자기센서로는 주로 GaAs, InSb, InAs 등의 박막이 사용되고 있다. 자기센서의 응용분야가 최근에는 직류전류의 무접촉 검출, 자동차의 무접촉 회전 검출, 산업용 기계의 제어용 무접촉 위치검출 분야로 확대되고 있어 그 수요가 급증하고 있다. 이중 Hall 소자의 응용분야중 많은 활용이 기대되고 있는 자동차용 무접촉 센서는 -4$0^{\circ}C$~15$0^{\circ}C$의 온도범위에서 안정하게 작동하여야 하므로 온도 안정성이 매우 중요하다. 그러나 Hall 소자 시장의 80%를 점유하고 있는 InSb Hall 소자는 온도가 올라감에 따라 저항이 급격히 낮아지는 성질을 가지고 있으므로 10$0^{\circ}C$ 이상의 온도에서 사용하는 것이 불가능하다. 한편 InAs(에너지갭~0.18eV)는 InSb보다 에너지 갭이 크므로 고온에서도 작동이 가능하고 자계변화에 따른 출력의 직진성이 매우 좋다는 장점을 가지고 있다. 이러한 InAs Hall 소자를 실현하기 위해서 가장 중요한 것이 고품위의 InAs의 박막 성장기술이다. InAs 박막을 성장하기 위해서 사용되고 있는 기판은 GaAs이다. 그러나 GaAs 기판과 InAs 박막 사이에는 약 7% 정도의 격자부정합이 존재하기 때문에 높은 이동도를 가지는 고품위 박막을 성장시키기가 매우 어렵다. 이에 본 연구에서는 분자선에피택시 방법을 이용하여 GaAs 기판위에 고품위의 InAs 박막을 성장하는 기술을 연구하였으며, 성장된 InAs 박막의 특성을 DCX 및 Hall effect 등으로 조사하였다. InAs 박막 성장시 기판은 <0-1-1> 방향으로 2$^{\circ}$ off 된 GaAs(100)를 사용하였다. InAs 박막성장시 기판온도는 48$0^{\circ}C$로 하고 GaAs buffer 두께는 2000$\AA$로 하여 As flux 및 Si doping 농도등을 변화시켰다. 그 결과 Si doping 농도 2.21$\times$1017/am에서 10,952cm2/V.s의 이동도를 얻었다.

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The contactless elevator button using the electrostatic capacity (정전 용량을 이용한 비접촉식 엘리베이터 버튼)

  • Bang, Gul-Won
    • Journal of Industrial Convergence
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    • v.19 no.6
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    • pp.67-72
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    • 2021
  • The elevator installed in the building consists of an elevator call button and an input button for selection to the target floor. The elevator button is input only when the elevator user directly presses it. Such passenger input can be infected with an infectious disease due to contamination of the button. A non-contact button is required as a means for solving this problem, which detects the proximity of an object by applying a capacitive method. It implements a function of measuring the body's body temperature by attaching an infrared heat sensor, and provides a sterilization function of a button by attaching a UV-LED. A button was selected, a body temperature was measured through an infrared temperature measurement sensor, and UV-LED was turned on and sterilized when there was no user. The contactless elevator button is expected to be effective in preventing infectious diseases as it can prevent infection of viruses carrying infectious diseases and can detect body temperature to select positive patients of CIVID 19.