• Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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• v.33 no.11
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• pp.7-14
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• 2005

A subdomain-interface finite element method is suggested to solve a class of fully- coupled thermomechanical problems with contact boundaries. The penalty method is used for connecting subdomains that satisfy interface compatibility conditions. As a result, effective stiffness matrices are always positive definite, and computational efficiency can be improved to a considerable degree. Moreover, any complex-shaped domain can be divided into independently modeled subdomains without considering the conformity of meshes on interfaces. Using a computer code based on the present method, these advantageous features are shown through a set of numerical studies.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2016.03a
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• pp.299-304
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• 2016

2차원 반도체 소재의 경우 물질종류마다 내포하고 있는 고유결함에 의해서 Fermi-Level Pinning 이 발생하여 이로 인한 Schottky Barrier transistor로 동작을 하게 되며, 이는 접합부에 Carrier Injection 정도와 Schottky Barrier을 통과하는 Tunneling 정도에 의해서 소자의 특성이 결정 된다. 본 연구에서는 시뮬레이션을 통하여 2차원 반도체인 $MoS_2$소자를 설계하고, S/D Doping에 따라 접촉 저항 개선 효과와 소자의 동작특성이 어떠한 영향을 미치는지 연구하여 최대 $250cm^2/V{\cdot}sec$의 field effect mobility 의 결과를 얻었다. 또한 S/D doping 에 따라 각 저항 성분의 영향을 분석하였으며 면저항 및 접촉 저항 둘 다 doping 농도가 증가함에 따라 감소하는 결과를 나타내며, S/D doping의 영향은 접촉저항에서 더 크게 나타났다. 더불어 2차원 반도체의 Resistance network model 을 제안하여 subthreshold 영역에서는 $R_{ic}$, saturation 영역에서는 $R_{ish}$ 가 전체저항에서 주요한 변수로 전체저항식에 포함되어야 한다는 것을 시뮬레이션을 통해서 검증하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.27 no.10
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• pp.101-105
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• 1990

The use of a sol-gel processed cordierite precursor sinterable about$900^{\circ}C$ allows cosintering of the copper and the ceramic. A strong bonding between the copper film and the cordierite substrate can be achieved through an eutectic bonding technique. These interfaces were investigated using STEM. copper diffusion as well as strong chemical and structural modifications was observed in the interface region. Although these interfaces have good adhesion properties, there was no evidence of the formation of the copper compound at the interface.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 2003.04a
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• pp.103-106
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• 2003

원형의 물체에 접해 있는 섬유 또는 실의 장력에 관하여 기존의 capstan equation의 잘못된 점을 보완하는 일반적인 capstan Equation을 유도하였다. 해석은 주로 섬유-물체의 접촉부위에 초점을 맞추었다. 그 결과 유도된 지배방정식은 2차 상미분 방정식의 형태를 갖는다. 지배방정식의 해를 구한 뒤, 접촉영역 전체에 작용하는 힘의 평형조건을 이용하여 입력 장력(incoming tension)과 출력 장력(outgoing tension)간의 관계식을 얻을 수 있었으며 우리는 이것을 True capstan equation이라 명하였다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1990.07a
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• pp.133-138
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• 1990

점접촉 MIM (Metal-Insulator-Metal) 다이오드는 레이저 광속의 검출기, 고조파 발생기 및 믹서로 사용되며, 그 검출범위가 수십 THz의 주파수 영역까지 가능하다. 이러한 MIM 다이오드의 여러사기 변수들에 대한 감응도를 측정하였으며, 이들의 특성을 조사하기 위한 관원으로는 10P(36) line의 CO2 레이저 광속을 이용했다. 또한 제작된 점접촉 MIM 다이오드를 이용하여 두 CO2레이저 사이의 주파수 차이에 의한 맥놀이 주파수를 측정하였다. 그리고 MIM 다이오드에서 발견된 초퍼의 초핑 주파수에 의한 비선형 현상을 논하였다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.14 no.3
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• pp.251-259
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• 2009

In this paper, a contactless power supply using half-bridge series resonant converter that achieves ZVS operation of main switches and ZCS operation of secondary side diodes is proposed. Since the proposed contactless power supply using half-bridge series resonant converter operates with lower switching frequency than the resonant frequency, it can achieve ZCS operation of secondary side diodes due to discontinuous resonant current. And it is also possible to control the converter in narrow frequency range and to obtain high voltage gain, which, in turn, offers low turns ratio for the transformer and high efficiency. Based on the theoretical analysis and simulation results, the 3.15W prototype is built and the final experimental results are described.

• Proceedings of the Korean Society of Tribologists and Lubrication Engineers Conference
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• 1988.06a
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• pp.28-30
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• 1988

윤활시스템에서 마모는 상대적인 운동을 하는 두 물체사이에서 표면상태, 접촉조건 및 분위기등의 제요소들에 의해 발생되며, 형태학적으로 scuffing, scoring, pitting 및 fretting 등으로 분류된다. 윤활조건의 특성에 따라 미끄럼 접촉에서는 mild wear, severe wear로 구분되며, 이들의 마모 생성기구의 차이는 접촉상대속도, 하중 및 표면조도등의 정도에 기인된다. mild wear에서 severe wear 영역으로 전이될 때의 가혹한 조건에서 생성되는 마모현상을 scuffing wear라 하며, 이는 접촉면에서의 표면돌기의 직접접촉에 의한 cold welding 현상, 즉 local welds의 특성을 지닌 마멸형태로 정의한다. 이의 생성은 접점간의 하중 및 미끄럼 속도가 증가됨에 따라 온도상승에 기인되어 순간적으로 발생된 마찰열이 그 원인이 있으며, 기어, cam 및 tappet, 피스톤링 및 실린더 라이너 등의 마멸현상이 대표적인 예이다.

• Journal of KIISE:Software and Applications
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• v.28 no.6
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• pp.439-449
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• 2001

본 논문에서는 서식 문서의 선과 숫자의 획이 접촉된 경우 숫자의 획을 접촉되기 전 상태의 원 이미지로 복원하는 방법을 제안한다. 제안하는 방법에는 서기 문서에서 추출한 숫자열을 대상으로 열 단위로 복원한다. 과정은 우선 숫자열과 접촉된 선의 위치를 찾아내고, 선을 추적하면서 접촉으로 판정되는 영역을 유형별로 분류하여, 각 유형에 적합한 획 복원 방법을 제안한다. 또한 선에 숫자의 획이 완전히 포함된 경우의 복원 방법도 제안하여 현장에서의 서식 처리 과정에서 발생하는 문제점을 해결하고자 하였다. 제안하는 방법을 평가하기 위해서 은행 입출금전표, 신용카드 매출전표 및 NIST 필기 숫자열 데이터베이스 이미지를 사용하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2001.05a
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• pp.303-306
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• 2001

Using THz time-domain spectroscopy (THz-TDS), the power absorption and the real conductivity of silica sand are measured terahertz frequency range. It is impossible to measure the characterization of the silica sand by simple electrical measurements using mechanical contacts, e.g., Hail effect or four-point probe measurements. However, the THz-TDS technique can measure not only electrical but also optical characterization of the sample. Also this technique can measure frequency dependent results. Especially, the real conductivity was increased according to THz frequency this is unusual material compare with metal and semiconductor materials; the measured real conductivity are not followed by the simple Drude theory.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.41 no.5
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• pp.15-21
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• 2004

In this paper a new structure of BJT is proposed to improve the saturation voltage characteristics so that it can be used to the low power switching devices. In the case of the conventional finger transistor(FT), the saturation voltage is so high that it dose not satisfy the requirements for the low power device. So the other multi base island transistor(MBIT) is suggested and its saturation voltage is so low in the region of low current that it satisfy the requirement for the low power switching devices, but in region of the high current the saturation voltage tends to increase so that it does not satisfy the requirements for the low power switching devices. So in this paper a new structure of folded back electrode transistor(FBET) is proposed and the characteristics is investigated. When the new structure is applied the emitter area is increased by 35 % so the saturation voltage is reduced by 30 % at the low current region and the contact area is increased by 92 % so the saturation voltage is reduced by totally f % at the high current region with the reduction of 30 % by the increase of the emitter area and the reduction of 7 % by the increase of the emitter contact area.