• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.479-479
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• 2013

산화물 반도체 물질을 이용한 Thin film transistor (TFT) 소자는 기존의 비정질 Si TFT와 저온 다결정 Si TFT 소자가 가지지 못하는 장점들이 보고되면서 차세대 디스플레이용 소자로 주목을 받고 있다. 그 중 TFT의 채널 물질로 a-IGZO가 많이 활용되고 있다. a-IGZO의 활용이 더 많아지고 있는 이유는 저온공정이 가능하고 3.2 eV의 큰 밴드갭으로 투명하며 높은 균일도, 캐리어 이동도를 모두 가지고 있기 때문이다. 본 연구에서는 산화물 물질인 IGZO를 채널 층으로 사용한 TFT소자에서 IGZO의 캐리어인 전자의 이동경로를 금속을 통하여 이동하게 함으로써 전기적 특성의 변화를 관찰하였다. TFT는 다수 캐리어가 게이트 전압에 의하여 박막 아래쪽에 채널을 형성하여 동작한다. 이 때 IGZO박막과 SiO2 사이의 Al을 증착하여 다수 캐리어인 전자의 이동도를 향상시켰다. 전극으로 사용되어지는 Al은 IGZO박막과 ohmic contant이기 때문에 전자의 이동이 어렵지 않기 때문이다. 소자 제작은 게이트로 도핑된 P형 기판을 사용하였고 게이트 절연체로 SiO2 200 nm를 증착하였다. 채널층로 IGZO를 증착하기 전에 게이트 절연체 위에 evaporation으로 Al을 20 nm를 증착하였다. 이때 mask는 $2.4{\times}10^{-4}cm^2$ 크기의 dot 형태를 사용하였다. Al을 증착 후 RF sputtering으로 IGZO를 30 nm 증착하였으며 $350^{\circ}C$에서 90 min 동안 열처리하였다. 소스와 드레인은 evaporation으로 Al을 100 nm 증착하였다. HB 4145B 측정기로 I-V 그래프를 통하여 전기적 특성의 변화를 관찰하였다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.33 no.3
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• pp.261-264
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• 2009

We present a three-dimensional (3D) particle focusing channel using the positive dielectrophoresis (pDEP) guided by a dielectric structure between two planar electrodes. The dielectric structure between two planar electrodes induces the maximum electric field at the center of the microchannel, and particles are focused to the center of the microchannel by pDEP as they flow from the single sample injection port. Compared to the previous 3D particle focusing methods, the present device achieves the simple and effective particle focusing function without any additional fluidic ports and top electrodes. In the experimental study, approximately 90 % focusing efficiency were achieved within the focusing length of 2mm, on both x-z plane (top-view) and y-z plane (side-view) for $2{\mu}m$-diameter polystyrene (PS) bead at the applied voltage over 15 Vp-p (square wave) and at the flow rate below 0.01 ${\mu}l$/min. The present 3D particle focusing channel results in a simple particle focusing method suitable for use in integrated microbiochemical analysis system.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.48 no.6
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• pp.737-740
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• 2010

High leakage current and threshold voltage shift(${\Delta}Vth$) are demerits of a-Si:H TFT. These characteristics are influenced by gate insulator and active layer film quality, surface roughness, and process conditions. The purpose of this investigation is to improve off current($I_{off}$) and ${\Delta}V_{th}$ characteristics. Nitrogen-rich deposition condition was applied to gate insulator, and hydrogen-rich deposition condition was applied to active layer to reduce electron trap site and improve film density. $I_{off}$ improved from 1.01 pA to 0.18 pA at $65^{\circ}C$, and ${\Delta}V_{th}$ improved from -1.89 V to 1.22 V.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2016.03a
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• pp.292-294
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• 2016

이황화몰리브덴을 활용한 전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor)는 채널 물질의 우수한 특성으로 차세대 저전력 고성능 스위치와 광전소자로 주목받고있다. Underlap 게이트 구조에서 게이트 길이(L_G), 절연체 두께(T), 절연체 상대유전율(${\varepsilon}_r$)에 따라 변화하는 소자특성을 분석하여 저전력 고성능 $MoS_2$ 전계효과트랜지스터를 위한 게이트 구조 최적화방법을 모색하였다. EDISON simulator 중 Tight-binding NEGF 기반 TMD FET 소자 성능 및 특성 해석용 S/W를 활용하여 게이트 구조에 따른 게이트 전압 - 드레인 전류 상관관계(transfer characteristic)를 얻고, Y-function method를 이용하여 채널 유효전하이동도(Effective Mobility), Sub-threshold Swing, on/off 전류비(on/off current ratio)를 추출하여 비교 분석하였다. 시뮬레이션으로 추출한 소자의 최대 채널 유효전하이동도는 $37cm^2V^{-1}s^{-1}$, on/off 전류비는 $10^4{\sim}10^5$, Sub-threshold Swing은 ~38mV/dec 수준을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.05c
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• pp.186-189
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• 2003

The MFIS capacitors were fabricated using a metalorganic decomposition method. Thin layers of $ZrO_2$ and $CeO_2$ were deposited as a buffer layer on Si substrate and BLT thin films were used as a ferroelectric layer. The electrical and structural properties of the MFIS structure were investigated. X -ray diffraction was used to determine the phase of the BLT thin films and the quality of the $ZrO_2$ and $CeO_2$ layer. AES show no interdiffusion and the formation of amorphous $SiO_2$ layer is suppressed by using the $ZrO_2$ and $CeO_2$ film as buffer layer between the BLT film and Si substrate. The width of the memory window in the C-V curves for the $BLT/ZrO_2/Si$ and $BLT/CeO_2/Si$ structure is 2.94 V and 1.3V, respectively. The experimental results show that the BLT-based MFIS structure is suitable for non-volatile memory FETs with large memory window.

• Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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• v.40 no.3
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• pp.237-242
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• 2012

Spaceborne pulse tube-type cryogenic compressors are widely used for space applications. To guarantee cooling performance of the compressor, mission life time and micor-vibration stability, suitable thermal control of compressor is required. Micro-vibration of the compressor is the one of the sources to degrade the pointing performance of observation satellite. In the present work, on-orbit thermal design of compressor in order not to degrade the performance of micro-vibration isolation system keeping the thermal control performance has been proposed and investigated through thermo-mechanical analysis.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.5
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• pp.461-469
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• 1993

본 논문에서는 대기상태에서 불평등 전계를 형성하는 봉대봉 전극사이에 절연판 장벽을 삽입하였을 때 절연특성이 개선되는 장벽효과를 실험적으로 연구하였다. 본 실험에서 전극사이에 각각 절연 장벽을 삽입하였을 때와 삽입하지 않았을 때의 섬락정압을 측정하고 또 여러 종류의 장벽 재료에 대해 장벽의 높이와 두께를 변화 시켰을 때의 섬락전압을 측정함으로써 장벽효과를 연구 검토하였다. 실험결과, 절연체 장벽을 각각 삽입하였을 때와 삽입하지 않았을 때의 섬락전압의 비는 1.3-2.0 정도임을 확인하였고 또한 장벽의 높이가 전극간 거리와 같아질 때까지는 섬락전압이 상승하였으나 그 이상일 때에는 변화하지 않음을 알 수 있었다. 또 장벽이 두꺼울수록, 장벽 재료의 유전율이 작아질수록 섬락정압이 상승하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.1487-1487
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• 2015

전력수요의 증가 및 친환경 규제 강화에 대응할 수 있는 고내열, 비가교 특징을 가진 폴리프로필렌 절연 케이블을 개발하여 열화특성을 파악하기 위해 열열화 시험을 수행하고 물성적, 전기적 특성을 분석하였다. 온도별로 열화된 폴리프로필렌과 가교폴리에틸렌 절연체를 비교평가하였으며 이 결과는 향후 폴리프로필렌 절연 케이블의 표준규격 및 운전기준을 수립하는데 활용될 것으로 기대된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.1032-1033
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• 2015

차세대 친환경 송전기술로 세계적으로 주목되고 있는 HVDC는 유전체 손실이 없으며 안정도가 좋아 송전용량이 크고 송전효율이 높으며 선로의 절연계급이 낮으므로 경제적이고, 주파수가 다른 계통과 비동기 연계가 가능하여 고효율 녹색기술로 크게 각광받고 있다. 본 논문에서는 HVDC 송전선로의 핵심 절연물인 가공절연디바이스에 대한 직류 절연 설계 및 평가기술을 연구개발하고, 이를 바탕으로 핵심 절연물인 HVDC 500kV 급 폴리머애자를 개발한 시제품에 대한 공인시험기관의 개발시험을 통하여 성능평가를 완료한 다음, HVDC 500kV가 실제로 가압되는 실증선로에서 1년간의 실증시험을 수행하고, 실증을 완료한 시료에 대하여 성능확인을 통한 신뢰성 확보를 목표로 개발을 진행하여 성공적인 결과를 거둔 내용에 대하여 설명하고자 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.1215-1215
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• 2015

본 연구에서는 상용 XLPE 절연체에 ES(한전)의 장기과통전 시험 기준을 참고하여, 가속 열 열화 하였고, 열화 전/후의 절연특성을 비교하기 위하여 VLF(0.1Hz) 내전압 파괴시험을 수행하였다. 또한, 그 결과를 Weibull plot하여 절연특성을 통계적으로 비교 및 분석하였다.