• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.14 no.1
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• pp.27-31
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• 2007

The cpapcitors with MIM(metal-insulator-metal) structures using PVP gate insulation films were prepared for the application of flexible organic thin film transistors (OTFT). The co-polymer organic insulation films were synthesized by using PVP(poly-4-vinylphenol) as a solute and PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate) as a solvent. The cross-linked PVP insulation films were also prepared by addition of poly(melamine-co-formaldehyde) as thermal hardener. The leakage current of the cross- linked PVP films was found to be about 1.3 nA on Al/PES(polyethersulfone) substrate, whereas, on ITO/ glass substrate was about 27.5 nA indicating improvement of the leakage current at Al/PES substrates. Also, the capacitances of all prepared samples on ITO/glass and Al/PES substrates w ere ranged from 1.0 to $1.2nF/cm^2$, showing very similar result with the calculated capacitance values.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.6 no.4
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• pp.23-33
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• 1999

A finite element method was employed fort thermal and stress analyses of an IGBT module of 3-phase full bridge. The effect of material parameters such as substrate material, substrate area, solder thickness on the temperature and stress distributions of the module packages has been investigated. Thermal analysis results have also been compared by setting of boundary conditions such as equivalent heat transfer coefficient or constant temperature at a base metal surface of the package. The increase of ceramic substrate area up to 3 times does little contribution to the reduction(8.9%) of thermal resistance, while contributed a lot to the reduction(60%) of thermal stress. Thicker solder resulted in higher thermal resistance but did slightly reduced thermal stresses. It is revealed by the stress analysis that maximum stress was induced at the region of copper pads which are bonded with ceramic substrate.

• Journal of Convergence for Information Technology
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• v.11 no.11
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• pp.166-171
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• 2021

An active mount is devised in same geometric constraints with a conventional rubber mount. The proposed mount features the piezoelectric actuator which can be used to reduce the vibration at marine vessels or automotive vehicles. As a first step, a passive rubber mount is adopted and its dynamic characteristics are experimentally evaluated. Based on the geometry of the rubber mount, a rubber element for the active mount is manufactured and integrated with two piezostacks in series, in which the piezostack is operated as an inertial type of actuator. A conventional PID controller featured by the simple and easy implementation, is then designed to attenuate the non-resonant high frequency vibration transmitted from the base excitation. Finally, the control performances of a proposed active mount are evaluated in the wide frequency range and compared with those of the conventional rubber mount.

• The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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• v.12 no.1
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• pp.99-105
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• 2019

OBC for battery charging of electric vehicles mainly consist of two stages including PFC circuit and isolated DC-DC converter circuit. In general, a non-isolated boost converter is used as the PFC circuit, and a resonant converter capable of ZVS (zero voltage switching) is used as the isolated DC-DC converter. In this paper, we propose an OBC composed of isolated current-fed type PFC circuit and buck DC-DC converter. The proposed OBC is easy to configure the circuit and controller, and can cope with a wide output range. In order to verify the validity of the proposed circuit, a prototype 3.3 ㎾ class prototype was fabricated. As a result, the maximum efficiency and the maximum power factor of 99.2% were confirmed under the operational stability and rated load conditions at the output voltage of 150V ~ 400V.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.12 no.4
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• pp.127-131
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• 2002

We fabricated MTJ devices that have doubly oxidized tunnel barrier using plasma oxidation method to from oxidized AlO$\sub$x/ tunnel barrier. Doubly oxidation I, which sputtered 10 ${\AA}$-bottom Al layer and oxidized it with oxidation time of 10 s. Subsequent sputtering of 13 ${\AA}$-Al was performed and the metallic layer was oxidized for 50, 80 and 120 s., respectively. Doubly oxidation II, which sputtered 10 ${\AA}$-bottom Al layer and oxidized it varying oxidation time for 30∼120 s. Subsequent sputtering of 13 ${\AA}$-Al was performed and the metallic layer was oxidized for 210 sec. Double oxidation process specimen showed MR ratio of above 27％ in all experiment range. Singly oxidation process. 13 ${\AA}$-Al layer and oxidized up to 210 s, showed less MR ratio and more narrow process window than those of doubly oxidation. Cross-sectional TEM images would that doubly oxidized barrowers were thinner and denser than singly oxidized ones. XPS characterization confirmed that doubly oxidation of Fe with bottom insulating layer. As a result, doubly oxidation could have superior MR ratio in process extent during long oxidation time because of preventing oxidation of bottom magnetic layer than singly oxidation.

• The Journal of the Acoustical Society of Korea
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• v.33 no.2
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• pp.111-117
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• 2014

In this paper, the structure-borne noise reduction on electrical equipment is discussed by the experimental analysis. The water cooling system in electrical equipment is the only noise source, so the mock-up was made to measure noise characteristics. Effects of power supply, stiffness, isolation of noise source and natural frequency determined by resilient mounts are investigated using the mock-up. The console prototype was made referring to noise reduction technique by the mock-up. The structure-borne noise level of a console prototype was measured and some experiments to reduce the noise was undertaken. The $1^{st}$ and $4^{th}$ harmonics of operating frequency of cooling fans causes highest structure-borne noise levels. The control of operating speeds of several DC cooling fan groups was tried. Also types and installation layouts of resilient mounts were investigated. To reduce structure-borne noise, followings can be applied: increase of stiffness, isolation of source, decrease of natural frequency of mount, combination of operating speed of fans, selection of mounts, and so on.

• Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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• 2014.10a
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• pp.208-213
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• 2014

공동주택의 천장구조는 바닥충격음을 변화시키는 영향요소중의 하나이다. 천장구조의 진동응답 특성이 바닥충격음에 영향을 주는 요소를 확인하기 위해 천장구조의 달대를 제거하여 콘크리트 슬래브의 진동이 천장구조에 전달되지 않는 무달대 천장구조를 개발하였다. 달대가 시공된 일반 천장구조와 대비하여 무달대 천장구조의 천장판 가속도와 바닥충격음 레벨을 비교하였다. 무달대 천장구조를 사용함으로서 콘크리트 슬래브의 진동이 천장구조에 전달되는 것을 절연되어 천장구조의 진동응답 증폭을 저감시킬 수 있었으며, 저주파 대역의 바닥 충격음 증폭 또한 저감시킬 수 있었다. 일반 천장구조는 100 Hz 이하에서 천장구조의 진동응답이 증폭되어 저주파 대역 바닥충격음이 증폭되었다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.34 no.2
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• pp.181-187
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• 1997

The layered BaTiO3 thin films with a high dielectric constant of polycrystalline BaTiO3 and a good in-sulating property of amorphous BaTiO3 were prepared. And their electrical properties were characterized with stacking methods. The BaTiO3 thin films were prepared by rf-magnetron sputtering technique using a ceramic target on Indium-doped Tin oxide coated glasses. A new stacking method resulted in higher dielec-tric constant, capacitance per unit area, and breakdown strength than those prepared by a conventional stacking method; the new method continuously decrease the substrate temperature after initial deposition of a polycrystalline BaTiO3 layer. The observed high dielectric constant could be explained only by a mul-tilayered amorphous/microcrystalline/polycrystalline structure, which was confirmed indirectly by AES depth profile.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.311-311
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• 2016

최근 고성능 디스플레이 개발이 요구되면서 기존 비정질 실리콘(a-Si)을 대체할 산화물 반도체에 대한 연구 관심이 급증하고 있다. 여러 종류의 산화물 반도체 중 a-IGZO (amorphous indium-gallium-zinc oxide)가 높은 전계효과 이동도, 저온 공정, 넓은 밴드갭으로 인한 투명성 등의 장점을 가지며 가장 연구가 활발하게 보고되고 있다. 기존에는 SG(단일 게이트) TFT가 주로 제작 되었지만 본 연구에서는 DG(이중 게이트) 구조를 적용하여 고성능의 a-IGZO 기반 박막 트랜지스터(TFT)를 구현하였다. SG mode에서는 하나의 게이트가 채널 전체 영역을 제어하지만, double gate mode에서는 상, 하부 두 개의 게이트가 동시에 채널 영역을 제어하기 때문에 채널층의 형성이 빠르게 이루어지고, 이는 TFT 스위칭 속도를 향상시킨다. 또한, 상호 모듈레이션 효과로 인해 S.S(subthreshold swing)값이 낮아질 뿐만 아니라, 상(TG), 하부 게이트(BG) 절연막의 계면 산란 현상이 줄어들기 때문에 이동도가 향상되고 누설전류 감소 및 안정성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다. Dual gate mode로 동작을 시키면, TG(BG)에는 일정한 positive(or negative)전압을 인가하면서 BG(TG)에 전압을 가해주게 된다. 이 때, 소자의 채널층은 depletion(or enhancement) mode로 동작하여 다른 전기적인 특성에는 영향을 미치지 않으면서 문턱 전압을 쉽게 조절 할 수 있는 장점도 있다. 제작된 소자는 p-type bulk silicon 위에 thermal SiO2 산화막이 100 nm 형성된 기판을 사용하였다. 표준 RCA 클리닝을 진행한 후 BG 형성을 위해 150 nm 두께의 ITO를 증착하고, BG 절연막으로 두께의 SiO2를 300 nm 증착하였다. 이 후, 채널층 형성을 위하여 50 nm 두께의 a-IGZO를 증착하였고, 소스/드레인(S/D) 전극은 BG와 동일한 조건으로 ITO 100 nm를 증착하였다. TG 절연막은 BG 절연막과 동일한 조건에서 SiO2를 50 nm 증착하였다. TG는 S/D 증착 조건과 동일한 조건에서, 150 nm 두께로 증착 하였다. 전극 물질과, 절연막 물질은 모두 RF magnetron sputter를 이용하여 증착되었고, 또한 모든 patterning 과정은 표준 photolithography, wet etching, lift-off 공정을 통하여 이루어졌다. 후속 열처리 공정으로 퍼니스에서 질소 가스 분위기, $300^{\circ}C$ 온도에서 30 분 동안 진행하였다. 결과적으로 $9.06cm2/V{\cdot}s$, 255.7 mV/dec, $1.8{\times}106$의 전계효과 이동도, S.S, on-off ratio값을 갖는 SG와 비교하여 double gate mode에서는 $51.3cm2/V{\cdot}s$, 110.7 mV/dec, $3.2{\times}108$의 값을 나타내며 훌륭한 전기적 특성을 보였고, dual gate mode에서는 약 5.22의 coupling ratio를 나타내었다. 따라서 산화물 반도체 a-IGZO TFT의 이중게이트 구조는 우수한 전기적 특성을 나타내며 차세대 디스플레이 시장에서 훌륭한 역할을 할 것으로 기대된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.73-73
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• 2009

트렌지스터의 채널 길이가 줄어듦에 따라 절연층으로 쓰이는 $SiO_2$의 두께는 얇아져야 한다. 이에 따라 얇아진 절연층에서 터널링이 발생하여 누설전류가 증가하게 되어 소자의 오동작을 유발한다. 절연층에서의 터널링을 줄여주기 위해서는 High-K와 같은 유전율이 높은 물질을 이용하여 절연층의 두께를 높여주어야 한다. 최근에 각광 받고 있는 High-K의 대표적인 물질은 $HfO_2$, $ZrO_2$와 $Al_2O_3$등이 있다. $HfO_2$, $ZrO_2$와 $Al_2O_3$는 $SiO_2$보다 유전상 수는 높지만 밴드갭 에너지, 열역학적 안정성, 재결정 온도와 같은 특성 면에서 $SiO_2$를 완전히 대체하기는 어려운 실정이다. 최근 연구에 따르면 기존의 High-K물질에 금속을 첨가한 금속산화물의 경우 밴드갭 에너지, 열역학적 안정성, 재결정 온도의 특성이 향상되었다는 결과가 있다. 이 금속 산화물 중 $HfAlO_3$가 대표적이다. $HfAlO_3$는 유전상수 18.2, 밴드캡 에너지 6.5 eV, 재결정 온도 $900\;^{\circ}C$이고 열역학적 안전성이 개선되었다. 게이트 절연층으로 사용될 수 있는 $HfAlO_3$는 전극과 기판사이에 적층구조를 이루고 있어, 이방성 식각인 건식 식각에 대한 연구가 필요하다. 본 연구는 $BCl_3$/Ar 유도결합 플라즈마를 이용하여 $HfAlO_3$ 박막의 식각 특성을 알아보았다. RF Power 700 W, DC-bias -150 V, 공정압력 15 mTorr, 기판온도 $40\;^{\circ}C$를 기본 조건으로 하여, $BCl_3$/Ar 가스비율, RF Power, DC-bias 전압, 공정압력에 의한 식각율 조건과 마스크물질과의 선택비를 알아보았다. 플라즈마 분석은 Optical 이용하여 진행하였고, 식각 후 표면의 화학적 구조는 X-ray Photoelectron Spectroscoopy(XPS) 분석을 통하여 알아보았다.