• Title/Summary/Keyword: 전자 밀도

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전류주입 자기공명영상기법을 이용한 내부 전류밀도 영상에 관한 연구

  • 오석훈;이병일;강현수;우웅제;이수열;조민형
    • Proceedings of the KSMRM Conference
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    • 2001.11a
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    • pp.115-115
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    • 2001
  • 목적: 인체에 전류를 주입할 때, 내부의 전류밀도 분포는 인체 및 전극의 구조, 주입전류, 그리고 생체조직의 임피던스 분포에 의해 결정된다. 내부의 전류밀도 분포는 전류주입 자기공명영상기법에 의해 영상화할 수 있으며, 자기공명 전기임피던스 단층촬영법과 전자기 치료의 최적화 등에 응용할 수 있다. 본 논문은 3차원 팬텀 내부의 전류밀도 분포를 영상화하는 전류주입 자기공명영상기법의 실험결과를 기술한다.

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High-precision Rogowski coil circuit design for SiC MOSFET short circuit detection (SiC MOSFET 단락 검출 회로를 위한 고정밀 Rogowski 코일 회로 설계)

  • Lee, Ju-A;Sim, Dong Hyeon;Son, Won-Jin;Ann, Sangjoon;Byun, Jongeun;Lee, Byoung Kuk
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2020.08a
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    • pp.196-198
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    • 2020
  • 본 논문은 SiC MOSFET의 단락 검출을 위한 고정밀 Rogowski 코일 회로 설계 방법을 제안한다. 설계 방법을 제안하기 위해 먼저 Rogowski 코일의 기본 구성인 적분기를 실제 시스템 요구 사양에 맞추어 설계한다. 설계한 회로의 성능 확인을 위하여 DPT (double pulse test)를 실시하며, test 결과 분석을 통해 문제점을 파악하고 전류 센싱 정밀도 향상을 위해 입출력 필터 설계 및 Rogowski 코일 턴 수를 변경한다. 변경한 각 조건들에 대하여 DPT를 진행하고 각 test 결과를 기반으로 Rogowski 코일 회로 설계 방안을 제안한다.

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The electron density distribution and the structure of semiconductor HgCdTe (반도체 HgCdTe의 전자 밀도 분포와 결정 구조)

  • Kook-Sang Park;Ky-Am Lee
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.4 no.4
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    • pp.388-394
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    • 1994
  • A Hg(0.79)Cd(0.21)Te single crystal has been grown by the Traveling Heater Method(THM). Its zinc blend cubic structure is identified from the X-ray diffraction patterns and its lattice constant is determined to be $6.464 {\AA}$ using the least-square method of Cohen. From the values of the lattice constant, the composition x is determined to be 0.21. The electron density is calculated from the relative intensities of the scattered X-ray and compared with the theoretically calculated values. From the electron density distribution, it is shown that the crystal binding of Hg(1-x)Cd(x)Te(MCT) is mainly covalent and has tetrahedron bonds between adjacent atoms.

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SMP (Symmetric Multi-Power) 안테나에 의한 플라즈마 밀도 분포 개선에 대한 연구

  • Lee, Jae-Won;Kim, Yeong-Cheol;Jeong, Jin-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.558-558
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    • 2013
  • 유도 결합 플라즈마는 반도체 및 디스플레이 플라즈마 공정에서 널리 사용되고 있으며, 이때 대표적인 플라즈마 변수인, 플라즈마 밀도, 전자 온도 그리고 그들의 공간 균일도는 공정결과 및 소자 품질에 직접적인 영향을 준다. 하지만, 기존의 통상적인 유도 결합 플라즈마에서의 안테나 구조는 용량성 결합에 의한 이온 에너지 손실, 불 균일한 플라즈마 밀도 분포 그리고 높은 안테나 전압을 야기한다. 이러한 한계를 극복하기 위하여 SMP, 다중 전력 인가 대칭형 안테나를 고안하여 플라즈마 밀도의 공간 균일도 개선하였다. 구조적으로 두 개의 안테나가 수평면 상에 일정한 간격으로 중첩되며, 전기적으로 다중 전력을 인가하여 안테나 임피던스를 낮추고 안테나 전압을 방위각상 균등 배분하여 용량성 결합 문제를 저감함으로서 플라즈마의 회전방향 균일도를 개선할 수 있었다.

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Calculation of Electron Density and Electronic States in n-AlGaAs/GaAs Heterointerface (수치해석법에 의한 n-AlGaAs/GaAs 이종접합에서의 전자밀도와 전자 상태 계산)

  • Kho, Jae-Hong;Kim, Choong-won;Park, Seong-Ho;Han, Baik-Hyung
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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    • v.25 no.10
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    • pp.1202-1208
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    • 1988
  • The electron density and electronic states in n- AlGaAs/GaAs heterointerface are calculated by using classical- and quantum-mechanics, respectively. We examine the effects of spacer layer thickness and doping concentration in AlGaAs layer on 2DEG density. Also, the dependences of electronic states of 2DEG upon temperature and acceptor concentration in GaAs layer are investigated.

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유도 결합 플라즈마에서의 기체 유량에 따른 전자 에너지 분포의 전이

  • Lee, Hyo-Chang;Jeong, Jin-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.468-468
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    • 2010
  • 유도 결합 플라즈마에서 기체 유량에 따른 전자 에너지 분포 측정과 그에 따른 플라즈마 밀도와 전자 온도의 변화를 관찰하였다. 기체 압력 제어는 조임 밸브 (Throttle valve) 부근의 압력측정을 통한 조임 밸브 조절 방법을 이용하였으며, 이 방법은 공정 플라즈마에서 널리 쓰이는 압력 조절법이다. 낮은 기체 유량에서 측정된 전자 에너지 분포는 두 개의 온도 그룹을 갖는 bi-Maxwellian 분포를 보였다. 하지만, 기체 유량이 증가함에 따라서 전자 에너지 분포는 Maxwellian 분포로 전이를 하였으며, 플라즈마 밀도의 증가와 전자 온도의 감소를 보였다. 이러한 분포 함수의 변화는 기체 압력이 증가함에 따라 나타나는 전자 가열 모드 전이 현상과 일치하였으며, 이는 압력 조절부와 방전 공간 사이의 압력 구배에 의한 것으로 여겨진다. 이러한 결과는 방전 공간과 압력 조절부에서의 기체 압력 측정을 통하여 검증되었으며, 간단한 유체 모델을 통하여 설명될 수 있다.

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Extraction of Average Interface Trap Density using Capacitance-Voltage Characteristic at SiGe p-FinFET and Verification using Terman's Method (SiGe p-FinFET의 C-V 특성을 이용한 평균 계면 결함 밀도 추출과 Terman의 방법을 이용한 검증)

  • Kim, Hyunsoo;Seo, Youngsoo;Shin, Hyungcheol
    • Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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    • v.52 no.4
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    • pp.56-61
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    • 2015
  • Ideal and stretch-out C-V curve were shown at high frequency using SiGe p-FinFET simulation. Average interface trap density can be extracted by the difference of voltage axis on ideal and stretch-out C-V curve. Also, interface trap density(Dit) was extracted by Terman's method that uses the same stretch-out of C-V curve with interface trap characteristic, and average interface trap density was calculated at same energy level. Comparing the average interface trap density, which was found by method using difference of voltage, with Terman's method, it was verified that the two methods almost had the same average interface trap density.

Study on the Composition of Organic Additives for Thickness Control of Ceramic Green Sheets (세라믹 그린 쉬트의 두께제어를 위한 유기물 첨가제 조성에 관한 연구)

  • Kim, Jun-Young;Yoo, Myong-Jae;Park, Jong-Chul
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.11a
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    • pp.184-184
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    • 2008
  • 저온 동시 소성 세라믹(LTCC, Low Temperature Co-firing) 기술 중에서 테이프 캐스팅(tape casting)은 얇고 균일한 세라믹 그린 쉬트를 연속 성형할 수 있으며 성형된 쉬트의 밀도, 표면상태, 두께제어 등이 매우 중요하다. 얇고 균일한 세라믹 그린 쉬트를 제작하기 위해서 슬러리의 분산성과 레오로지 특성은 매우 중요한 요소이며 첨가되는 유기물 첨가제들의 종류와 함량비는 슬러리의 분산성과 점도에 큰 영향을 미친다. 본 연구에서는 유기물 첨가제의 종류와 함량에 따른 슬러리의 점도와 그린 쉬트의 밀도 및 두께 제어에 미치는 영향을 고찰하였다. 바인더로는 acryl, polyvinyl 계를 사용하였으며, 가소제는 glycol, phatalate 계를 사용하였다. 각각 2 종류의 바인더와 가소제의 함량에 따른 레올로지 거동과 그런 쉬트의 밀도를 측정하였다. 각 조성별로 준비된 슬러리를 사용하여 테이프 캐스팅 방법으로 제작된 그린 쉬트의 두께를 측정하여 유기물 첨가제 조성이 그린 쉬트의 두께제어에 미치는 영향을 평가하였다.

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