High-precision Rogowski coil circuit design for SiC MOSFET short circuit detection

SiC MOSFET 단락 검출 회로를 위한 고정밀 Rogowski 코일 회로 설계

  • Lee, Ju-A (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Sim, Dong Hyeon (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Son, Won-Jin (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Ann, Sangjoon (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Byun, Jongeun (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Lee, Byoung Kuk (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University)
  • 이주아 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ;
  • 심동현 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ;
  • 손원진 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ;
  • 안상준 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ;
  • 변종은 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ;
  • 이병국 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과)
  • Published : 2020.08.18

Abstract

본 논문은 SiC MOSFET의 단락 검출을 위한 고정밀 Rogowski 코일 회로 설계 방법을 제안한다. 설계 방법을 제안하기 위해 먼저 Rogowski 코일의 기본 구성인 적분기를 실제 시스템 요구 사양에 맞추어 설계한다. 설계한 회로의 성능 확인을 위하여 DPT (double pulse test)를 실시하며, test 결과 분석을 통해 문제점을 파악하고 전류 센싱 정밀도 향상을 위해 입출력 필터 설계 및 Rogowski 코일 턴 수를 변경한다. 변경한 각 조건들에 대하여 DPT를 진행하고 각 test 결과를 기반으로 Rogowski 코일 회로 설계 방안을 제안한다.

Keywords