• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제8권5호
• /
• pp.658-663
• /
• 1995

전자재료라 총칭하는 재료의 종류는 셀 수 없을 정도로 많다. 대표적인 전자재료로는 반도체재료를 들 수 있으며 다음으로는 전기광학 소자의 재료로 쓰이는 여러가지 광학용 단결정, 그리고 저항이나 축전지 등의 제조에 사용되는 여러가지 재료들도 이에 포함된다. 이러한 전자재료의 특성을 평가하는 방법도 여러가지 있겠으나 여기에서는 그 범위를 임의로 반도체레이저의 제조에 사용되는 화합물반도체에 국한시켜 각 공정별로 이떠한 평가방법이 사용되는지, 그리고 각각의 특성평가 방법에 대하여 간략하게 알아보기로 한다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제6권3호
• /
• pp.200-206
• /
• 1993

유기재료의 Electronic에 관련하는 물성과 구조와의 관계를 전자의 공역계분자와 vander waals상호작용과 Coulomb상호작용과의 조합에 의해서 설명하여 왔다. 앞에서 기술한 바와 같이 Electronic에 관련한 유기재료의 응용은 점점 넓어 지고 있는 추세에 있다. 따라서 이를 위한 유기재료의 전자물성의 평가 및 유기재료의 합성에 관한 많은 연구가 요구된다. 또한 유기재료의 미시적인 연구를 통하여 분자 Level의 기능소자도 가능할 것으로 기대되고 고차구조의 제어에 의한 전자물성의 향상 및 기능의 도출을 통한 그의 응용이 더욱 넓어질 것으로 보인다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제2권2호
• /
• pp.91-102
• /
• 1989

일본에 있어서의 기술잡지등에서 생산기술은 여러 외국에 있어서의 기술잡지등에서 취급하고 있을 정도로 성장하였다. 일본의 기술자는 오랜동안 유럽, 미국으로 부터의 기술도입에 의하여 기술수준을 향상시키는데 불과했으나 그런 동안에 기초적인 학문도 많지는 않았으나 진보하였다. 그 결과, 전기전자재료가 진보하여 전기전자기기의 성능향상에 크게 기여를 하였다. 자성재료도 그중 하나이다. 잘 알고 있는 바와 같이 자성재로는 고투자율재료와 고보자력재료 이른바 자석재료로 대별되는데 고투자율재료에서는 규소강판이외에는 큰 진보는 보이지 않고 있다. 본고에서는 규소강판과 자석재료에 관한 개발동향의 개요를 기술하고저 한다.

• 공업화학전망
• /
• 제23권6호
• /
• pp.25-36
• /
• 2020

용액공정을 통해 유기 전자소자를 대면적으로 제조하는 것은 다양한 장치 구성 요소(반도체, 절연체, 도체)의 패터닝 및 적층이 필요하기 때문에 매우 어려운 과제이다. 본 연구에서는 4개의 광 가교 기능기를 가지는 3차원 사면체 가교제인 (2,2-bis(((4-azido-2,3,5,6-tetrafluorobenzoyl)oxy)methyl)propane-1,3-diyl bis(4-azido-2,3,5,6-tetrafluorobenzoate) (4Bx)를 활용하여 용액공정을 기반으로 형성된 전자재료 박막을 고해상도로 패터닝 및 적층하는 기술을 개발하고, 이를 사용하여 고분자 박막 트랜지스터(PTFTs) 및 논리회로 어레이 제작을 진행하였다. 4Bx는 다양한 용액공정이 가능한 전자재료와 용매에 쉽게 혼합될 수 있으며, 자외선(UV)에 의해 가교제가 광 활성화되어 전자재료와 가교 결합을 형성할 수 있다. 4Bx는 기존의 2개의 광 가교 기능기를 갖는 가교제에 비해 높은 가교 효율로 인해 적은 양을 첨가하여도 완전하게 가교된 전자재료 박막을 형성할 수 있어 전자재료의 고유한 특성을 보존할 수 있다. 더욱이, 가교된 전자재료 박막은 화학적 내구성이 향상되어 고해상도 미세 패터닝을 할 수 있을 뿐만 아니라 용액공정을 통해 전자소자를 구성하는 전자재료의 적층이 가능하다. 4Bx의 광 가교 방법은 전용액공정을 통한 전자소자의 제작에 대한 혁신적인 방안을 제시한다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제9권8호
• /
• pp.859-866
• /
• 1996

본 고에서는 절연재료에 대한 개괄적인 성질과 종류에 대해 간단히 설명하고 현재까지 개발되어 실용화 된 신 절연재료들을 소개하고자한다. 재료에 대한 연구는 절연재료 뿐만아니라 초전도재료, 극저온 재료등 특수한 성질을 갖거나 특수한 환경에서 특성을 유지할 수 있는 재료의 개발과 연구에 관심을 기울여야 할 시기라고 판단된다. 또한 기존의 재료에 대한 면밀한 재검토와 연구.고찰을 통해 보다 향상된 특성을 갖는 재료를 개발하는 것은 근본적으로 새로운 재료의 개발과 연구만큼이나 가치있는 일이라는 사실을 항상 명심해야 할 것이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제35권1호
• /
• pp.86-92
• /
• 2022

Despite otherwise advantageous properties, the performance and reliability of devices manufactured in β-Ga₂O₃ on semi-insulating Ga₂O₃ substrates may degrade because of poorly mitigated self-heating, which results from the low thermal conductivity of Ga₂O₃ substrates. In this work, we investigate and compare self-heating and device performance of β-Ga₂O₃ MESFETs on substrates of semi-insulating Ga₂O₃ and 4H-SiC. Electron mobility in β-Ga₂O₃ is negatively affected by increasing lattice temperature, which consequently also negatively influences device conductance. The superior thermal conductivity of 4H-SiC substrates resulted in reduced β-Ga₂O₃ lattice temperatures and, thus, mitigates MESFET drain current degradation. This, in turn, allows practically reduced device dimensions without deteriorating the performance and improved device reliability.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제36권3호
• /
• pp.298-302
• /
• 2023

In this paper, we discussed the effect of field plate dielectric materials such as silicon dioxide (SiO₂), aluminum oxide (Al₂O₃), and hafnium oxide (HfO₂) on the breakdown characteristics of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes (SBDs). The breakdown voltage (BV) of the SBDs with a field plate was higher than that of SBDs without a field plate. The higher dielectric constant of HfO₂ contributed to the superior reduction in electric field concentration at the Schottky junction edge from 5.4 to 2.4 MV/cm. The SBDs with HfO₂ field plate showed the highest BV of 720 V, and constant specific on-resistance (R_on,sp) of 5.6 mΩ·cm², resulting in the highest Baliga's figure-of-merit (BFOM) of 92.0 MW/cm². We also investigated the effect of dielectric thickness and field plate length on BV.

• 전자진흥
• /
• 제5권2호
• /
• pp.68-85
• /
• 1985

• 전기의세계
• /
• 제16권3호
• /
• pp.42-51
• /
• 1967

현재는 각종물질중의 전자 energy 상태를 자유를 제어하고, 그 energy차에 의한 energy의 흐름을 이용하는 기술이 발전되어 있다고 볼 수 있으며, 양자론적입장에 입각한 electronics라고 할 수 있다. 이러한 electronics에 있어서의 부품및 재료에 대해서 새로운 경향 오늘날의 움직임을 살피고, 아울러 모든 전자재료를 물성론적으로 고찰해보기로 한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
• /
• pp.4-4
• /
• 2008

소형화, 고신뢰성 그리고 고안정성을 갖는 차세대 전자, 통신용 및 의료용 전자 소자에 대한 요구의 증대에 따라 이의 개발이 가속화되고 있다. 이러한 개발에 있어서 핵심적 문제의 하나는 소자 구동을 위한 초소형 고출력 동력원의 개발이다. 이러한 요구 조건에 가장 잘 부합되는 초소형 동력원은 재료공학, 박-후막 공정 및 전기화학기술을 도입하여 제작되는 박막 전지이다. 박막 전지 기술은 재료공학기술, 나노 고정 기술, 박-후막제조기술, 전기화학기술, 마이크로공정기술, 반도체기술 및 집적화를 위한 시스템화 기술을 종합해야하는 기술로 전기, 전자 분야의 급속한 발전과 함께 진행되고 있는 통신, 전자기기 및 의료기기의 초소형화를 가능하게 하는 특징을 가지고 있다. 이 기술은 이차전지(또는 경우에 따라서는 박막형 슈퍼캐패시터와 하이브리드화) 등을 효과적으로 소형, 고출력 및 고안정화하는 기술이 핵심이며 박-후막형 전지의 최적 구동을 위한 시스템 및 나노 재료 기술에 의해서 구현되는 신 개념의 마이크로 파워 소스이다. 이번 발표에서는 박막 전지의 개발 배경과 몇 가지의 기술적 접근의 예를 제시하고자 한다. 특히 최근에는 박막 전지의 개발은 재료, 공정(후-박막 기술) 및 평가 기술 분야에 서의 기여가 매우 중요하다는 것을 인식하게 되었으며 이러한 과정에서 박막 전지의 개발은 기술적인 면에서 단순히 특정 단일 분야의 주도가 아닌 기술간 융합적 접근(예를 들어 재료와 반도체 공정 또는 이온 재료와 전자 재료 간의 융합)의 필요성이 매우 높아지고 있음을 제시하고자 한다.