• Title/Summary/Keyword: 전자소자

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코어-쉘 나노입자를 이용한 메모리 소자에서 쉘의 유무에 따른 전도도 특성 및 전하수송 메커니즘

  • Yun, Dong-Yeol;Ryu, Jun-Jang;Kim, Tae-Hwan;Kim, Sang-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.300.1-300.1
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    • 2014
  • 유기물 박막에 나노입자가 분포되어 있는 나노복합체를 이용한 전자 소자는 낮은 소비 전력, 낮은 공정 가격, 그리고 높은 기계적 휘어짐이 가능하기에 차세대 전자 소자로 많은 연구가 진행되고 있다. 친환경 소자를 지향하는 현대 기술에서 환경 친화적 코어-쉘 구조의 나노입자를 이용한 나노복합체는 차세대 전자 소자 중 비휘발성 메모리 소자 연구에서 뛰어난 소자 성능을 보여주고 있어 큰 관심을 받고 있으나 코어-쉘 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 쉘의 유무에 따른 전도도 특성 및 전하수송 메커니즘 연구는 아직 미미한 실정이다. 본 연구에서는, indium-tin-oxide가 코팅된 polyethylene terephthalate 기판 위에 CuInS2 (CIS)-ZnS 친환경 코어-쉘 나노입자가 poly (methylmethacrylate) (PMMA) 안에 분산된 박막을 이용한 비휘발성 메모리 소자를 제작하여 ZnS 쉘이 전기적 전도도에 미치는 영향을 관찰 하였다. CIS-ZnS 코어-쉘 나노입자에서 ZnS 쉘이 없어도 메모리 소자의 전류-전압 특성에서는 높은 전도도 (ON)와 낮은 전도도 (OFF) 상태가 존재하는 전류 쌍안정성 동작을 보이지만, ZnS 쉘의 유무에 따라 ON/OFF 비율 차이를 보여 전도도 특성이 다름을 관측 하였다. 반복된 전계적 스트레스에 의한 전도도 상태 유지 능력 측정을 수행하여 ZnS 쉘의 유무에 따른 소자의 전도도 안정성 능력을 관측하였다. 측정된 전기적 특성을 기반으로 PMMA 박막 안에 분산된 CIS-ZnS 코어-쉘 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자에서 ZnS 쉘의 따른 전도도 특성 및 전하수송 메커니즘 특성을 설명하였다.

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CVD 및 PVD를 이용한 2차원 TMDC 성장연구

  • Jeong, Jong-Wan;Hussain, Sajjad;Kim, Hyeji
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.115.2-115.2
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    • 2014
  • 2004년에 최초의 2D 물질인 그래핀이 발표된 이후로 그래핀에 대한 관심이 매우 높다. 그래핀은 매우 높은 캐리어 이동도와 높은 광학 투과도, 높은 기계적 강도, 뛰어난 유연성등 다양하고, 뛰어난 물리적, 광학적, 기계적 성질을 갖고 있다. 이러한 뛰어난 성질로 인해 초고속 전자소자, 유연소자, 투명전극, 광학소자등 다양한 분야의 응용이 기대되어, 현재 물리학, 화학, 재료등 여러분야에서 활발히 연구가 진행되고 있다. 이러한 활발한 연구에도 불구하고 그래핀이 가진 기본적인 물리적 특성인 "제로 밴드갭" 특성으로 인해 낮은 소모전력이 요구되는 전자소자와 또한 광학소자로서의 응용에 한계를 보이고 있는 것이 사실이다. 그래핀의 기본적인 물리적 성질인 "제로 밴드갭"에서 탈출해 밴드갭을 증가하기 위해 나노리본, 바이레이어 그래핀등, 다양한 연구가 진행되고 있다. 하지만, 이를 통한 밴드갭의 증가량은 충분히 크지않아서 그래핀의 전자 및 광학적 응용이 아직까지는 매우 어렵다. 이러한 그래핀의 물질적 한계에 비추어 최근에 그래핀과 달리 충분한 밴드갭이 있어 반도체 특성을 가지는 Transition Metal DichalCogenide (TMDC) 물질에 대한 관심이 매우 높다. TMDC물질은 그래핀과 같이 2차원 물질로서 극히 얇으며, 또한 밴드갭을 가지고 있다. 따라서 실리콘과 같이 전자소자, 광학소자의 응용이 더욱 현실적으로 가능하다. 가장 대표적인 물질은 MoS2, WS2등을 들수 있다. TMDC 물질의 연구에서 가장 기본적으로 선행되어야할 연구분야는 바로 물질 성장에 있으며, 본 연구에서는 가장 대표적인 성장방법인 화학기상증착(CVD), 스퍼터링-물리적기상증착 (PVD)를 이용한 MoS2, WS2등의 TMDC의 성장연구에 대해 논의하고자 한다.

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An Experimental Analysis for a High Pulse Radiation Induced Latchup Conformation (고준위 펄스방사선에 의한 전자소자 Latchup의 발생시험 및 분석)

  • Lee, Nam-Ho;Hwang, Young-Gwan;Jeong, Sang-Hun;Kim, Jong-Yeol
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.18 no.12
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    • pp.3079-3084
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    • 2014
  • When an integrated circuit device is burned out under high-intense radiation and device-level simulation that usually requires manufacturer's proprietary information is not available, experimental conformation of a failure mechanism is often the only choice. To distinguish Latchup from other causes experimentally, a new combination of multiple techniques have been developed and demonstrated. Power supply circumvention, hot-spot monitoring using an infrared camera, and supply current monitoring techniques were implemented for the conformation of the Latchup.

실리콘 기반 물질의 광 방출 특성

  • Park, Gyeong-Wan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.64-64
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    • 2012
  • 기존 실리콘 전자소자와 광소자를 접목한 실리콘 광전 집적회로를 구현하기 위하여, 또한, 실리콘 계 광소자에서 예상하는 장점으로 인하여 실리콘 계 광소자 연구가 꾸준히 진행되어 왔다. 본 발표에서는 그동안 수행하였던 여러 가지 실리콘 계 광물질의 합성과 광 특성 그리고 광 방출 메카니즘에 관하여 논의하고자 한다.

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Photonic Crystals: Theory and Applications (광자결정: 이론과 응용)

  • 기철식;임한조
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2003.07a
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    • pp.4-5
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    • 2003
  • 21세기의 정보화 사회에는 많은 양의 정보를 신속하게 전달하며 처리하는 기술이 요구될 것이라는 것은 누구나 예상하는바 이다. 하지만, 20세기의 과학발전을 주도했던 전자소자는 이러한 요구에 부응하기 어렵다는 것이 전문가들의 공통된 견해이며 그 대안을 광을 이용한 광소자에서 찾고 있다. 헌데, 기존의 광소자들로는 효율과 소자의 크기 면에서 한계를 보이고 있어 그 한계를 극복할 대안이 요구되어진다.(중략)

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전자 주입층 $Li_2CO_3$를 사용한 유기 발광 소자의 특성 변화에 대한 연구

  • Mok, Rang-Kyun;Jang, Kyung-Uk;Lee, Ho-Sik;Chung, Dong-Hoe;Kim, Tae-Wan
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2010.06a
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    • pp.185-185
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    • 2010
  • 유기 발광 소자에서 $Li_2CO_3$를 전자 주입층으로 사용하여 전류, 전압, 휘도 그리고 수명을 살펴 보았다. 전자 주입층을 사용함으로써 음전극과 전자 수송층 사이의 전자 주입의 에너지 장벽을 낮출 수 있다. 전자 주입층에 Ca, Mg, Li 등과 같은 낮은 일 함수의 금속을 사용하면, 음전극과 유기물층 사이의 효과적인 전자 주입을 도울 수 있다. 소자의 구조는ITO/TPD(40nm)/$Alq_3$(60nm)/$Li_2CO_3$(xnm)/Al(100nm)으로 하였으며, $Li_2CO_3$의 두께를 0.1, 0.2, 0.3, 0.5, 0.7, 0.9, 1.2, l.5nm로 변화시켜 소자를 제작하였다. $Li_2CO_3$의 박막 두께가 0.3nm일 때, 전자 주입층을 사용하지 않은 소자에 비하여 효율은 2.4배 증가하였고, 구동전압은 0.75V 낮아졌다.

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Recent Research Trend in Deformable Devices Composed of Ga-based Liquid Metal (갈륨 기반 액체 금속을 활용한 형태가변형 전자 소자의 최신 연구 동향: 소재 및 제조 공정)

  • Ye Seul Nam;Kangto Han;Ji Hwan Jung;Siyoung Lee;Geun Yeol Bae
    • Journal of Adhesion and Interface
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    • v.24 no.2
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    • pp.41-53
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    • 2023
  • The deformable devices refer to the devices that can maintain their initial performance even when stretched or bent. Among the materials used as conductor in deformable devices, Ga-based liquid metal is one of the most promising materials because it can provide not only high conductivity and deformability but also low toxicity. In this paper, we introduce Ga-based liquid metals and then discuss the recent research trend in deformable devices composed of Ga-based liquid metal.

Flat Panel Display를 위한 구동방식 및 구동회로

  • 권오경
    • The Magazine of the IEIE
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    • v.22 no.3
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    • pp.92-105
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    • 1995
  • 각 분야에서 고화질 고해상도의 Flat Panel Display(FPD)에 대한 요구가 급증하고 있으며, FPD 소자들도 다양하다. FPD를 위한 구동방식은 근본적으로 matrix addroessing 방식을 사용하지만 FPD 소자의 동작 원리, 특성, 구동상의 문제점 등에 따라서 구동방식도 매우 다양하다. 다양한 FPD 소자들이 구동 방식과 구동회로를 다 살펴볼 수 없으므로 본고에서는 FPD소자인 PDP, EL, LED, EC, LCD, DMD, AMA, GLV, FED 등의 동작 원리를 설명하고, 이 소자들 중에서 AMLCD와 dc-PDP 소자의 구동방식과 구동회로에 대하여 논의한다. AMLCD의 구동방식으로는 펄스 구동 방식과 용량 구동 방식을 살펴보고, AMLCD의 문제점들을 극복할 수 있는 방법들을 설명한다. dc-PDP의 구동 방법인 pulse-memory 구동방식과 새로운 pulse-memory 구동 방식을 살펴보았다.

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Experimental fabrication and analysis on the double injection semiconductor switching devices (반도체 DI swiching 소자의 시작과 특성에 관한 실험적 고찰)

  • 성만영;정세진;임경문
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.4 no.2
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    • pp.159-174
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    • 1991
  • 이중주입효과에 의한 고내압 반도체 스위칭소자의 설계 제작에 촛점을 맞추어 Injection Gate구조와 MOS Gate 구조로 시료소자를 제작해 그 특성을 검토하고 Electrical Switching 및 Oxide막에서의 Breakdown현상에 의한 문제점을 해결해 보고자 Optical Gate구조를 제안하여 이 optically Gated Semiconductor Switching 소자의 동작특성을 연구하고 Injection Gate 구조를 제안하여 이 optically Gated Semiconductor Switching 소자의 동작특성을 연구하고 Injection Gate 및 MOS Gate 구조(Planar type, V-Groove type, Injection Gate mode, Optical Gate mode)로 설계제작된 소자와 특성을 비교 분석하였다.

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Silicon Thermoelectric Devices (실리콘 열전소자 기술)

  • Jang, M.G.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.27 no.1
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    • pp.31-37
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    • 2012
  • 최근 들어 나노기술의 발전에 힘입어 청정 에너지를 구현할 수 있는 열전소자 분야의 연구가 활발히 진행되고 있다. 열전소자는 태양에너지를 이용한 발전뿐만 아니라, 체열, 폐열 및 지열 등을 이용한 발전 등 응용처가 매우 다양하며, 청정 에너지를 생산할 수 있는 미래 지향적인 특성을 가진 분야라 할 수 있다. 그러나 아직까지 나노기술을 기반으로 한 고효율의 열전소자는 기초 연구수준에서 그 가능성만 일부 선행 연구를 통하여 입증된 상태이다. 본고에서는 최근 들어 나노기술의 접목으로 새로이 주목 받고 있는 열전소자의 동작 원리에 대한 간략한 소개와 특히, 실리콘을 이용한 나노기술의 접목을 통한 열전소자의 최근 연구동향에 대하여 살펴보고자 한다.

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