• 전자공학회논문지
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• 제53권5호
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• pp.98-107
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• 2016

합성형 멤리스터 에뮬레이터와 M-R 뮤테이터 기반 멤리스터 에뮬레이터의 특성들을 분석하고 차이점을 비교하였다. 멤리스터는 가변 저항 특성을 갖는 소자로서 저항, 커패시터, 인덕터 다음의 4번째 전기회로 기본소자이다. 멤리스터 에뮬레이터는 이 멤리스터의 가변저항 특성을 전자소자들을 조합하여 구현한 회로인데, 멤리스터 상용화 이전까지의 멤리스터 연구를 위해서는 필수 회로이다. 대표적인 멤리스터 에뮬레이터에는 그 구현 방법에 따라 전자소자들을 조합하여 가변 저항특성을 구현하는 합성형 멤리스터 에뮬레이터와 M-R 뮤테이터를 사용하여 비선형소자로부터 가변저항 특성을 구현하는 M-R 뮤테이터 기반 멤리스터 에뮬레이터가 있다. 본 논문에서는 이 두 가지 에뮬레이터의 구현 방법과 특성들을 분석하고 그 차이점을 연구하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제29권2호
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• pp.19-31
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• 2022

최근 거대 데이터 기반의 미래 기술이 발전함에 따라 전자 소자의 고성능 및 고집적화 추세가 지속되고 있는데, 이는 심각한 발열 문제를 수반하여 소자의 신뢰성을 위협하는 주요 요인으로 작용하고 있다. 효과적인 열관리 대책을 수립하기 위해서는 소자의 구동 환경에서 온도 분포를 정확히 평가하고 방열 경로를 설계하는 것이 필요하다. 본 논문에서는 소자의 온도 분포를 비접촉 방식의 높은 공간 및 시간 분해능으로 관찰할 수 있는 열반사 현미경 기술을 소개한다. 구체적으로 열반사 현미경의 원리 및 구동 형태를 알아보고, 온도, 공간, 시간 분해능 향상을 위한 최신 연구 동향과 다양한 전자 소자의 온도 및 열적 특성 분석에 적용된 사례를 함께 살펴본다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제29권4호
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• pp.49-53
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• 2022

본 연구는 최적화된 전기발광 성능을 가진 양자점 전계 발광 다이오드 소자를 제작하기 위해 RF sputtering 기법으로 Zn_0.85Mg_0.15O 박막을 전자수송층으로 적용하였다. 일반적으로 양자점 전계 발광 다이오드에서 ZnO 나노입자는 적절한 에너지 준위를 가지고 있어 전자 이동도가 빠르고 용액 처리가 용이하다는 장점으로 전자 수송층으로 널리 사용되는 재료이다. 그러나, 용액형 ZnO 나노입자의 불안정성 문제는 아직 해결되지 않고 있다. 이를 해결하기 위해 본 연구에서는 ZnO에 15 % Mg을 도핑한 ZnMgO 박막을 RF sputtering법으로 제작하고 전자수송층으로 적용한 소자를 최적화하였다. 최적화된 ZnMgO 박막을 이용한 소자는 최대 휘도 15,972 cd/m², 전류효율 7.9 cd/A를 보였다. Sputtering ZnMgO 박막 기반 양자점 전계 발광 다이오드 소자는 용액형 ZnO 나노입자의 문제를 해결하고 미래 디스플레이 소자 제작 기술의 적용 가능성을 확인하였다.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2005년도 춘계학술대회논문집
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• pp.189-193
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• 2005

본 논문에서는 수동소자와 능동소자를 이용한 형광램프용 전자식 안정기의 보호회로를 PSpice 시뮬레이션을 사용하여 설계 제작하여 32W형광램프용 전자식 안정기에 적용하였다.

• 전기의세계
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• 제20권1호
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• pp.45-47
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• 1971

공업전자의 현황과 전망에서는 SCR을 주축으로 한 반도체소자를 이용한 Energy변환 및 제어의 분야의 반도체소자를 매개로한 Energy변환과 제어 및 기계의 전자화된 조절장치를 체계화한 전기공학의 분야에 대해 설명했으며, 우주통신과 우주선 추적에서는 아폴로 S대통일계통, Goddard식 거리속도추적계통, 중계위성에 대해 설명했으며 Feedback inbiological systmems lecture notes에서는 Familar definition of Feedback, Definition of Control Feedback에 대해 논하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.339-340
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• 2009

유기발광소자는 자체발광 및 유연한 디스플레이 소자로의 응용 가능성이 높아 많은 사람들의 관심을 끌고 있다. 하지만 아직 소자의 효율 및 수명의 한계로 인하여 부분적인 상용화만이 진행된 상황이다. 본 논문에서는 이러한 유기발광소자의 효율 및 수명에 직접적인 영향을 끼치는 전기전도메커니즘에 대하여 온도별, 발광층의 두께별 전기전도메커니즘을 전류-전압특성을 통해 살펴보았다. 연구를 통해 저전계 영역에서의 전도는 옴영역에서 열여기된 전하의 이동이 원인임을 알 수 있었고 고전계영역에서는 높은 전계에 의한 전하의 터널링에 의해 일어남을 알 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제18권1호
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• pp.35-40
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• 1981

분무법(spray method), 화학증착법(chemical vapor deposition method) 및 진공도착법 등을 사용하여 SRO2, SROr-ZnO 및 ZnO 박막가스 검지소자를 제조하였다. 제된된 소자들은 CO 및 SO2 등 유독가스를 포함한 여러 가지 가스에 대해 민감한 반응을 나타내었다. 박막가스 검지소자가 각종 가스와 접촉할 때 생기는 전기시도도의 변화는 이들 가스의 표면흡착에 의한 캐리어밀도의 변화에 기인하는 것으로 사료된다. 아울러 제조된 청막소자의 전기부도도는 소자 주위에 유지되는 기력에 따라 크게 달라짐을 알 수 있었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제1권3호
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• pp.228-234
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• 1988

본 논문에서는 자기 버블 및 VBL 기억 소자의 기본적인 동작원리 및 사용되는 재료 특히 자기 가넷 박막의 설계와 제조과정을 살펴보았다. 자기 가넷의 가장 큰 장점중의 하나는 응용 분야에 따라 원하는 자기적 특성을 갖는 박막을 쉽게 성장시킬 수 있다는 장점이다. 그러나 현재의 결과로는 0.3.mu.m 이하의 직경을 갖는 버블 박막은 가넷을 이용하여서는 제조하기 힘들므로 그보다 작은 버블을 원하면 육방정계 페라이트나 비정질 합금을 이용하여야 할 것으로 보인다. VBL소자의 경우 0.5.mu.m직경의 버블로 1Gbit/$cm^{2}$의 기록 밀도가 예상되므로 가까운 장래에는 가넷이외의 재료를 생각할 필요는 없을 것이다. 현재의 연구 추세로는 0.3.mu.m직경의 버블을 이용한 버블 소자가 개발되면 또는 그 이전에라도 VBL 소자가 버블 소자를 대치할 것으로 보여 한동안 가넷이외의 재료에 대한 연구는 활발하지 않을 것으로 전망된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.499-501
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• 2002

본 연구에서는 ETL층으로 널리 알려져 있는 PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl) -1.3,4oxadiazole)를 HBL(Hole-blocking layer) 물질로 이용 하고 Nile red를 사용하여 적색 발광의 EL(electroluminescence) 소자를 제작 평가하였다. 일반적인 유기 EL 소자의 구조인 Anode/HTL(Hole Transport Layer)/ETL(Electron Transport Layer)/Cathode로 이루어져 있다. 여기에 HTL과 ETL사이에 HBL를 추가하여 EL 소자의 성능을 향상 시킬 수 있으면, 이러한 구조의 최종 소자를 제작 EML(emitting layer; Nile red)의 두께 및 임계전압을 달리 하여 소자 의 특성을 평가 연구 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.388-388
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• 2013

현대 사회에서 고집적 및 고성능의 전자소자의 필요성은 지속적으로 요구되고 있으며, 투명하거나 플렉서블한 특성의 필요성에 따라 이에 대한 기술개발이 이루어지고 있다. 특히, 이러한 특성을 만족하면서 대면적화 및 저온 공정의 특성을 지니는 유기물 반도체가 주목받고 있고, 이를 이용하여 OLED (Organic Light Emitting Diode), OTFT (Organic Thin Film Transistor)와 같은 다양한 유기물 반도체 소자가 개발되고 있다. 대표적인 예로는이 있다. 유기물 반도체 소자의 특성을 이용한 메모리 소자 또한 연구 및 개발이 지속되고 있으며, 유연성과 낮은 공정가격 등의 특성을 가지는 나노 입자들이 기존 Floating Gate의 대체물로 각광받고 있다. 본 논문에서는 MIS (Metal/Insulator/Semiconductor) 구조를 제작하고, Insulator 내부에Core/Shell 구조를 가지는 CdSe/ZnS 나노 입자를 부착하여 메모리 소자의 특성 확인 및 단위 면적당 개수에 따른 특성 변화를 확인하고자 하였다. 합성된 PVP (Poly 4-Vinyl Phenol)를 Insulator 층으로 사용하였으며 단위 면적당 나노 입자의 개수를 조절하여 제작된 MIS 소자를 Capacitance versus Voltage (C-V) 측정을 통하여 변화특성을 확인하였다.