• Title/Summary/Keyword: 전자부품연구소

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Propagation Properties of Magnetostatic Surface Wave on Low Loss Magnetic Ferrites (저손실 자성체에서 정자표면파 전파특성)

  • Kim, Meyng-Soo;Han, Gee-Pyeong;Kim, Yark-Yeon;Lee, Chang-Hwa;Jun, Dong-Suk;Lee, Sang-Suk
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 1998.10a
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    • pp.391-394
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    • 1998
  • Telecommunication system demands for increased bandwidths and operating frequencies for analog signal processing could be satisfied in the near future by the emergence of a novel technology based on magnetostatic waves propagating in low loss ferrimagnetic films. The magnetostatic wave n the only available technology for analog signal processing directly at microwave frequencies.

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DC and RF Characteristics of 100-nm mHEMT Devices Fabricated with a Two-Step Gate Recess (2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100 nm mHEMT 소자의 DC 및 RF 특성)

  • Yoon, Hyung Sup;Min, Byoung-Gue;Chang, Sung-Jae;Jung, Hyun-Wook;Lee, Jong Min;Kim, Seong-Il;Chang, Woo-Jin;Kang, Dong Min;Lim, Jong Won;Kim, Wansik;Jung, Jooyong;Kim, Jongpil;Seo, Mihui;Kim, Sosu
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.30 no.4
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    • pp.282-285
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    • 2019
  • A 100-nm gate-length metamorphic high electron mobility transistor(mHEMT) with a T-shaped gate was fabricated using a two-step gate recess and characterized for DC and microwave performance. The mHEMT device exhibited DC output characteristics having drain current($I_{dss}$), an extrinsic transconductance($g_m$) of 1,090 mS/mm and a threshold voltage($V_{th}$) of -0.65 V. The $f_T$ and $f_{max}$ obtained for the 100-nm mHEMT device were 190 and 260 GHz, respectively. The developed mHEMT will be applied in fabricating W-band monolithic microwave integrated circuits(MMICs).

항공전자부품의 감항성 인증

  • Han, Sang-Ho
    • The Journal of Aerospace Industry
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    • s.67
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    • pp.22-46
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    • 2004
  • 항공전자부품은 항공기의 핵심기능 분야를 구성하는 부품으로서 개발 및 제작 단계에서 안전성 및 신뢰성 평가를 수행하여야 하며 개발한 항공전자부품을 항공기에 창착하기 위해서는 감항기준에 의거한 적합성을 검증 받아야 한다. 미국 연방항공청에서 고시하고 있는 기술표준품(TAO) 중 항공전자부품은 약 65%를 차지하고 있으며 TSO로 지정되지 않은 PMA 부품 등을 고려하며 부품의 종류 및 량은 상당수에 이르고 있다. 최근의 항공전자부품은 디지털화의 가속화로 비행안전기능이 보강되고 조종사의 업무강도를 줄이는 방향으로 발전되어 가고 있다. 그리고 이러한 분야에는 소프트웨어가 채용되어 소프트웨어의 인증이라는 인증절차가 개발되고 있다. 이 글은 국산 항공전자부품의 개발에 앞서 항공전자부품의 인증 내역을 제시함으로서 국내 독자적인 인증 수행은 물론 설계 참여자들이 인증에 대한 인식이 될 수 있도록 하였고 내용적으로는 미연방항공청(FAA)과 유럽공동감항기구(JAA)의 절차를 중심으로 작성하였다.

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Effect of Oxygen Mixture Ratio on the Properties of ZnO Thin-Films and n-ZnO/p-Si Heterojunction Diode Prepared by RF Sputtering (산소 혼합 비율에 따른 RF 스퍼터링 ZnO 박막과 n-ZnO/p-Si 이종접합 다이오드의 특성)

  • Gwon, Iksun;Kim, Danbi;Kim, Yewon;Yeon, Eungbum;Kim, Seontai
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.29 no.7
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    • pp.456-462
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    • 2019
  • ZnO thin-films are grown on a p-Si(111) substrate by RF sputtering. The effects of growth temperature and $O_2$ mixture ratio on the ZnO films are investigated by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), and room-temperature photoluminescence (PL) measurements. All the grown ZnO thin films show a strong preferred orientation along the c-axis, with an intense ultraviolet emission centered at 377 nm. However, when $O_2$ is mixed with the sputtering gas, the half width at half maximum (FWHM) of the XRD peak increases and the deep-level defect-related emission PL band becomes pronounced. In addition, an n-ZnO/p-Si heterojunction diode is fabricated by photolithographic processes and characterized using its current-voltage (I-V) characteristic curve and photoresponsivity. The fabricated n-ZnO/p-Si heterojunction diode exhibits typical rectifying I-V characteristics, with turn-on voltage of about 1.1 V and ideality factor of 1.7. The ratio of current density at ${\pm}3V$ of the reverse and forward bias voltage is about $5.8{\times}10^3$, which demonstrates the switching performance of the fabricated diode. The photoresponse of the diode under illumination of chopped with 40 Hz white light source shows fast response time and recovery time of 0.5 msec and 0.4 msec, respectively.

공지사항

  • Korea Electronics Association
    • Journal of Korean Electronics
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    • v.5 no.8
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    • pp.98-108
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    • 1985
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A Camera Panning Warning System Based on Lane Detection (차선 검출 기반 카메라 이동 경보 시스템)

  • Do, Jin-Kyu;Kim, Gyu-Yeong;Kim, Hyun-Tae;Park, Jang-Sik;Yu, Yun-Sik
    • Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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    • 2012.11a
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    • pp.616-618
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    • 2012
  • 본 논문에서는 터널 내 환경에서 2차 사고의 위험성이 되는 정지차량, 보행자와 같은 유고상황 검출 시스템의 안전성을 확보하고 효율성을 증대시킬 수 있도록 하기위해 차선검출알고리즘에 기반하여 카메라 이동을 조기에 감지하는 방법을 제시한다. 제안하는 알고리즘은 다른 컬러변환 및 복잡한 계산량 증가 없이 입력되는 RGB 컬러 정보의 실험적 분석을 통하여 효과적으로 차선을 검출함으로써 카메라 이동을 감지한다. 제안하는 알고리즘은 직선을 찾는 알고리즘에 비해 수행시간을 단축시킬 수 있으며 실시간 처리에 용이함을 알 수 있으며 운전보조안전시스템에서 활용 가능함을 알 수 있다.

전자부품 산업에서의 펨토초 레이저 기술 실용화 연구

  • Hong, Sang-Su
    • The Optical Journal
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    • s.105
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    • pp.24-26
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    • 2006
  • 현재까지 펨토초 레이저 공정 기술은 아직 도입기이며 이제 막 전자부품 제조업에 적용하고자 하는 시도가 일고 있다. 펨토초 레이저는 전자부품 제조공정 일선에 산적한 기술적 숙제들을 해결할 수 있는 많은 잠재적 장점들을 가지고 있다고 판단된다. 그러나 아직까지 양산성을 갖출 수 있는 실용화 연구가 미흡하여 본격적인 기술 개화기에 접어들지 못하고 있다. 대학 및 연구소를 중심으로 진행되고 있던 펨토초 레이저 기술을 삼성전기를 필두로 하여 실용화시키는 연구를 활발히 진행한다면 보다 큰 기술시장에서 펨토초 레이저 기술이 주목 받을 시기가 올 것이다.

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