• 제목/요약/키워드: 전압 측정

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Aluminum 1060의 저출력 전자빔 용접부 bead 특성

  • 이돈배;우윤명;김기환;김창규
    • 한국원자력학회:학술대회논문집
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    • 한국원자력학회 1998년도 춘계학술발표회논문집(2)
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    • pp.262-266
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    • 1998
  • 하나로 핵연료의 피복관과 봉단마개 재료로 사용되는 Aluminum 1060의 전자빔 용접부의 비드 특성을 조사하기 위하여 bead-on-plate 용접을 하였다. 비드의 단면을 절단하여 가속전압, 빔 전류, 용접속도에 따른 비드의 폭과 용입 깊이의 변화를 측정하고 용접부에 발생한 용접결함을 관찰하였다. 실험결과 가속전압과 범 전류의 증가에 따라 용입 깊이는 직선 비례적으로 계속 증가하였지만 비드폭은 그 증가율이 감소하는 경향이었다. 용접속도의 증가에 따라서 비드 폭과 용입깊이는 감소하는 경향을 보였다. 또한 범 출력이 높은 용접부의 root부에 다수의 porosity 가 발생하는 것을 관찰 할 수 있었으며 핵연료 봉단 마개의 porosity와는 다른 것을 확인하였다.

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발전기 탈락 시 Wavelet Transform과 Singular Value Decomposition을 이용한 특성 분석 (Effect Analysis of Generator Dropping Using Wavelet Singular Value Decomposition)

  • 노철호;김원기;한준;김철환
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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    • pp.49-50
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    • 2011
  • 본 논문에서는 WT(Wavelet Transform)와 SVD(Singular Value Decomposition)를 함께 사용한 WSVD(Wavelet Singular Value Decomposition)를 이용하여 발전기 탈락 시의 전압 변동 특성을 분석하였다. WSVD 특성 분석을 위해 부산 지역의 345kV급 송전계통을 EMTP-RV로 모델링하였으며, 이 계통모델에서 발전기 탈락을 모의하였다. MATLAB을 통해 이 때 측정된 전압의 WSVD를 계산하여 발전기 탈락에 따른 특성을 분석하였다.

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2중 정현파 PWM 인버어터에 관한 연구 (A Study on the Double Sinusoidal Modulated PWM Inverter)

  • 윤병도;이양우;차득근
    • 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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    • 제3권3호
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    • pp.68-76
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    • 1989
  • 본 논문은 2중 정현파 변조 PWM 인버어터의 출력전압 파형을 해석하고 6502 마이크로 컴퓨터에 의한 3상 유도전동기의 인버어터 구동특성을 고찰하였다. 2중 정현파 변조신호는 1주기에 $4\pi$/3[rad] 기간동안 변조신호가 발생되게 하였으므로 인버어터의 스위칭 손실은 정현파 PWM 인버어터보다 감소시킬 수 있다. 인버어터 출력 선간전압의 기본파 진폭치는 2중 정현파 PWM 인버어터가 종래의 정현파 PWM 인버어터 보다 이론치는 1.15배 되지만 FFT 분석기에 의한 실제 측정값은 1.13배로 나타났다.

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속도포화 효과를 고려한 caughey-thomas 이동도 모델의 구현 (An implementation of the caughey-thomas mobility model with velocity saturation)

  • 윤석성;이은구;윤현민;김태한;김철성
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
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    • pp.457-460
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    • 1998
  • 단 채널 MOSFET 소자의 드레인 전압-드레인 전류 특성을 예측하기 위해서 caughey-thomas 이동도 모델을 수치적으로 구현하는 방법을 제안한다. 구현된 caughey-thomas 모델의 정확한 특성을 검증하기 위해서 0.5[.mu.m]의 설계규칙을 가즌 ASIC용 공정으로 n-MOSFET과 p-MOSFET을 제작하였다. 전자 및 정공의 포화속도 값이 각각 6.2*10/sup 6/[cm/sec] 과 1.034*10/sup 7/[cm/sec]인 경우에 채널길이가 0.5[.mu.m] 이상인 n-MOSFET과 p-MOSFET의 드레인 전압-드레인 전류특성의 모의실험 결과는 측정값에 비하여 10% 이내의 상대오차를 보였다.

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XeF(C\rightarrow$A) 레이저 여기용 2.5MeV e-Beam 가속기 개발 (A Development of 2.56 MeV e-Beam Accelerator for Excitation of XeF(C\rightarrow$A) Laser)

  • 류한용
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 1991년도 제6회 파동 및 레이저 학술발표회 Prodeedings of 6th Conference on Waves and Lasers
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    • pp.18-21
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    • 1991
  • 청록색 영역에서 발진하는 XeF(C$\longrightarrow$A)엑사이머 레이저 여기용 2.56MeV 전자빔 가속기를 개발하였다. 대출력 전자빔 가속기는 $\pm$80kV로 충전하는 Marx Generator를 동축구조로 꾸밈으로서 낮은 임퍼던스와 인덕턴스를 유지할 수 있었고, 빠른 전압상승과 유사구형파 출력을 얻을 수 있었다. 본 연구에서는 대출력 전자빔가속기 (2.56 MeV, 2.2KJ)의 파라메터와 동작특성, 전압측정 등을 기술한다.

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게이트 전압 패턴 분석을 통한 IGBT의 대전류 스위칭 특성 분석 방법 (A Gate Pattern Diagnosis Method of IGBT to Evaluate Internal Temperature)

  • 김봉석;고광철
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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    • pp.1332-1333
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    • 2008
  • 본 논문은 IGBT의 transient turn off 시간 동안 게이트 전압의 변화를 측정하여 IGBT가 스위칭 조건에서 상당히 열적 스위칭 특성이 많은 영향을 미치는 파워 모듈레이터나 인버터 시스템에서 간단하게 IGBT의 내부 온도를 유추하는 방법을 제안하고 있다.

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인체 착용을 위한 압전에너지 융합형 촉각센서 어레이 (Wearable touch sensor array integrated with energy harvester)

  • 박지욱;안용호;윤광석
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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    • pp.1221-1222
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    • 2015
  • 본 연구에서는 촉각 센서와 에너지 수확소자가 한 소자에 융합되어있는 구조를 제안한다. 이 소자는 압전 스트랩과 유연한 튜브, 폴리머 필름으로 구성되어있으며, 유연하며 잘 늘어나는 직물구조를 갖는다. 완성된 소자에 수평방향의 인장 및 수축 힘이 가해지면 전압이 발생하여 에너지 수확소자로 동작하며, 수직방향의 힘이 가해지면 정전용량이 변화하여 촉각센서로 동작한다. 제작한 소자가 에너지 수확소자로 동작할 때 최대 36.6 V의 출력 전압이 측정되었으며, 소자를 누르는 수직힘이 증가할수록 정전용량이 커지는 것을 확인하였다.

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유기 고분자재료의 압전특성에 관한 연구 (A study on the piezoelectric porperties of organic polymeric materials)

  • 김종석;박강식;박광현;조기선;김진식
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제5권3호
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    • pp.295-301
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    • 1992
  • 본 연구는 고분자 압전 재료인 PVDF 필름을 시료로 사용하고 분극 조건을 변화시켜 가며 분극화 시킨후 압전계수를 측정하였다. 또한 X-선 회절 장치와 DSC 장치를 이용하여 결정구조 변화를 조사하였으며 또한 분극에 의해 생성된 결정의 용융특성도 관찰하였다. 분극되지 않은 시료의 용융 온도는 약 175.deg.C 부근에서 나타났으나 분극된 시료는 분극 전압이 증가함에 따라 184.deg.C부근에서 새로운 용융점이 나타나기 시작하였으며 분극 전압이 증가할수록 새로운 용융점이 점차 뚜렷해졌다.

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Asymmetric MOSFET 소자의 특성 평가

  • 최평호;김상섭;최병덕
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.232.1-232.1
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    • 2013
  • 본 연구에서는 asymmetric과 symmetric 구조의 n채널 MOSFET 소자의 성능 평가에 관한 실험을 진행하였다. 소자의 성능 평가에 있어 아날로그 회로에서의 DC 이득은 중요한 파라미터 중 하나 이다. 따라서 본 연구에서는 gm/ID 측정법을 이용하여 각 소자의 DC 이득 특성을 분석하였다. 게이트 전압에 따른 드레인 전류-드레인 전압 특성 곡선으로부터 early voltage 값을 추출하였다. 이후 최종적으로 수치적 계산을 통해 DC 이득 값을 추출하였다. 실험 결과 asymmetric과 symmetric 소자의 경우 early voltage 값이 각각 -34 V와 -15 V였으며 따라서 DC 이득 특성 또한 asymmetric 소자의 경우가 우수한 것을 확인하였다.

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자동 온도 보상 기법을 이용한 CMOS 내부 전원 전압 발생기 (CMOS Voltage down converter using the self temperature-compensation techniques)

  • 손종필;김수원
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제43권12호
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    • pp.1-7
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    • 2006
  • 본 논문에서는 자동 온도 보상 기법을 사용한 on-chip CMOS 내부 전원 전압 발생기를 제안하였다. PMOSFET의 경우, 게이트 바이어스 저압에 따라 온도의 변화에 대한 소오스-드레인간 전류 특성이 달라진다. 제안된 내부 전원 전압 발생기는 서로 다른 게이트 바이어스 전압에 두 개의 PMOSFET를 놓고, 이의 온도에 대한 서로 상이한 소오스-드레인간 전류 특성을 이용하여 내부 전원 전압 발생기 전체의 온도 의존도를 줄였다. 제안된 회로는 동부-아남 $0.18{\mu}m$ 공정을 이용하여 제작되었으며 측정 결과로 내부 전원 전압은 $-10^{\circ}C{\sim}100^{\circ}C$의 범위에서 $-0.49mV/^{\circ}C$의 온도 의존도를 보였으며 $2.2V{\sim}4.0V$의 동작 범위에서 외부 전압에 대하여 내부 전원 전압의 변화는 6mV/V를 나타내었다. 전체 전류소모는 $1.1{\mu}A@2.5V$로 저전력을 구현할 수 있었다.