• Journal of IKEEE
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• v.3 no.1 s.4
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• pp.118-125
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• 1999

A capacitance method to extract the metallurgical channel length of LDD MOSFET's, which is defined by the length between the metallurgical junction of substrate and source/drain under the gate, is presented. The gate capacitances of the finger type and plate type LDD MOSFET gate test patterns with same total gate area are measured. The gate bias of each pattern is changed, and the capacitances are measured with source, drain, and substrate bias grounded. The differences between two test pattern's capacitance data are plotted. The metallurgical channel length is extracted from the peak data at a maximum point using a simple formula. The numerical simulation using two-dimensional device simulator is performed to verify the proposed method.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.333-333
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• 2016

현재까지 가장 높은 광전류 변환 효율을 나타내는 III-V 화합물 반도체의 다중접합 태양전지 대신 이보다 단순한 에피구조를 가진 단일셀 이종접합구조의 태양전지를 제안하였다. 이를 한국나노 기술원에서 MOCVD(Metalorganic Vapour Phase Epitaxy) 장비를 이용하여 에피구조를 성장하고 태양 전지를 제작해 그 특성을 조사하였다. 태양 전지는 서로 다른 orientation의 두 GaAs 기판에 각각 동일한 에피 구조로 성장되었다. GaAs 기판은 Si 도핑된 n-type 기판으로 (100) 표면이 <111>A 방향으로 2도 off 된 웨이퍼와 10도 off 된 웨이퍼가 사용되었다. 연구에서 시뮬레이션에 사용된 태양전지의 에피 구조는 맨 위 p-GaAs (p-contact 층), p-InAlP, p-InGaP의 광흡수층과 N-InAlGaP 층과 아래의 n-InAlP와 n-GaAs의 n-contact층으로 이루어져있다.태양전지는 $5mm{\times}5mm$의 면적을 가지고 있다. 그림 1은 전류-전압의 측정된 결과를 나타낸 그래프이다. 태양전지는 1 sun 조건하에서 probe를 이용해 측정되었다. 2도 off GaAs 기판 위에 성장시킨 태양전지에서는 3.7mA의 단락전류값이, 10도$^{\circ}$ off 인 샘플에서는 4.7mA의 단락전류값이 측정되었다. 반면에 전류-전압곡선으로부터 얻은 10도 off 인 태양전지의 직렬 저항값은 2도 off 인 태양전지의 약4배 정도로 나타났다. 이는 기판의 결정방향에 따라 태양전지의 내부 전하 transport에 차이가 있음을 나타낸다. TLM (Transmission Line Model) 방법에 의한 p-contact의 ohmic저항 측정에서도 이와 일치하는 결과를 얻었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.48 no.10
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• pp.62-66
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• 2011

In this study, a new RF method to extract the drain-source voltage Vds-dependent gate-bulk capacitance of deep-submicron MOSFETs is developed by determining Vds-independent gate-source overlap capacitance using measured S-parameters. The accuracy of extraction method is verified by observing good agreements between the measured and modeled S-parameters. The lateral channel doping profile in the drain region is experimentally measured using a Vds-dependent curve of the overlap and depletion length obtained from the extracted data.

• Journal of Aerospace System Engineering
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• v.11 no.6
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• pp.56-63
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• 2017

Thrust force induced by the dielectric barrier discharge inside of cylinder pipes is measured for various conditions. The input peak-to-peak voltage and frequency are varied from 2 to 9 kVpp and from 5 to 15 kHz, respectively. The height of cylinder is varied from 50 to 100 mm. The results of the measurements show that the magnitude of the generated thrusts increases as the voltage and the frequencies increase. It also shows that the generated thrusts are decreased according to the increase in the height of the cylinder. The cause of the thrust decrease is discussed in terms of energy losses due to the frictions on the wall surface.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.20 no.6
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• pp.9-17
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• 2006

In this paper, we analyzed and measured the characteristics of the ballasts for HID lamps according to the cable properties. The ignition voltage and the steady state voltage and current are depend on the feature and the length of the cables. So we measured characteristics at 25[m] and 100[m] distances used by a low frequency electronic ballast a high frequency electronic ballast and a magnetic ballast. By measured and analyzed result of characteristics for various kinds of ballast and cables, we concluded that the electronic ballast driving with the low frequency is better than my other ballasts, and that the capacitance between the cables is important.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.150-150
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• 2010

비휘발성 메모리의 구조는 ONO($SiO_2$, $SiN_X$, $SiN_XN_Y$), 혹은 NNO($SiN_X$, $SiN_X$, $SiN_XN_Y$)등으로 구성된 blocking layer, charge storage layer, tunneling layer 등이 일반적이다. 본 연구에서 제작된 OSO구조는charge storage layer를 a-Si을 사용한 것으로, 기존에 사용되던 charge storage layer인 $SiN_x$ 대신에 a-Si:H 를 사용하였다. 최적의 전하 저장층 조건을 알기 위하여 가스비에 따른 raman 및 bandgap 측정, 그리고 C-V 통하여 트랩된 전하 저장량 및 flatband 전압의 shift 값을 측정 및 분석하였다. 실험 결과, bandgap이 작아 band edge 저장 가능하며, SiNx 와 마찬가지로 a-Si:H 내 트랩에 저장이 가능하였다. 또한 $SiO_2$/a-Si:H와 a-Si:H/SiOxNy 계면의 결함 사이트에 전하의 저장되며, bandgap이 작아 트랩 또는 band edge에 위치한 전하들이 높은 bandgap을 가지는 blocking 또는 tunneling layer를 통하여 빠져 나오기 어려운 특성이 있었다. 본 연구에서는 최적의 전하 저장 층 조건을 알기 위하여 가스비에 raman 및 bandgap 측정, 그리고 C-V 통하여 트랩된 flatband 전압의 shift 값을 측정하여 결과를 논의하였다. 또한 OSO 구조의 두께에 있어 MIS 결과와 poly-Si 상에 실제 제작된 NVM 소자의 switching 특성을 논의하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.258-258
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• 2010

레이저 유기 형광법은 비침투적인 방법으로 플라즈마를 진단할 수 있는 장점이 있다. 특히 헬륨 플라즈마 내에서 전기장이 존재하는 경우에 헬륨의 에너지 준위가 분리되는 STARK 효과를 이용하여 기판 부근에 발생한 쉬스 내의 전기장을 측정할 수 있다[1]. 그러나 플라즈마의 생성을 위한 RF 소스와 레이저 간의 위상이 동기화 되지 않는 경우엔, 그 결과 값의 보정이 필요하다. 외부의 전기장이 시변하는 경우에 각각의 위상에서 헬륨의 여기종이 느끼는 전기장의 세기는 다르다. 따라서 레이저가 어떤 타이밍에 입사되는 가에 따라 신호의 분리되는 정도가 달라지는데, 레이저와 외부 전기장의 위상을 동기화하지 않은 경우에는 관측된 신호는 각각의 위상에서 여러 가지로 분리된 신호가 더해진 합의 형태로 나타난다. 이는 외부에서 인가된 전기장의 가장 큰 값을 나타낸다고 알려져 있었다[2]. 그러나 레이저 유도 형광 신호는 넓게 분산을 가지므로 이는 보정되어야 한다. 본 연구에서는 각각의 위상에서 출력되는 형광 신호를 구하고 시간의 영역에서 1주기 동안 적분하여 실제로 관측될 레이저 유도 형광신호의 보정치를 계산하였다. 이를 실험적으로 검증하기 위해서 유도 결합 플라즈마 반응 챔버 내에서 플라즈마를 방전시킨 후에, 레이저 유도 형광법을 사용하여 기판 위에 생성된 쉬스 내의 전기장을 측정하였다. 그리고, 랑뮤어 프루브를 이용하여 벌크 플라즈마 내의 플라즈마 전압을 구하고, 이를 적분 상수로 삼아 쉬스 내의 전위 분포를 구하였다. 또한 기판에 인가되는 전압을 직접 측정하여 위에서 구한 전위 분포치와 보정을 한 후의 전위 분포치를 비교, 검토하여 보정치를 검증하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.8
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• pp.54-61
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• 2001

A fully on-chip open-drain CMOS output driver was designed for high bandwidth DRAMs, such that its output voltage swing was insensitive to the variations of temperature and supply voltage. An auto refresh signal was used to update the contents of the current control register, which determined the transistors to be turned-on among the six binary-weighted transistors of an output driver. Because the auto refresh signal is available in DRAM chips, the output driver of this work does not require any external signals to update the current control register. During the time interval while the update is in progress, a negative feedback loop is formed to maintain the low level output voltage ($V_OL$) to be equal to the reference voltage ($V_{OL.ref}$) which is generated by a low-voltage bandgap reference circuit. Test results showed the successful operation at the data rate up to 1Gb/s. The worst-case variations of $V_{OL.ref}$ and $V_OL$ of the proposed output driver were measured to be 2.5% and 7.5% respectively within a temperature range of $20^{\circ}C$ to $90^{\circ}C$ and a supply voltage range of 2.25V to 2.75V, while the worst-case variation of $V_OL$ of the conventional output driver was measured to be 24% at the same temperature and supply voltage ranges.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.5 no.1
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• pp.157-165
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• 2001

We analyzed the electrical characteristics of platinum silicide schottky junction to develope the voltage swing in Integrated Schottky Logic gates, and simulated the characteristics with the programs in this junctions. Simulation programs for analytic characteristics are the Medichi tool for device structure, Matlab for modeling and SUPREM V for fabrication process. The silicide junctions consist of PtSi and variable silicon substrate concentrations in ISL gates. Input parameters for simulation characteristics were the same conditions as process steps of the device farications process. The analitic electrical characteristics were the turn-on voltage, saturation current, ideality factor in forward bias, and has shown the results of breakdown voltage between actual characteristics and simulation characteristics in reverse bias. As a result, the forward turn-on voltage, reverse breakdown voltage, barrier height were decreased but saturation current and ideality factor were increased by substrates increased concentration variations.

• Journal of Korea Multimedia Society
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• v.3 no.5
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• pp.535-541
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• 2000

In this paper, we analyzed the characteristics of schottky junction to develop the voltage swing of ISL, and simulated the characteristics with the programs at this junctions. Simulation programs for analytic characteristics are the SUPREM V, SPICE, Medichi, Matlab. The schottky junction is rectifier contact between platinum silicide and silicon, the characteristics with programs has simulated the same conditions. The analytic parameters were the turn-on voltage, saturation current, ideality factor in forward bias, and has shown the results of breakdown voltage between actual characteristics and simulation characteristics in reverse bias. As a result, th forward turn-on voltage, reverse breakdown voltage, barrier height were decreased but saturation current and ideality factor were increased by substrates increased concentration variations.