• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.381-383
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• 2007

본 논문은 HID 램프 관등회로의 전선 길이에 따른 이그니션 전압 전류 특성 분석에 관한 것이다. 현장실태조사를 통하여 HID 램프 관등회로 전선 굵기 선정의 문제점을 제시하고 HID 램프의 이그니션 전압 전류 특성을 분석하였으며, 이론적 고찰과 시뮬레이션, 실험을 통하여 전선의 길이, 종류, 굵기에 따른 이그니션 전압 감쇄 그래프를 제시하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2020.08a
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• pp.334-335
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• 2020

본 논문에서는 레이저 광원을 적용한 무선전력전송 시스템에 적용되는 PV 모듈의 출력 특성을 분석하고, PV 모듈로부터 최대 전력을 발생시키면서 배터리를 충전시킬 수 있는 컨버터 개발 결과를 제시한다. 먼저, 특정 파장에서 최대전력이 발생되도록 개발된 PV 수신모듈에 레이저 빔을 조사하였고, 레이저에 공급되는 전력 크기에 따른 PV 모듈의 전압-전류의 특성 데이터를 확보하였다. 전압/전류 특성 데이터로부터 PV 수신모듈의 소신호 저항을 분석하였고, 이를 컨버터 회로모델에 적용함으로써 제어기 설계를 위한 시스템의 전달함수를 유도하였다. 이로부터 레이저 일사량에 따른 전류원/전압원 전영역에서 PV 모듈의 입력전압을 안정적으로 제어할 수 있는 제어기를 설계함으로써 레이저 수신용 PV 모듈이 최대 전력을 발생시킬 수 있도록 하였다. 본 논문에서 제안된 방법은 MCU 제어기반 25W급 배터리 충전용 부스트 컨버터의 프로토타입 제품을 통해 실험 검증되었다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.2 no.1
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• pp.69-74
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• 1992

This paper describes the energy and speed characteristics of an induction coil-gun. The coil-gun has some merits that it can be easily installed and repeatedly used many times, it does not damage mechanically in the course of launch and the force exerted on the projectile is distributed uniformly. An equivalent circuit is employed for modeling the coil-gun. The circuit equations and equation of motion are then derived based on the equivalent circuit. These equations are solved numerically by using Runge-Kutta method. Finally the energy transfer ratios are obtained according to the variations of the resonant frequency of driving circuit and charging voltage of capacitors. The muzzle velocities of projectile are also obtained according to the variations of electrical conductivity and initial position of projectile, firing angle of driving circuit, charging voltage of capacitor and resistance of driving coil, respectively.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2000.06b
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• pp.44-47
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• 2000

본 연구는 α-Si:H TFT(Amorphous Silicon Thin Film Transistor)를 대체 할 펜타센을 활성층으로 사용하는 박막 트랜지스터를 제작에 관한 것이다. 유기 박막 트랜지스터는 유기발광소자와 함께 유연한 디스플레이에 응용된다. 펜타센 박막 트랜지스터의 제작은 채널 길이 25㎛, 70㎛, 소스, 드레인, 게이트 전극으로 Au을 lift off 공정으로 제작하였으며, 펜타센은 OMBD(Organic Molecular Beam Deposition)로 기판온도를 80℃로 유지하여 증착하였다. 제작된 소자로부터 트랜지스터 전류-전압 특성곡선을 측정하였고, 게이트에 의한 채널의 전도도가 조절됨을 확인하였다. 그리고, 전달특성곡선으로부터 문턱전압과 전계효과 이동도를 추출하였다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.15 no.2
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• pp.150-158
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• 2010

The operational characteristics of a resonant DC/DC converter, which can harvest thermoelectric energy, is analyzed, depending on the relative magnitudes of the input voltage and the load voltage. The resonant converter consists of LC resonant circuit connected to DC input source and a resonant pulse converter in which the input energy is transferred to the load as the resonant capacitor voltage is peak. The resonant capacitor doubles the input voltage by the resonance phenomenon. By the relative magnitude between the input voltage and the output voltage, the resonant DC/DC converter operates in three different modes. For boost mode, the peak voltage of the resonant capacitor is smaller than the load voltage. For hybrid mode, the peak voltage of the resonant capacitor is bigger than the load voltage and every switching period has both the boost mode and the direct mode. For the direct mode, the input voltage is bigger than the load voltage and the converter transfers directly the input energy to the load without the switching operation. Operation principles and the feasibility of the converter for the thermoelectric energy harvesting are verified with PSPICE simulation and experiment.

• Electric Engineers Magazine
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• v.231 no.11
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• pp.29-34
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• 2001

서지란 line또는 회로를 따라서 전달되며 급속히 증가하고 서서히 감소하는 특성을 지닌 전기적 전류, 전압 또는 전력의 과도파형이다. 비가오거나 번개가 치는 날이면 전기가 끊어지거나 전화가 불통이 되는 경우를 많이 겪게 되고 전등이나 전기기기의 스위치를 켜는 경우 오디오의 음이 찌그러지거나 TV의 화면이 떨리는 것도 경험하게 됩니다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2006.11a
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• pp.118-121
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• 2006

현재 PDP는 차세대 대형 평판 표시장치로서 각광을 받고 있으며 빠른 속도로 개발이 진행되고 있다. AC PDP에서 가장 큰 문제인 화질과 휘도 및 방전효울의 향상 그리고 전력손실의 저감 등 높은 contrast의 실현, 제품 가격의 저하 등에 관한 문제이다. 본 연구에서는 벽전압 전달곡선을 이용한 동작�v성에 대해 고찰하고자 한다. 동작특성 주파수가 변화할 때 방전 개시전압이 감소하나 메모리 마진은 거의 동일함을 보였다. Duty 비를 0.5, 0.75, 0.9로 변화시키면 방전개시전압은 각각 216V, 213V, 206V로 감소하는 경향이 있지만, 방전유지전압은 153V로 거의 일정하였다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.21 no.3
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• pp.62-68
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• 2007

The increasing use of power electronic equipment in distribution system has been the reason for the greater concern about a harmonic in recent time. Therefore, it is necessary for measurement and modelling to analyze a harmonic level and a transfer characteristic in distribution system. In this paper, the Point of Common Coupling (PCC) is selected to analyze harmonic characteristic of distribution system by IEC 61000-3-6. Harmonic voltage and orient were measured at the PCC of real distribution system Harmonic distribution, nonlinear load component and Total Harmonic Distortion(THD) were verified. The effective and accurate modelling of real distribution system were proved through a analysis of harmonic impedance, voltage and current under steady-state. Harmonic transfer characteristic were investigated through a analysis of harmonic voltage and current under harmonic current source.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.14 no.8
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• pp.3976-3982
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• 2013

This paper presents a temperature analysis of the chaotic behavior in the voltage controlled CMOS chaotic circuit. The circuit is based on a simple nonlinear function block which is needed for chaotic signal generation. It consists of a NFB (nonlinear function block), a level shifter and non-overlapping two-phase clock for sample and hold. By SPICE simulation, chaotic dynamics such as frequency spectra and bifurcations according to the temperature variations were analyzed. And, it was showed that the circuit can generate discrete chaotic signals within control voltage in the range from 1.2 V to 2.3 V in a specific temperature condition of $25^{\circ}C$.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.16 no.6
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• pp.1266-1272
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• 2012

An InGaZnO thin film transistor with different gate lengths and widths have been fabricated and their device degradations with device sizes have been also performed after negative gate bias stress. The threshold voltage and subthreshold swing have been decreased with decrease of gate length. However, the threshold voltages were increased with the decrease of gate lengths. The transfer curves were negatively shifted after negative gate stress and the threshold voltage was decreased. However, the subthreshold swing was not changed after negative gate stress. This is due to the hole trapping in the gate dielectric materials. The decreases of the threshold voltage variation with the decrease of gate length and the increase of gate width were believed due to the less hole injection into gate dielectrics after a negative gate stress.