• Fire Science and Engineering
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• v.23 no.5
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• pp.153-160
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• 2009

This study aims to review the propagation characteristics of fire alarm sound in building through computer simulation. In order to achieve this goal, the sound power level of existing three different emergency alarms were measured in an anechoic chamber. Sound power level of alarm bell was 98.6dB and electronic-siren speaker was 95.7dB, and electronic-siren phon was 101.8dB at the voltage of DC 24V in the condition of anechoic chamber. As the results of acoustic simulation, it was shown that sound levels at the corridor of the building were relatively high and even. But, there were large difference in sound level at all the frequency bands between corridor and lecture rooms. This mean that alarm sound couldn't be recognized sometimes in lecture rooms. Through the computer simulation, the propagation characteristics of fire alarm sound could be forecasted and compared due to plans of buildings.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.229.2-229.2
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• 2016

본 연구에서는 Host와 Dopant $Ir(ppy)_3$의 도핑 위치 변화에 따른 bottom emission 인광 OLED를 제작하여 발광 효율 및 특성을 분석하였다. 소자의 EML은 $Ir(ppy)_3/CBP$와 $CBP/Ir(ppy)_3$ 순으로 증착하여 제작하였다. $Ir(ppy)_3/CBP$은 낮은 구동 전압에서 큰 전류밀도와 큰 luminance을 측정하였고, 반대로 $CBP/Ir(ppy)_3$은 높은 구동 전압에서 $CBP/Ir(ppy)_3$은 큰 전류밀도와 큰 luminance가 측정되었다. 이는 $Ir(ppy)_3/CBP$에서 HTL과 EML 사이에 hole direct injection이 발생으로 Hole이 증가하지만 charge balance 불일치로 roll-off가 발생하고, $CBP/Ir(ppy)_3$에서 electron direct injection에 의한 electron 증가로 charge balance가 향상된다. EL spectrum 측정에서 $Ir(ppy)_3$은 파장 512nm 발광이 일어나고, CBP와 NPB은 각각 파장 380nm, 433nm로 분석된다. 각 물질의 triplet의 전달은 energy level이 큰 곳에서 작은 곳으로 전달되는데 이러한 이유로 전압에 따른 recombination zone 변화로 각 물질에서 나오는 파장의 intensity가 달라지는 것을 확인하였다. $Ir(ppy)_3/CBP$은 낮은 전류 밀도에서는 CBP의 영향으로 380nm 파장대가 크고, 높은 전류 밀도에서는 $Ir(ppy)_3$의 영향으로 512nm 파장대가 크게 나오는 것을 확인했고, $CBP/Ir(ppy)_3$에서는 낮은 전류 밀도에서 512nm 파장대가 커지고, 큰 전류 밀도에서는 CBP에서 NPB로의 triplet 에너지 전달의 증가로 433nm 파장대가 커지는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2003.10a
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• pp.407-410
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• 2003

현재 통신시스템에서 많이 사용되고 있는 Xilinx FPGA를 이용하여, 여러 가지 로직을 구현하고 데이터 전달특성을 분석하기 위하여 신호의 노이즈와 데이터 손실을 방지하기 위하여 10층의 PCB(Printed Circuit Board)를 만들었다. FPGA에 클럭과 64bit의 데이터를 동기 시켜 전송선로의 길이의 변화와 입력된 클럭의 주파수 변화에 따른 최대 안정된 데이터 전달속도와 전송선로의 길이를 알아보았다. 제작된 PCB보드에서 FPGA의 출력 핀에서 출력포트 사이의 전송선로 길이는 13cm이며 확장된 테스트용 전송선로 보드의 길이는 30cm, 60cm, 120cm이다. 그러므로 전송선로의 길이를 13cm, 43cm, 73cm, 133cm간격으로 측정하였으며, 데이터 전송특성에 대한 클럭 주파수는 10MHz, 50MHz, 100MHz, 125MHz, 150MHz로 나누어 측정하였다. 데이터 전달 특성에서 125Mbps까지는 불가능 하지만 전송선로의 길이가 30cm일 경우 최대 100Mbps까지 안정하게 데이터를 전달할 수 있었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.11a
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• pp.85-86
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• 2019

본 논문에서는 DQ 변환을 적용한 직렬-병렬 공진형 무선 전력 전송 시스템의 동기 좌표계 모델을 제안한다. 무선 전력 전송 시스템은 일반적으로 급전 측과 집전 측에 단상 전류가 흐르기 때문에 제어에 어려움이 있다. 따라서 정상 상태의 전압 및 전류의 수식을 이용하여 부하에 전달되는 전압 및 전류의 크기를 제어하는 경우가 많다. 따라서 과도 상태의 전압 및 전류의 동특성이 원하는 특성과 다르게 나타날 수 있다. 본 논문에서는 직렬-병렬 공진형 무선 전력 전송 시스템의 단상 전압 및 전류를 DQ 변환하여 과도 상태 및 정상 상태의 전압 및 전류의 동특성을 해석할 수 있는 등가 회로 모델을 제시한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.192.1-192.1
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• 2013

본 연구는 기존의 Sputtering 방식에 Modulation 방식을 적용한 Modulated Sputtering System (MSS)에 관한 특성 관찰과 이를 이용한 박막 증착 및 분석에 관한 내용이다. MSS에 인가하는 전압은 pulse on 시간동안 타겟에 음의 전압이 인가되어 sputtering에 의한 박막이 증착되고, pulse off 시간동안에는 양의 전압을 인가하여 증착된 박막에 양이온을 입사시켜 에너지 전달에 의한 박막의 특성을 향상시키고 자한다. MSS에 인가되는 전압과 주파수, 그리고 펄스폭을 변화시키며 전압과 전류, 그리고 기판에 입사하는 이온에너지 특성을 관찰하였다. 또한 MSS를 이용하여 티타늄(Ti), 탄소(C), 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO) 박막을 증착하였다. 증착된 박막은 a-step, SEM, XRD, AFM, 4 point probe를 이용하여 박막의 두께, 결정성장면, 표면 거칠기, 비저항 등을 분석하였다. Ti 박막에서는 기판에 입사되는 양이온의 에너지가 증가함에 따라 결정 방위면이 (002)에서 (001)로 변화함을 확인하였고 탄소 박막과 AZO 박막의 경우에는 기판에 입사되는 양이온의 에너지 변화에 따라 박막의 전도도를 조절할 수 있음을 확인하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.145-146
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• 2019

본 논문에서는 DQ 변환을 적용한 직렬-직렬 공진형 무선 전력 전송 시스템의 동기 좌표계 모델을 제안한다. 일반적으로 무선 전력 전송 시스템의 경우 급전 측과 집전 측에 단상 전류가 흐르기 때문에 제어에 어려움이 있다. 따라서 정상 상태의 전압 및 전류의 수식을 이용하여 부하에 전달되는 전압 및 전류의 크기를 제어하는 경우가 많다. 따라서 과도 상태의 전압 및 전류의 동특성이 원하는 특성과 다르게 나타날 수 있다. 본 논문에서는 직렬-직렬 공진형 무선 전력 전송 시스템의 단상 전압 및 전류를 DQ 변환하여 과도 상태 및 정상 상태의 전압 및 전류의 동특성을 해석할 수 있는 등가 회로 모델을 제시한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2020.08a
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• pp.181-183
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• 2020

본 논문에서는 DQ 변환을 적용한 직렬-병렬 공진형 무선전력 전송 시스템의 동기 좌표계 모델과 이를 이용한 전류제어기 시스템을 제안한다. 무선 전력 전송 시스템은 일반적으로 급전 측과 집전 측에 단상 전류가 흐르기 때문에 제어에 어려움이 있다. 따라서 정상 상태의 전압 및 전류의 수식을 이용하여 부하에 전달되는 전압 및 전류의 크기를 제어하는 경우가 많다. 따라서 과도 상태의 전압 및 전류의 동특성이 원하는 특성과 다르게 나타날 수 있다. 본 논문에서는 직렬-병렬 공진형 무선전력 전송 시스템의 단상 전압 및 전류를 DQ 변환하여 과도 상태 및 정상 상태의 전압 및 전류의 동특성을 해석할 수 있는 등가 회로 모델을 제시하고 이를 이용하여 과도 상태 제어를 위한 고성능 전류 제어기를 제안한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2018.10a
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• pp.193-194
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• 2018

Common transistor has unipolar characteristics in accordance with the doping carriers and operation by the threshold voltage, which is related to the stability. It is required the low threshold voltage of transistors to increase the stability of devices. The sensing ability is about the detection of how low current, therefore there is difference between the low current and leakage current. This study researched the ambipolar characteristics of transistors with very low currents to define the difference between common n-type transistors with unipolar properties.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.5
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• pp.1149-1154
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• 2014

To observe the tunneling phenomenon of oxide semiconductor transistor, The Indium-gallum-zinc-oxide thin film transistors deposited on SiOC as a gate insulator was prepared. The interface characteristics between a dielectric and channel were changed in according to the properties of SiOC dielectric materials. The transfer characteristics of a drain-source current ($I_{DS}$) and gate-source voltage ($V_{GS}$) showed the ambipolar or unipolar features according to the Schottky or Ohmic contacts. The ambipolar transfer characteristics was obtained at a transistor with Schottky contact in a range of ${\pm}1V$ bias voltage. However, the unipolar transfer characteristics was shown in a transistor with Ohmic contact by the electron trapping conduction. Moreover, it was improved the on/off switching in a ambipolar transistor by the tunneling phenomenon.

• Journal of IKEEE
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• v.3 no.2 s.5
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• pp.161-167
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• 1999

3-input neuron-MOSFET inverters and 3-bit D/A converters using enhancement type device have been designed and fabricated by using standard 2-poly CMOS process. The voltage transfer curve and the noise margin of neuron-MOSFET inverters have been measured and characterized as the same method in normal CMOS inverters. From the theoretical calculation of the effects of coupling ratio on the voltage transfer curve and noise margin, we set up the design guideline for the gate oxide thickness and input gate layout in neuron-MOSFET inverters. BT using one of input gates as a control gate, we can design and fabricate the neuron-MOSFET D/A converter without offset voltage.