본 논문에서는 큰 출력 저항파 기준 전류와의 정합 특성이 우수한 새로운 전류 미러를 제안한다. CMOS 증폭기 회로에서 전원 전압이 작아지는 경우 출럭 전압의 스윙 폭이 전원 전압에 의해 제한되는 단점이 있으므로 제안된 회로는 이런 단점을 해결하기 위해 출력단의 스윙을 키우고, 안정된 동작올 할 수 있도록 한다. 출력단 부하가 큰 경우에 구동 능력을 증대시키고, 작은 전원 전압을 가질 때에도 큰 출력 스윙을 갖는 전류 미러를 시뮬레이션을 통해 가존의 캐스코드 전류 미러와 Regulated 전류 미러의 특성을 비교 및 고찰한다.
고정도 전류-모드 신호 처리와 집적 회로 설계를 위한 새로운 전류 미러를 제안하였다. 제안한 전류 미러는 입력 임피던스를 줄이기 위해 적응성 귀환 기법을 사용하였고, 출력 임피던스를 높이기 위해 조절된 캐스코드 전류 미러의 출력단을 이용하였다. 시뮬레이션 결과 제안한 전류 미러는 Vcc=5V의 공급기 전압에서 0.9Ω의 입력 임피던스, 415 MΩ의 출력 임피던스, 그리고 0.96의 전류 이득을 가진다. 소비 전력은 1.5㎽이다. 제안한 전류 미러의 응용성을 확인하기 위해 이를 이용한 전압-전류 변환기를 설계하였다. 시뮬레이션 결과, 이 변환기는 이론식과 일치된 결과를 얻었고 월슨 전류 미러를 이용한 전압 전류 변환기보다 3배 이상의 우수한 변환 특성을 가졌다.
본 논문에서는 광범위 출력전압을 위한 고정밀 BiCMOS cascode 전류미러를 제안하였다. 제안한 전류미러는 베이스 전류에러를 보상하는 BJT 전류미러를 기본으로 하고 있다. NMOS-NMOS cascode 구조 대신에 npn-NMOS cascode 구조를 사용하여, 출력저항과 출력전압 범위를 증가시켰다. npn 전류 복사 트랜지스터는 입력전류를 출력전류로 복사하고, NMOS 트랜지스터는 출력저항을 증가시켜 정밀한 전류 복사를 가능케 한다. 제안한 전류미러는 광범위 출력전압에서 정밀하게 전류를 복사한다. 5V/16V 0.5um BCD 공정을 이용하여 제작한 칩을 측정하여 검증하였고, $0.3V{\sim}16V$의 출력전압 범위에서 전류 에러는 $-2.5%{\sim}1.0%$이다.
전류 미러회로를 이용한 직류 전류 센서를 이용하면 간단하게 전류센서회로를 구성할 수 있다. 더우기 Shunt 저항에서 낮은 전압을 이용하므로 효율적인 전류감지회로를 구성할 수 있다. 그러나 트랜지스터의 에미터 베이스 전압을 이용하므로 비 직선성이 두드러진다. 이 회로의 전류센서, 온도특성등 여러 전기적 물리적 특성을 이해하고 이를 마이크로프로세서를 이용하여 그 특성을 상쇄하는 구성을 고려하여 보기로 한다.
편광분석법을 이용한 광섬유형 전류센서를 구성하여 다양한 전류측정 실험을 행하였다. 잔존 선형복굴절의 영향을 최소화하기 위하여 광섬유 센서 코일의 한쪽 끝에 Faraday 미러를 장착하였으며 일반적인 미러를 사용하는 경우와 출력의 안정성을 비교분석 하였다. 센서코일에 변형을 가하는 경우나 장시간에 걸친 안정성 실험에서도 Faraday 미러를 사용하는 경우에 출력의 안정성이 현저하게 증가함을 알 수 있었다.
본 논문에서는 온도 및 공정 보상 전류 미러(temperature and process compensation current mirror: TPC-CM)를 이용한 정밀 전류 레퍼런스를 제안하였다. 온도 변화에 영향을 받지 않는 기준 전류는 절대 온도에 비례하여 증가하는 PTAT (proportional to absolute temperature) 전류와 온도에 반비례하여 감소하는 CTAT(complementary to absolute temperature) 전류의 합으로 생성된다. 그러나 온도 계수(temperature coefficient)와 기준 전류의 크기는 공정 변화에 크게 영향을 받는다. 이런 공정 변화를 보정하기 위하여, 제안된 TPC-CM에서는 온도 계수와 기준 전류의 크기를 조절하는 두 개의 이진 가중치 전류 미러(binary weighted current mirror)를 이용하였다. 제작된 각 칩마다 PTAT 전류와 CTAT 전류를 측정한 후, 기준 전류의 크기가 온도에 상관없이 일정하도록, TPC-CM의 스위치 코드를 결정하고 그 값을 비휘발성 메모리에 저장한다. 시뮬레이션에서 TPC-CM는 공정변화 영향을 19.7%에 서 0.52%로 줄였다. 제안된 전류 레퍼런스는 3.3V 0.35um CMOS 공정을 이용하여 제작되었으며, 측정된 칩의 기준 전류 변화율은 $20^{\circ}$C${\sim}$100$^{\circ}$C에서 0.42%였다.
본 논문에서는 유효한 DC 전압을 얻기 위해 요구되는 최소입력전압이 충분히 낮으면서도 소비전력이 기존의 정류기 보다 낮은 새로운 NMOS 전류미러형 브리지 정류기를 제안하였다. 설계된 정류기는 13.56 MHz의 HF (for ISO 18000-3)부터 915 MHz의 UHF (for ISO 18000-6) 및 2.45 GHz의 마이크로파 대역 (for ISO 18000-4)까지의 전 주파수 범위에 대해 RFID Transponder에 내장된 마이크로 칩을 구동하기에 충분히 높고 잘 정류된 직류전압을 공급할 수 있다. 제안된 NMOS 정류기의 출력특성은 고주파 등가회로를 이용하여 해석하였으며, 동작 주파수 종가에 따른 게이트 누설전류를 효과적으로 감소시킬 수 있는 회로적 방법을 이론적으로 제시하였다. 이러한 방법을 사용하여 설계된 NMOS 전류미러형 브리지 정류기는 3V 피크-투-피크 입력전압과 $45\;K{\Omega}$ 부하저항에서 $100\;{\mu}W$의 소비전력 특성과 2.13V의 DC 출력전압이 구해졌다. 제안된 NMOS 전류미러형 브리지 정류기는 기존의 정류기에 비해 UHF 및 마이크로파 대역에서도 안정적으로 동작하며, 보다 우수한 특성들을 보였다.
본 논문에서는 뉴런모스를 사용한 다운리터럴(Down-Literal) 회로블록과 전류미러 스위치 블록을 사용하여 3.3(V)의 저전력과 고속에서 동작하는 4치 아날로그 변환기(Quartenary to Analog Converter : QAC)를 설계하였다. 다운리터럴 회로를 사용하여 4치입력을 전류미러 스위치의 제어신호로 전환하고 전류미러 스위치는 4치입력에 해당하는 아날로그 신호를 출력한다. 제안된 구조로 설계된 QAC는 고속의 정착시간과 저전력소모의 특징을 가지며 CMOS 0.35㎛ n-well 공정을 사용한 실험 결과를 통해서 3.3(V)의 단일 전원을 사용하여 6MHz의 표본속도와 24.5mW의 전력소모를 확인한다.
고정도 전류-모드 신호 처리를 위한 낮은 전류-입력 임피던스를 갖는 A급 바이폴라 제 2세대 전류 콘베이어(CCII)와 그것의 오프셋 보상된 CCII를 제안하였다. 제안한 CCII는 전류 입력을 위한 정류된 전류-셀, 전압 입력을 위한 이미터 폴로워, 그리고 전류 출력을 위한 전류 미러로 구성된다. 이 구성에서, 전류 입력단자의 임피던스를 줄이기 위해 두 입력 단은 전류 미러에 의해 결합되었다. 실험 결과, CCII의 전류 입력단자의 임피던스는 8.4 Ω 이하였고, 전류 입력 단자의 오프셋 전압은 40 mV로 나타났다. 이 오프셋을 줄이기 위하여 오프셋 보상된 CCII는 제안한 CCII의 회로 구성에 다이오드-결선된 npn과 pnp 트랜지스터를 첨가시켰다. 실험 결과, 오프셋 보상된 CCII의 전류 입력 단자의 임피던스는 2.1Ω이하였고, 전압 오프셋은 0.05mV로 나타났다. 제안한 두 CCII을 전압 폴로워로 사용할 때 3-dB 차단 주파수는 30 MHz이었다. 전력 소비는 6 mW이다.
저전력 전류-모드 신호처리를 위해 새로운 AB급 전류 감산기와 이를 이용한 노튼(Norton) 증폭기를 설계하였다. 전류 감산기는 트랜스리니어 셀(translinear cell), 2개의 전류 미러, 그리고 공통-이미터 증폭기로 구성되었다. 전류 감산의 원리는 트랜스리니어 셀로 입력되는 두 전류의 차가 전류 미러에 의해 얻어지고 이 전류는 공통-이미터 증폭기에 의해 ${\beta}$배 증폭되는 것이다. 노튼 증폭기는 설계한 AB급 전류 감산기와 광대역 전압 버퍼(buffer)로 구성되었다. 시뮬레이션 결과 전류 감산기는 $20{\Omega}$의 입력 저항, 50배의 전류 증폭도, $i_{IN1}$ > $i_{IN2}{\geq}4I_B$의 전류 입력 범위를 갖고 있다는 것을 확인하였다. 노튼 증폭기는 ${\pm}2.5V$ 공급전압에서 312MHz의 단위-이득 주파수, 130dB의 트랜스래지스턴스(transresistance), 4mW의 소비전력은 갖고 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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