• 제목/요약/키워드: 전류의 특성

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전류 모니터를 이용한 백열등 부하 전기설비에서 사고 징후 검출에 관한 연구 (A Study on the Detection of Indication of Accident in Electric Equipments with Incandescent Lamps Using Current Monitor)

  • 지승욱;옥경재;김시국;이춘하;이광식
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제23권1호
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    • pp.109-115
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    • 2009
  • 본 논문은 백열등 부하 전기설비에서 측정한 전류 파형으로 전기사고 징후를 조기에 검출하기 위한 것이다. 첫째, 저항성 회로에서 전류 모니터의 특성을 분석하였다. 둘째, 백열등을 부하로 하는 전기설비를 구축하고, 전기설비의 일부에서 KS C IEC(Korea Standard C International Electrostatic Commission) 60112에 따라 트래킹을 발생시켜 사고를 모의하였다. 전기사고 징후는 전류 모니터로 측정한 전류파형을 분석함으로써 검출되었다. 그 결과 부하의 수에 관계없이 사고의 최종 단계인 트래킹으로 진전되어 갈수록 전류 파형에는 점점 큰 전류 펄스가 보였고 출현빈도도 더욱 높아졌다.

자속결합을 이용한 초전도 한류기의 사고 유형별 과도특성 해석 (Transient characteristics of flux-coupling type SFCL according to fault type)

  • 정병익;최효상;조용선;하경훈;최수근;고성필
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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    • pp.2154-2155
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    • 2011
  • 국내의 전력계통은 송전거리가 짧고, 전력공급의 신뢰도 및 안정도 향상을 위해서 망상구조로 되어있다. 이러한 구조는 사고시 임피던스 저하로 인해 사고전류의 크기가 차단기 차단내력을 초과하게 된다. 또한 전력수요 증가로 인해 사고전류의 크기는 계속 증가하고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 배전계통의 장비 및 대용량 보호 기기로의 교체나 모선 분리 등의 방법을 실시하고 있지만 평사시 계통에 미치는 영향과 손실 발생에 따른 효율저하, 대용량 차단기로의 교체에 따른 경제적인 문제를 수반하게 된다. 이러한 문제점을 효과적으로 해결하기 위해 초전도 한류기가 고안되었다. 본 연구에서는 변압기와 초전도 소자를 이용한 자속 결합형 초전도 한류기의 3상 사고전류제한 실험을 수행하였다. 자속 결합형 초전도 한류기는 평상시 정상 상태에서는 초전도 소자가 저항을 발생시키지 않고, 1, 2차 리액터에서 발생하는 자속은 서로 상쇄되어 전압이 유기되지 않음으로써 아무런 손실 없이 동작한다. 하지만 계통에서 사고가 발생하여 초전도 소자 임계 전류값 이상의 사고전류가 유입되면 초전도 소자가 ��치되어 저항을 발생하게 된다. 또한 병렬로 연결된 2차측 리액터에 사고 전류가 bypass되어 1, 2차 리액터에서 전압이 유기되고 이에 따라 안정적으로 사고전류를 제한하게 된다.

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안정한계 선형전류펄스변별기 (A Stable Threshold Linear Current Pulse Discriminator)

  • 김병찬
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제5권2호
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    • pp.8-14
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    • 1968
  • 트란지스타 단일안정 멀티바이부래타(monostable multi-vibrator)와 시리콘턴넬 다이오드 (T.D)로써 구성된 전류파 파고변별기를 설계하여 그 특성을 조사하였다. 피측정 전류액의 범위는 50㎂-5.23mA이며, 이 범위에 있어서 측정된 최대비직선도는 ±0.75% 이었다. 이 변별기의 전류액 분해능은 T.D를 통하여 흐르는 편의전류에 따라서 약간 달라지며 역방향 편의전류가 3 mA 일때, 만일 5%의 과잉파고를 주용한다면 그 분해시간은 2μS이다. 다음에 이 변별기의 임계치 안정도는 주로 T.D의 턴넬전류의 최대치 1 의 안정도에 의하여 좌우되며 환경온도의 변화범위가 0℃∼50℃일때는 최대비직선도 즉 ±0.75T 보다 더큰 임계치변화는 관측되지 않았다.

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초고속 DRAM의 클록발생 회로를 위한 CMOS 전류원의 설계기법 (Design Methodology of the CMOS Current Reference for a High-Speed DRAM Clocking Circuit)

  • 김대정
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제37권2호
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    • pp.60-68
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    • 2000
  • 본 논문에서는 표준 메모리 공정에 구현이 가능한 CMOS 전류원의 설계 기법에 대해 논한다. 제안하는 설계기법은 자기바이어스 기법을 활용하여 공급전압의 변화에 대해 매우 좋은 특성을 갖고, 새로운 온도보상 기법을 통해 온도변화에 대한 출력전류 변이의 일차성분을 제거할 수 있으며, 칩 내의 전압잡음에 강한 새로운 전류감지 스타트업 회로를 포함한다. 이러한 CMOS 전류원의 회로설계 기법과 함께 제안된 CMOS 전류원을 초고속 DRAM의 클록 발생회로에 적용할 수 있는 방법에 대해서도 논의한다. 본 논문에서 제안된 CMOS 전류원의 설계기법은 해석적인 방법과 함께 회로 시뮬레이션을 통해 그 유용성을 입증한다.

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직렬연결된 두 코일의 자기결합을 이용한 초전도 전류제한기의 사고전류제한 특성 시뮬레이션 및 실험 분석 (Analysis on Simulation and Experiment for Fault Current Limiting Characteristics of SFCL using Magnetic Coupling of Two Coils with Series Connection)

  • 김재철;임성훈;김진석;안재민;문종필
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제22권8호
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    • pp.26-30
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    • 2008
  • 본 논문에서는 본 저자가 제안한 직렬연결된 두 코일의 자기결합을 갖는 초전도 전류제한기의 사고전류제한 시뮬레이션과 실험을 수행하였다. 평상시에는 두 코일로부터 발생되는 자계는 상쇄되지만 사고가 발생되면 초전도 소자의 저항발생으로 더 이상 두 코일로부터 자계는 상쇄되지 않게 되고 제한기 임피던스 발생으로 고장전류가 제한된다. 제안한 자기결합을 이용한 초전도 전류제한기의 두 코일의 인덕턴스비를 조절함으로써 제한기의 동작전류와 임피던스는가 향상될 수 있음을 시뮬레이션과 실험을 통해 확인할 수 있었다.

모의 배전계통에 초전도한류기 도입위치에 따른 전류제한 특성 (Current Limiting Characteristics due to Location of Superconducting Fault Current Limiter in Power Distribution System)

  • 유일경;김진석;김명후;임성훈;문종필;김재철
    • 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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    • 한국조명전기설비학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.97-100
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    • 2009
  • 배전계통에서 전력수요의 증가와 분산전원의 증가로 대용량 변압기의 적용이 불가피하게 되었다. 하지만, 대용량 변압기로 교체할 경우 배전계통에 고장발생시 고장전류의 크기가 증가되어 기존에 설치된 차단기 및 보호기기의 차단용량 초과로 인해 교체에 따른 경제적 비용 상승이 우려된다. 따라서, 대용량 변압기의 교체시 고장전류 증가 문제를 해결하기 위한 방안 중 하나로 초전도한류기를 설치하는 방안을 검토하고 있다. 초전도 한류기는 평상시에 초전도 상태인 영 저항이므로 전력손실이 발생하지 않으며, 고장 발생시 치로 인한 신속한 저항 발생으로 고장전류를 빠르게 감지 및 제한함으로써 기존에 설치된 차단기의 차단 용량이하로 감소시켜 줄뿐만 아니라 계통의 안정도를 향상시킬 수 있다. 그러나, 초전도한류기는 도입위치에 따라 ��치 발생시 초전도한류기의 저항 크기가 다르게 되며, 고장전류 제한효과 및 보호협조를 고려한 적정의 한류기 저항 설정이 필요하다. 이에 대한 선행연구로서, 본 논문에서는 모의 배전계통에 초전도한류기를 적용하였을 경우 도입위치에 따라 전류제한, 모선 전압강하, 초전도한류기의 전력부담을 실험을 통하여 비교 분석하였다. 분석을 통해 초전도한류기를 피더에 설치하였을 경우 전류제한 효과, 모선 전압강하 보상효과는 가장 우수하였으나 가장 많은 전력부담을 갖는 것을 확인할 수 있었다.

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PMSM 고속운전 시 토크리플 저감 알고리즘 (Torque Ripple Reduction Algorithm of PMSM at High Speed Operation)

  • 김종현;조관열;김학원;남명준;임병국;진종학;이종훈
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2014년도 전력전자학술대회 논문집
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    • pp.118-119
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    • 2014
  • 왜곡된 역기전력을 갖는 매입형 영구자석동기전동기를 정현파 전류로 제어할 경우 역기전력의 왜곡으로 인해 발생하는 토크리플은 전동기의 진동, 소음, 효율 저하의 요인이 된다. 저속운전의 경우 토크리플을 상쇄할 수 있는 고조파전류를 인가하여 전류제어에 의해 토크리플을 줄일 수 있다. 그러나 고조파 전류제어에 의한 토크리플 저감은 전류제어기의 대역폭에 의해 전류제어 특성이 좌우되므로 고조파 보상전류의 주파수가 높은 경우 적절한 보상이 되지 않는다. 본 논문에서는 전동기의 고속운전 시 고조파 전류에 해당되는 고조파 전압을 보상함으로써 역기전력에 의한 토크리플을 저감한다. 제안된 토크리플 저감 알고리즘은 시뮬레이션을 통해 검증한다.

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Coated Conductor의 특성 및 미세조직에 미치는 고온열처리 영향 (Effects of High Temperature Heat Treatment on the Microstructure and Superconducting Property of HTS Coated Conductor)

  • 도민호;홍계원;이희균
    • Progress in Superconductivity
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    • 제11권1호
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    • pp.1-7
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    • 2009
  • 고온초전도 CC를 다른 산소 분압에서 Ag과 YBCO의 녹는점 보다 낮은 온도에서 열처리시 CC의 특성에 미치는 영향을 실험하였다. 전류의 수송능력과 미세구조는 보호층인 Ag의 존재여부에 다양하게 영향을 미친다. Ag를 제거한 CC를 $850^{\circ}C$의 산소 분위기에서 2시간 동안 열처리 한 시편의 경우 CC의 임계전류의 특성에 영향을 미치지 않았다. 그러나 Ag를 제거하지 않은 CC를 $800^{\circ}C$의 산소 분위기에서 2시간 동안 열처리한 시편의 경우 임계전류가 140 A에서 8 A로 떨어지는 결과를 보였다. 또한, Ag을 제거하지 않은 CC를 1000 ppm 산소 분위기의 $800^{\circ}C$에서 2시간 동안 열처리한 시편의 경우 임계전류 값이 원래 $I_c$ 값의 $70{\sim}80%$의 임계전류 값이 나타났다. SEM 이미지와 XRD 회절 분석 결과 Ni과 Cr 원자들이 표면으로 확산되어 CC의 전류수송 특성에 영향을 미친다.

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자속구속형 초전도 전류제한기의 철심조건에 따른 특성 (Characteristics of the Flux-lock Type Superconducting Fault Current Limiter According to the Iron Core Conditions)

  • 남긍현;이나영;최효상;조금배
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제20권7호
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    • pp.38-45
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    • 2006
  • 초전도전류제한기(SFCL)는 전력계통내 적용시 계통보호를 보다 향상시킬 수 있는 방안으로써 수초이내에 신속하게 사고전류를 제한한다. 이러한 SFCL중 자속구속형 전류제한기의 설계구조는 자속구속리액터인 하나의 철심에 1차측과 2차측 코일이 병렬로 결선되어 있다. 또한 전류제한소자인 YBCO박막과 2차측 코일을 직렬로 결선하여 설치장소의 조건에 따라 인덕턴스와 2차측 코일의 극성방향으로 과도전류 크기를 조절할 수 있다. 이러한 동작특성은 철심을 자속매개체로 적용되기 때문에 철심조건에 따른 성능평가실험은 필수적이다. 가극결선에서 전원전압을 200[Vrms] 인가시 피크전류는 폐루프가 30.71[A], 개루프가 32.01[A]까지 상승됨에 따라 초기과도 응답특성은 폐루프가 유리하였다. 하지만, 소자에 발생되는 전압이 폐루프가 220.14[V], 개루프가 142.73[V]까지 상승함에 따라, 폐루프 철심구조시 전류제한소자의 부담이 가중됨을 알 수 있었다. 결과적으로 자속구속형 SFCL의 전력계통내 적용 시 각각의 철심구조에 따른 다양한 운전특성을 적절히 설계시 장점을 극대화 할 수 있을 것이다.

MEDICI와 SUPREM4를 이용한 폴리 실리콘 게이트의 벽면 기울기에 따른 NMOS 소자의 전기적 특성 분석

  • 노호섭;김진수;신주용;송한정;이제원
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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    • pp.20.1-20.1
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    • 2009
  • 반도체 소자 제조 공정 프로그램인 T-suprem4와 MEDICI를 이용하여 NMOS구조를 설계 하였다. MOS 소자 시뮬레이션을 통해 식각 공정에서 생기는 언더컷에 의한 전기적 특성을 I-V 곡선으로 비교하여 분석하였다. NMOS 구조는 반도체 소자 제조 공정 프로그램 T-suprem4를 이용하여 기본 소자 구조를 설계하였다. 실험의 변수로는 첫째, 소자 공정 중 폴리 실리콘의 언더컷 식각의 각도를 $70^{\circ}C$부터 $110^{\circ}C$까지 $10^{\circ}C$의 차이로 설계하였다. 또한, 언더컷에 의한 드레인-소스사이의 전류($I_{DS}$) 손실이 없는 유효한 각도를 확인하기 위해 $80^{\circ}C$부터 $100^{\circ}C$까지는 $2^{\circ}C$ 크기로 설계 하였다. 둘째, 게이트 크기를 축소하고 역시 언더컷 식각의 각도를 다양하게 설계하였다. 설계된 소자를 반도체 소자 특성 분석 프로그램 MEDICI를 이용하여 소자의 전기적 특성을 측정하였다. 우선 NMOS소자 게이트에 2V의 전압을 인가하였다. 그리고 드레인 부분에 전압을 인가하여 그에 따른 드레인의 전류를 측정 하였다. 드레인 전압은 0V 부터 변화시키며 인가하였다. 측정된 전류 값으로 I-V 곡선을 나타내었다. I-V 곡선의 분석을 통해 식각 후 언더컷의 각도가 $70^{\circ}C$, $80^{\circ}C$, $110^{\circ}C$ 일 때 $4\times10^{-8}A/{\mu}$의 전류가 흐르고, $90^{\circ}C$, $100^{\circ}C$ 일 때는 $1.8\times10^{-7}A/{\mu}$의 전류가 흐르는 것을 확인 하였다. $80^{\circ}C$에서 $100^{\circ}C$까지는 $2^{\circ}C$ 크기로 측정한 결과 $88^{\circ}C$에서 $100^{\circ}C$ 사이 일 때 $90^{\circ}C$ 각도의 경우와 같이 $1.8\times10^{-7}A/{\mu}$의 전류가 측정 되었다. 즉, 식각 중 수직 측벽 도에 언더컷이 $10^{\circ}C$이상 발생하면 $I_{DS}$ 전류 값이 약 22%로 감소하였다. 또한 일반적으로 $90^{\circ}C$의 수직측벽을 가지는 공정이 중요하다고만 생각 되었지만, 이번 연구를 통하여 식각 후 측벽의 각도가 $88^{\circ}C$에서 $92^{\circ}C$ 사이에 있을 때 $I_{DS}$ 값이 가장 최대가 되는 것을 확인 할 수 있었다.

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