• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
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• v.37 no.2
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• pp.182.1-182.1
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• 2012

태양전력 조절기는 태양전지에서 전력을 생성하여 배터리를 충전하고 인공위성의 모든 부하에 전력을 공급하는 역할을 한다. 이러한 태양전력 조절기는 신뢰성 확보와 대전류 처리를 위해 병렬운전한다. 병렬운전 시 전류가 각 태양전력 조절기에 균등하게 분배되지 않을 경우, 한 태양전력 조절기에만 과도한 전류가 흐르게 되고 해당 태양전력 조절기에 문제가 발생한다. 따라서 병렬운전 하는 각 태양전지 조절기에 전류를 균등하게 분배하기 위해 전류 제어기가 필요하다. 전류 제어 방식에는 Inner Loop방식과 Outer Loop 방식이 있다. Inner Loop방식은 전류 제어기가 태양전력 조절기의 전류를 제어하고, 전류 제어기의 기준 전압을 외부의 전압 제어기가 제어하는 방식이다. 한편, Outer Loop 방식은 전압 제어기가 태양전력 조절기의 전압을 제어하고, 전압 제어기의 기준 전압에 태양전력 조절기의 전류 정보를 더하여 전압을 제어하면서 간접적으로 전류를 제어하는 방식이다. 한편, 태양전지는 전압과 전류가 강한 비선형성 관계를 가지므로 태양전지의 동작점에 따라 태양전력 조절기의 소신호 특성이 변화하고, 이는 전류제어기 안정도에 심각한 영향을 미친다. 따라서 본 논문에서는 태양전지의 각 동작점에 관계없이 전류 제어기가 안정적으로 태양전력 조절기의 전류분배를 수행할 수 있도록 Inner Loop방식과 Outer Loop방식의 전류 제어기를 해석하고 두 방식을 비교한다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.16 no.12
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• pp.8306-8313
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• 2015

Open-type current sensors have been commonly used for DC motor controller, AC variable controller and Uninterruptible Power Supply. Recently they have begun to be used more widely, as the growth of renewable energy and smart-grid in power system. Considering most of the open-type current sensors are imported, developing the core technology needed to produce open-type current sensors is required. This paper describes the development and test results of open-type current sensors. Design of C type magnetic core, selection and test of a Hall sensor, design of current source circuit and signal conditioning circuit are described. 100A class DIP(Dual In-line Package) type and SMD(Surface Mount Devide) type open-type current sensors was made and tested. Test results show that the developed open-type current sensor satisfies the accuracy requirement of 2% and linearity requirement of 2% at 100 A of DC and AC current of 60Hz. Temperature compensation was carried out by using a temperature compensation circuit with NTC(Negative Temperature Coefficient) thermistor and the effect of the temperature compensation are described.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.234-234
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• 2012

고효율 저전력 고휘도를 장점으로 가지고 있는 OLED의 개선을 위하여 수많은 재료와 기술이 연구되어 왔다. 전기적 손실의 방지를 위하여 다양한 재료가 연구되고 있지만 그 중에서도 가장 각광받는 것은 그래핀이다. 그래핀(graphene)은 탄소원자가 육각형 벌집 모양 배열의 격자구조를 가지는 원자 단층 두께의 물질이다. 그래핀은 에너지와 역격자의 k 벡터가 선형적으로 비례하며 전도띠(conduction band)와 가전자띠(valence band)가 한 점에서 만나는 구조를 가지는 특징으로 인해 매우 빠른 전하 이동도(Mobility)를 가지고 있다. 이와 같은 그래핀의 특성을 이용하여 전극 층으로 이용함으로써 소자 특성의 개선이 가능할 것으로 예상되었다. $1{\times}1$ inch Glass에 ITO 대신에 그래핀을 증착한 후 Spin coater를 사용하여 PEDOT을 각각 1,000 rpm, 2,000 rpm으로 도포 하였다. 그 후 HTL (Hole transport latey), ETL (Electron-transport layer), EML (Emissive layer), EIL (Electron injection layer)를 순차적으로 증착 하여 소자를 제작하였다. 발광층에는 유기물질 Alq3를 사용하여 녹색광을 방출하도록 하였다. Spin coater의 rpm에 따라 전도성 고분자의 두께가 결정이 되는데, rpm이 높을수록 두께가 얇으며, 얇을수록 소비전력 효율이 낮다. 하지만 전류밀도 특성이 균일하지 못한 것을 확인하였다. 휘도 효율 특성은 PEDOT의 두께가 얇을수록 동일한 전압에서 휘도가 낮은것을 확인 하였다. 또한 ITO를 이용한 동일 공정의 OLED와 비교하였을 때 상대적으로 낮은 휘도와 전류 효율특성을 보였지만, 전류밀도는 상대적으로 그래핀이 높은 것으로 확인되었다. 본 연구를 바탕으로 그래핀 소자의 개선이 이루어진다면 더욱 높은 효율과 휘도를 낼 수 있을 것으로 판단된다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2001.07a
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• pp.157-160
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• 2001

APF optical link용 receiver를 하나의 바이폴라 칩으로 실현하기 위하여 수신파장 영역에서 고속.고감도 특성을 갖는 바이폴라 집적용 Si photodiode를 에피 두게 6$\mu\textrm{m}$(epi06)와 12$\mu\textrm{m}$(epi12)로 제작하고 이의 전기.광학적 특성을 조사하였다. 제작된 소자의 전기.광학적 특성을 -5 V의 동작전압에서 측정한 결과, 6 $\mu\textrm{m}$ 에피두께의 경우 접합커패시턴스와 암전류가 각각 4.8 pF와 2.6 pA로 나타났으며, 광신호 전류와 감도특성은 670 nm의 중심파장을 갖는 3.15 ㎼의 입사광 전력 아래에서 각각 0.568 $\mu\textrm{A}$와 0.18 A/W로 나타났다. 에피층의 두께가 12 $\mu\textrm{m}$의 경우 접합커패시턴스와 암전류는 각각 9.8 pF와 171.3 pA로 나타났으며, 광신호 전류와 감도특성은 3.679$\mu\textrm{A}$와 1.17 A/W로 나타났다. 제작된 두 소자는 적색 파장(λ$_{p}$=670nm)부근에서 최대 spectral response(λ$_{p}$=600nm at epi06, λ$_{p}$=700nm at epi12)를 보이고 있다.이고 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.07a
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• pp.553-556
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• 2003

금속유기물 용액 증착법(MOD)법은 금속유기물 용액을 스핀 코팅하여 고온 열처리를 통해 대면적의 고온 초전도 박막을 만들 수 있으며, 고가의 진공 시스템이 필요하지 않기 때문에 매우 경제적인 박막 증착 방법이다. 본 연구에서는 MOD법을 이용해서 고온초전도체 마이크로파 필터나 터널접합 소자와 같은 전자 소자 응용 연구를 위해 요구되는 높은 임계전류 특성을 갖도록 박막 성장 조건을 변화시켜서 제작된 고온 초전도체 Bi2Sr2CaCu2O8+d (BSCCO2212) 박막을 제작하였다. 박막 특성은 x-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM)으로 표면적, 구조적 특성을 관찰하고 저항-온도 (R-T) 변화 및 전류-전압 (I-V) 특성 측정을 통해 전기적 특성을 연구하여 임계전류를 향상 시킬 수 있는 박막제작 조건에 관해 논의하였다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.6 no.1
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• pp.65-73
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• 1999

Si-tip FEAs were fabricated by a lift-off based process and their operating properties were evaluated. The dependence of emission current on applied gate and anode voltages, maximum emission current, hysteresis phenomena, MOSFET-type curves, current fluctuation, light emission from the emitted electrons, and failure mechanism of the device were widely discussed based on the experimental results.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.1
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• pp.40-45
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• 1995

직경 2인치의 YBa2Cu3O7-y 타겟을 사용하여 높은 스퍼터링 기체 압력 하에서 off-axis DC-마그네트론 스퍼터링 방법으로 MgO(100) 단결정 기판 위에 YBa2Cu3O7-y 박막을 c축 방향으로 in-냐셔 성장시킬 때 기판의 접지 여부와 인가전류의 양이 박막 성장에 미치는 여향을 연구하였다. 그 결과 접지 여부는 박막의 초전도 변환온도, 전기수송 특성, 결정 구조적 특성에는 영향을 거의 주지 않는 반면 표면상태에는 상당한 영향을 미치며, 인가전류의 양은 초전도 특성에 많은 영향을 미침을 발견하였다. 기판온도 $670^{\circ}C$, 스퍼터링 기체압력 300mTorr, 아르곤 대 산소 분압비 5:1의 조건에서 인가전류의 최적량은 300-500 mA이었으며 평균 박막 성장속도는 $0.11-0.14AA$/s로 매우 낮았다. 기판의 접지 효과와 낮은 성장속도의 원인에 대해 고찰해 본다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.713-714
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• 2015

유도전동기에서 회전자에 대한 진단은 소형, 저압전동기의 실험결과 위주의 논문이 주를 이루어 수도사업장의 용수 공급을 위한 고압 유도전동기의 회전자 진단에 대해서는 많은 관심을 갖지 않은 실정이다. 본 논문에서는 MCSA(Motor Current Signature Analysis) 방식을 이용한 장비를 이용하여 전류 스펙트럼과 기동전류 특성 통해 회전자의 건전성을 평가하는 방법을 기술하였다. 문제가 발생한 유도전동기를 대상으로 분해점검 후 실제 문제가 발생하였음을 확인하였고 문제 해결후 정상인 것을 확인하여 회전자 결함판정기준으로 전류 스펙트럼과 기동전류 특성이 타당함을 설명하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.1116-1117
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• 2015

최근에 개발되고 있는 2세대 고온초전도 선재는 77.3 K의 액화질소보다 높은 임계온도를 가진다. 응용기기의 특성에 따라 액화질소 온도 이하의 다양한 온도 범위에서 운전되고 있다. 이러한 운전 온도의 차이는 초전도 선재의 임계전류 차이를 가져오고, 높아진 임계전류는 시스템의 안정도 측면에서 장점을 가지는 것으로 알려져 있다. 본 논문에서는 다양한 운전 온도 조건에 따른 임계전류에 의한 교류손실 측면의 연구를 진행하였다. 다양한 초전도 권선 형태에서의 임계온도에 따른 교류손실 특성을 수치해석을 통해 확인하고, 시스템의 안정성 향상에 필요한 운전온도에 대한 기본적인 특성 연구를 수행하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.07a
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• pp.19-20
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• 2005

고속 동작 다이오드를 제작하기 위해 Non punch trough 형 실리콘 pn 다이오드에 다양한 조건으로 양성자를 주입하고 조건에 따른 소자의 전류-전압 특성을 분석했다. 양성자 주입은 에너지를 2.32Mev, 2.55Mev, 2.97Mev 로 또, 각 에너지 조건에서 도즈를 $1\times10^{11}cm^{-2}$, $1\times10^{12}cm^{-2}$, $1\times10^{13}cm^{-2}$로 변화 시키며 수행했다. 분석 결과, 순방향 전류 5A에서 전압 강하는 1.1V로 주입하지 않은 최초 소자의 122%로 증가하였으며 역방향 항복전압은 양성자를 주입하지 않은 소자와 비슷한 값을 보였다. 소자의 역방향 회복시간은 50nsec로써 최초 소자의 20% 수준으로 감소했다.