Fabrication and Characterization of Si-tip Field Emitter Array

실리콘 팁 전계 방출 소자의 제조 및 동작 특성 평가

  • 주병권 (한국과학기술원 정보재료소자연구센터) ;
  • 이상조 (한국과학기술원 정보재료소자연구센터) ;
  • 박재석 (한국과학기술원 정보재료소자연구센터) ;
  • 이윤희 (한국과학기술원 정보재료소자연구센터) ;
  • 전동렬 (명지대학교 물리학과) ;
  • 오명환 (한국과학기술원 정보재료소자연구센터)
  • Published : 1999.03.01

Abstract

Si-tip FEAs were fabricated by a lift-off based process and their operating properties were evaluated. The dependence of emission current on applied gate and anode voltages, maximum emission current, hysteresis phenomena, MOSFET-type curves, current fluctuation, light emission from the emitted electrons, and failure mechanism of the device were widely discussed based on the experimental results.

Lift-off 공정에 의하여 Si-tip FEA를 제조하고 그 동작 특성을 평가하였다. 게이트 및 양극 전압에 따른 방출 전류의 변화, 최대 방출 전류, 히스테리시스 현상, MOSFET형 특성, 전류 표동, 방출된 전자에 의한 형광체 발광, 그리고 소자의 파괴 메카니즘 등이 실험 결과를 토대로 하여 폭 넓게 평가, 분석되었다.

Keywords