• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.07c
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• pp.2115-2117
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• 2005

회전기기인 고압 전동기 및 발전기의 고정자권선에서 나타나는 운전중 부분방전 진단을 위한 방법의 하나로 비접촉식 센서를 이용한 부분방전 측정에 관한 연구가 최근 들어 활발히 진행되고 있다. 그러나 이들 권선에서 나타나는 부분방전의 방사특성에 대하여 정확한 측정이 국내에서 체계적으로 검토된 실적이 없는 실정이다. 본 논문에서는 회전기 고정자권선의 부분방전 현상을 측정하는데 이용될 비접촉식 부분방전 진단센서를 개발함에 있어서 필요한 측정 주파수대역을 선정하는데 이용하고자, 여러 종류의 고정자 권선을 대상으로 전압을 인가하여 발생되는 부분방전의 펄스의 방사특성 및 잡음특성을 실험실적으로 측정하여 고찰하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.7
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• pp.464-472
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• 2001

Asymmetric n-MOSFET＇s for improving packing density have been fabricated with 0.35 ${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS process. Electrical characteristics of asymmetric n-MOSFET show a lower saturation drain current and a higher linear resistance compared to those of symmetric devices. Substrate current of asymmetric MOSFET is lower than that of symmetric devices. Asymmetric n-MOSFET＇s have been modeled using a parasitic resistance associated with abnormally structured drain or source and a conventional n-MOSFET model. MEDICI simulation has been done for accuracy of this modeling. Simulated values of reverse as we11 as forward saturation drain current show good agreement with measured values for asymmetric device.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.212.2-212.2
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• 2015

본 연구에서는 용액 공정을 통해 제작한 IGZO, ITZO 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 비교, 분석하였다. 실험에 사용된 용액의 농도는 In:Zn:Ga, In:Zn:Sn = 1:1:1로 제작하여 Spin-Coating을 통해 증착하였다. 두 소자 모두 $350^{\circ}C$에서 열처리 공정을 진행한 뒤, 전기적 특성을 측정 및 분석하였다. IGZO 박막 트랜지스터의 경우, Threshold Voltage, S.Swing, Mobility, On/Off ratio가 각각 2.2 V, 0.42, $0.18cm^2/Vs$, $1.5{\times}$10^5로 측정되었으나 ITZO 박막 트랜지스터의 경우, -6.92 V, 0.91, $0.43cm^2/Vs$, $2.1{\times}$10^5 로 IGZO보다 Negative한 방향으로 이동하였다. 이는 Sn이 Ga에 비해 Band gap이 넓고, 산소와의 결합력이 작기 때문에, ITZO 박막 트랜지스터가 Oxygen vacancy형성을 통한 Carrier density가 높은 것으로 판단된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.691-694
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• 2004

염료감응형 태양전지는 다공질 $TiO_2$ 전극막, 광감응형 염료, 전해질, 상대전극으로 구성된, 전기화학적 원리를 응용한 신형태양전지이다. 염료감응형 태양전지의 상대전극으로 주로 Pt가 사용되고 있는데 본 연구에서는 탄소나노튜브를 사용하여 상대전극으로서의 가능성을 조사하였다. 제조된 탄소나노튜브 상대전극은 cyclic voltammetry와 Impedance spectroscopy을 이용하여 전기화학적 특성을 측정하였다. 또한 탄소 나노튜브 상대 전극이 태양전지의 효율 및 그 특성에 미치는 영향을 알아보기 위하여 단위 셀 태양전지를 제조하여 단파장 하에서의 광전특성을 측정하고, 이를 바탕으로 탄소나노튜브의 상대전극으로서의 가능성을 제시하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.228-228
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• 1999

3전극 면방전형 AC-PDP의 구동에 있어서 방전유지시 구동진동수에 따른 전기적인 특성의 변화, 즉 셀 내의정전용량, 벽전하량, 벽전압, 응답시간, 메모리 상수등을 측정하였다. 본 연구를 위하여 셀핏치 1,080$mu extrm{m}$의 test panel을 제작하였다. 방전 유지전극의 폭과 간격은 각각 260$\mu\textrm{m}$, 100$\mu\textrm{m}$ 유전층은 30$\mu\textrm{m}$, 격벽은 120$\mu\textrm{m}$로 제작하였다. 방전유지전극에 150ns의 상승시간을 갖는 duty 40%의 사각파를 10~200kHz의 다양한 진동수로 인가하고, 이때 얻어지는 전압, 전류 파형과 QV 해석을 통하여 셀 내의 정전용량을 측정하였다. 그 결과 방전공간의 정전용량(Co)은 0.3pF/cell 으로 거의 일정하였으나, 유전층 내의 정전용량(Cg)는 진동수 증가에 따라 7.5pF/cell에서 0.8pF/cell까지 감소하는 경향을 보였다. 또한 전극간 정전용량(Cp)은 벽전하의 영향으로 nagative capacitance 특성을 보였다. 구동진동수가 10kHz에서 200kHz로 증가함에 따라 벽전하량은 34.5pC/ceoo에서 15.6pC/cell로 감소하며, 벽전압도 구동진동수 증가에 따라 104.4V에서 76.5V까지 감소하는 경향을 보였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.84-84
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• 2011

RF magnetron sputtering을 이용하여 산소 유량에 따라 ZnO 박막을 유리기판 위에 제작하고 구조적, 광학적, 전기적 특성을 조사하였다. 박막 증착 조건의 초기 압력은 $1.0{\times}10^{-6}Torr$, RF 파워는 100W, 증착온도는 상온으로 고정하였으며 기판은 Corning 1737 유리 기판을 사용하였다. 공정 변수로 Ar:$O_2$가스 비율을 50:50 sccm, 75:25 sccm, 100:0 sccm으로 변화시켰다. 유리기판 위에 증착된 모든 ZnO 박막에서 (002) 면의 우선배향성이 관찰되었고 85% 이상의 투과율을 나타내었다. 산소유량이 적을수록 ZnO 박막의 결정성은 향상되었고, 광학적 밴드갭은 증가하였다. Hall 측정 결과 산소의 유량이 포함되어 있는 박막에서는 모두 완전한 산화물에 가까운 화학양론적 조성으로 면 저항이 $10^6{\Omega}/{\square}$ 이상인 부도체 특성을 보였으며, 산소가 포함되지 않은 샘플에서는 n타입의 반도체 특성이 확인되었다. 산소가 포함되지 않은 Ar 유량이 100sccm일 때 전기비저항 $3.56{\times}10^{+1}1{\Omega}cm$, 전하의 농도 $2.04{\times}10^{18}cm^{-3}$, 이동도 $8.59cm^2V^{-1}s^{-1}$로 반도체 활성층으로 적합한 전기적 특성을 얻었다. ZnO 박막의 경우 산소가 포함될 경우 결정성이 저하되고, 절연특성을 갖는 것을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.07c
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• pp.1685-1687
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• 2004

초고압 케이블의 절연물질로 널리 사용되고 있는 가교 폴리에틸렌의 전기적 특성은 라멜라 결정 조직의 밀도와 라멜라 조직의 성장방향과 밀접한 관련이 있는 것으로 알려지고 있다. 본 연구에서는 반도전 물질에 계면활성제를 첨가하고, 제조 온도를 제어하여 폴리에틸렌의 미세 조직을 변화시킴으로써, 라멜라 조직이 전기적 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 전기적 특성은 절연파괴 전압을 측정하였고, TEM 분석을 통하여 폴리에틸렌의 모폴러지 분석을 하였으며, XRD 분석을 통하여 라멜라 조직의 밀도를 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.183-183
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• 2009

본 연구에선 ITO에 사용되는 Indium의 양을 줄이기 위해 ITO와 유사한 성질을 보이는 조성인 Indium - Zinc - Tin Turnary compound를 연구하였다. 각 조성은 Indium - Zinc - Tin Turnary compound를 기본으로 하여 Zinc site에 이종원소인 Al2O3와 Ga2O3를 doping함에 따라 변화되는 전기적 특성을 살며보았다. 분석에 사용한 Ceramic pellet은 일반적인 Ceramic process를 거쳐 제작되었다. 각 조성의 전기적 특성은 TCR meter와 Hall effect analyser를 이용하여 측정하였고, X-ray diffraction measurements(XRD), Scanning Electron microscope(SEM)를 이용하여 결정학적 특성을 분석하였다.

• Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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• v.17 no.6
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• pp.122-129
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• 2013

Since electrical resistivity of concrete can be measured in a more rapid and simple way than chloride diffusivity, it should be primarily regular quality control of the electrical resistivity of concrete which provides the basis for indirect of quality control of chloride diffusivity during concrete construction. If this is realized, the electrical resistivity of concrete can be a crucial parameter to establish maintenance strategy for marine concrete structures. The purpose of this study is to develop, design and test a surface electrical resistivity measurement protocol. Microstructural affecting factors such as capillary water, porosity, tourtousity, and so on, on the electrical resistivity of concrete were examined taking into account for mixing proportion properties, and hydration stage. This study can provide a non-destructive approach for durability design of marine concrete. From the relationship between electrical resistivity and chloride diffusivity, it is expected that the result is subsequently used as a calibration curve for an indirect control of the chloride diffusivity based on regular measurements of the electrical resistivity during concrete construction.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.333.2-333.2
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• 2014

RF 스퍼터링 방법을 이용하여 제작된 IGZO 박막 트랜지스터 및 단막을 제조하여 UV처리 유무에 따른 전기적 특성을 평가하였다. IGZO 박막 트랜지스터는 Bottom gate 구조로 제조되었으며 UV처리 이후 전계효과 이동도, 문턱전압 이하 기울기 값등 모든 전기적 특성이 개선된 것을 확인 하였다. 이후 UV처리에 따른 소자의 전기적 특성 개선에 대한 원인을 분석하기위해 물리적, 전기적, 광학적 분석을 실시하였다. XRD분석을 통해 UV처리 유무에 따른 IGZO박막의 물리적 구조 변화를 관찰했지만 IGZO박막은 UV처리 유무에 상관없이 물리적 구조를 갖지 않는 비정질 상태를 보였다. IGZO 박막 트랜지스터의 문턱전압 이하의 기울기 값과을 통하여 반도체 내부에 존재하는 결함의 양을 계산한 결과 UV를 조사하였을 때 결함의 양이 감소하는 결과를 얻었으며 이 결과는 SE를 통해 밴드갭 이하 결함부분을 측정하였을 때와 같은 결과였다. 또한 UV처리 전에는 shallow level defect, deep level defect등의 넓은 준위에서 결함이 발견된 반면 UV처리 이후에는 deep level defect준위는 없어지고 shallow level defect준위 역시 급격하게 감소한 것을 볼 수 있었다. 결과적으로 IGZO 박막의 경우 UV처리를 함에 따라 결함의 양이 감소하여 IGZO박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도를 증가 시킬 뿐 아니라 문턱전압 이하 기울기 값을 감소시키는 원인으로 작용하게 된다는 결과를 도출하였다.