• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.180-180
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• 2003

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)은 DRAM(Dynamic Random Access Memory)in 커패시터 재료을 상유전체 물질에서 강유전체 물질로 대체하여 전원 공급이 차단되어도 정보를 기억할 수 있고, 데이터의 고속처리가 가능하고 저소비전력과 집적화가 뛰어난 차세대 메모리 소자이다. 본 연구에서는 n-Well/P-Si(100) 기판위에 $Y_2$O$_3$ 박막을 중간층 (buffer layer)으로 사용하여 (Bi,La) Ti$_3$O$_{12}$ (BLT) 강유전체 박막을 졸-겔 방법으로 형성하여 MFM(I)S(Metal Ferroelectric Metal (Insulation) Silicon) 구조의 커패시터 및 전계효과형 트랜지스터(Field Effect Transistor) 소자를 제작하였다. 제작된 소자에 대해 형상학적, 전기적 특성을 조사, 분석하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.1330_1331
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• 2009

n형 특성을 가진 실리콘 나노선을 금확산을 이용하여 p형 특성을 가진 상태의 나노선으로 변환하였다. Back-gate 형태로 제작된 n형의 실리콘 나노선 전계 효과 트랜지스터를 제작한 후, 채널로 사용되는 나노선 위에 금을 열증착방법을 이용하여 증착했다. 이후, 급속열처리공정을 통해 실리콘 나노선에 금이온을 확산시켰다. 나노선의 특성 변환을 확인하기 위하여 전계 효과 트랜지스터의 특성곡선을 통해 그 변화를 관찰하였다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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• v.27 no.7
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• pp.829-836
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• 2003

Understanding of heat generation in semiconductor devices is important in the thermal management of integrated circuits and in the analysis of the device physics. Scanning thermal microscope was used to measure the temperature and the electric potential distribution on the cross-section of an operating metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET). The temperature distributions were measured both in DC and AC modes in order to take account of the leakage current. The measurement results showed that as the drain bias was increased the hot spot moved to the drain. The density of the iso-potential lines near the drain increased with the increase in the drain bias.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.334.2-334.2
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• 2014

본 연구에서는 a-InGaZnO (IGZO) 활성층에 대기분위기에서 열처리 온도를 각각 $150^{\circ}C$, $250^{\circ}C$, $350^{\circ}C$ 실시하여 전자구조와 광학적 특성분석 및 화학적 결합 상태의 변화를 알아보고, 이러한 물성 변화에 따른 소자의 특성을 알아 보았다. 박막 트랜지스터 소자의 전기적 특성은, IGZO 박막에 후 열처리 공정온도 후 제작한 박막 트랜지스터는 $150^{\circ}C$에서 3.1 cm2/Vs의 전계 효과 이동도와 0.38 V/decade의 문턱전압 이하 기울기를 보였으나, $350^{\circ}C$에서는 8.8 cm2/Vs의 전계 효과 이동도와 0.20 V/decade의 문턱전압 이하 기울기로 더 향상된 박막 트랜지스터의 전기적 특성 결과를 관측하였다. 전기적 소자 특성의 변화와 활성층 IGZO 박막 특성 변화와의 상관관계를 조사하기 위하여 X-ray Absorption Spectroscopy (XAS)과 Spectroscopy Ellipsometry (SE)로 측정된 흡수 스펙트럼을 통하여 3 eV 이상의 광학적 밴드 갭은 기존에 보고 되었던 a-IGZO와 유사한 특성을 보이고 있음을 확인하였고, 이러한 측정, 분석법들을 통해 후 열처리 공정 온도에 따른 밴드 갭 부근의 결함준위의 양 변화와 가전자대의 전자구조의 변화에 따라 전기적 특성이 달라짐을 확인 할 수 있었다. 또한, X-ray Photoemission Spectroscopy (XPS)를 통해 측정한 O-1s를 통해 Oxygen deficient state와 밴드 갭 부근의 결함준위와의 상관관계를 도출해낼 수 있었다. 이는 a-IGZO 활성층에 후 열처리 공정 온도 변화에 따라서 전자구조의 혼성변화와 밴드 갭 부근의 결함준위의 양의 변화, 에너지 준위의 변화 및 이와 연관된 화학적 상태 변화가 박막 트랜지스터의 특성 변화를 예상할 수 있다는 결과를 도출하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2017.10a
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• pp.454-456
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• 2017

Current and capacitance-voltage characteristics of tunnel field effect transistor (TFET) with various quantum models were investigated. Density gradient, Bohm quantum potential (BQP), and Vandort quantum correction are used with calibrating against Schrodinger-Poisson model. Drive-currents in all models. are decreased. When only BQP is used, SS and $V_{onset}$ are fixed but drive-current is decreased 3 times more than those of no quantum model. And When BQP with Vandort and density gradient are used, SS increased more than 40 mV./dec and $V_{onset}$ shifted as 0.07 eV.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.45 no.4
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• pp.49-56
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• 2008

This paper introduces a compact analytical current conduction model of long-channel depletion-mode n-type nanowire field-effect transistors (NWFETs). The NWFET used in this work was fabricated with the bottom-up process and it has a bottom-gate structure. The model includes all current conduction mechanisms of the NWFET operating at various bias conditions. The results simulated from the newly developed NWFET model reproduce a reported experimental results within a 10% error.

• Journal of the Korean Society for Railway
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• v.14 no.5
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• pp.411-415
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• 2011

DC/DC switching power converters are commonly used to generate a regulated DC output voltages with high efficiencies from different DC input sources. The voltage mode DC/DC converter utilizes MOSFET (metal-oxide semiconductor field effect transistor), inductor, and a PWM (pulse-width modulation) controller with oscillator, amplifier, and comparator, etc. to efficiently transfer energy from the input to the output at periodic intervals. The fundamental boost converter and a buck converter containing a switched-mode power supply are studied. In this paper, the electrical characteristics of DC/DC power converters are simulated by program of SPICE, and the PWM controller is implemented to check the operation. In addition, power efficiency is analyzed based on the specification of each component.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1277-1278
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• 2008

Pentacene 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극을 폴리머인 Poly(3,4-ethylene dioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS)를 사용하여 잉크젯 프린팅 방법으로 제작하였다. 펜타신 박막 트랜지스터는 열 증착법을 사용하여 폴리며 기판위에 100nm의 두께로 증착하였다. 게이트 절연막은 $SiO_2$ 위에 Polymethly Methacrylate (PMMA)를 증착시킨 double layer를 사용하였다. PMMA 위에 증착시킨 pentacene 결정립이 $SiO_2$ 위에 증착한 pentacene 결정립 보다 크게 성장하였고, double layer의 절연막을 씀으로 인해 게이트 누설 전류가 감소함을 보였다. Pentacene 증착 온도에 따른 결정립 크기를 비교하여 가장 적절한 온도를 찾았다. 프린팅 방법을 사용하여 만든 박막 트랜지스터는 전계효과 이동도가 ${\mu}_{FET}=0.023cm^2/Vs$ 이고, 문턱이전 기울기 S.S=0.49V/dec, 문턱전압 $V_{th}=-18V$, $I_{on}/I_{off}$ 전류비 >$10^3$의 전기적 특성을 보였다.

• Journal of IKEEE
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• v.21 no.1
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• pp.96-99
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• 2017

In this study the influence of the random dopant fluctuation (RDF) depending on the halo and LDD implantations for the metal-oxide-semiconductor field effect transistor is investigated through the 3D atomistic device simulation. For accuracy in calculation, the kinetic monte carlo method that models individual impurity atoms and defects in the device was applied to the atomistic simulation. It is found that halo implantation has the greater influence on RDF effects than LDD implantation; three-standard deviation of $V_{TH}$ and $I_{ON}$ induced by halo implantation is about 6.45 times and 2.46 times those of LDD implantation. The distributions of $V_{TH}$ and $I_{ON}$ are also displayed in the histograms with normal distribution curves.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.17 no.5
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• pp.435-441
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• 2008

In this paper, we investigated the electrical properties of triisopropylsilyl (TIPS) pentacene organic thin-film transistor (OTFT) depending on solvent type. We spin coated TIPS pentacene by using chlorobenzene, p-xylene, chloroform, and toluene as solvents. Fabricated OTFT with chlorobenzene shows field-effect mobility of $1.0{\times}10^{-2}cm^2/V{\cdot}s$, on/off ratio of $4.3{\times}10^3$ and threshold voltage of 5.5 V. In contrast, with chloroform, the mobility is $5.8{\times}10^{-7}cm^2/V{\cdot}s$, on/off ratio of $1.1{\times}10^2$ and threshold voltage of 1.7 V. Moreover we measured the grain size of each TIPS pentacene solvent by atomic force microscopy (AFM). From these results, it can be concluded that a solvent with higher boiling point results in better electrical characteristics due to large grain size and high crystallinity of TIPS pentacene layer. In this paper TIPS pentacene with chlorobenzene shows the best electrical properties.