지금 전 세계는 3세대 및 후속세대의 이동통신서비스의 조기 활성화와 이를 통한 유관 산업 활성화를 위해 각국의 정부들이 각고의 노력을 기울이고 있다. 특히, 2세대로부터 3세대 IMT-2000서비스로 전환해가는 과정에서 가장 시급히 해결되어야 할 문제가 이동통신주파수 배분 문제이다. 이동통신용 주파수는 대역폭 소요량이 급격히 증가하는 문제도 있지만 빠른 시간 내에 효율적이고 경제적으로 인프라를 구축하기 위해서는 저대역주파수의 활용이 매우 중요하기 때문이다. 저대역 주파수는 전달특성이 고대역주파수에 비해 우수하므로 동일한 전력으로 큰 서비스 커버리지를 확보할 수 있어 기지국 인프라 구축 및 운용비용에 있어 절대적으로 유리하다고 볼 수 있다. 이에 따라 일본과 유럽의 대부분의 국가들은 저대역주파수와 고대역주파수를 함께 활용하는 이동통신시스템 구축을 허용하기 위하여 새로운 주파수분배 정책을 수립하고 추진 중이다. 이러한 정책은 기존 주파수 분배 과정에서 발생한 주파수 불균형 현상을 시정하려는 목적도 포함되어 있다. 따라서 국내에서도 이러한 국제적인 주파수 정책 흐름을 적극 수용하여 국내 이동통신 산업의 경쟁력 제고에 노력하여야 할 것이다.
국내외적으로 배기가스 저감 등 환경규제 강화와 환경의식이 향상되면서 원자력, 석탄, 중유 발전 등은 주변지역의 반대에 직면하여 발전소 건설사업 추진이 순조롭지 못한 실정이다. 또한 석유에너지 자원의 고갈과 국제 고유가 시대에 따라 대체에너지의 개발에 세계 각국이 심혈을 기울이고 있다. 그러나 우리나라의 경우 대규모 수력 발전소 입지를 찾는데는 한계가 있으며, 대부분 개발가능 지점이 15m이하 저낙차의 특징을 갖고 있다. 종래에는 소하천을 가로막아 소수력을 개발하는 것이 주종을 이루었으나, 최근에는 공사비 과다로 인한 경제성 불투명과 각종 주변 지역의 민원으로 개발이 어려워 광역상수도, 하수처리장, 농업용 저수지, 다목적댐 하류 조정지댐 등에 저낙차 유휴에너지를 다각적으로 이용하는 방안이 연구 개발되고 있다. 본 연구에서는 저낙차를 이용한 소수력 발전의 최적설계와 경제성 평가 기법 등을 실 적용한 사례를 중심으로 논하고자 한다.
본자료는 최근 KOTRA에서 "3 저시대"의 호기를 효과적으로 활용하는 방안을 제시하기 위하여, 우리나라의 수출비중이 큰 주요수출대상국에 대해서 현지의 시장개척활동 중 나타난 사례를 중심으로, 엔화강세 및 유가하락에 따른 한일양국간의 수출경쟁력을 비교분석한 자료에서 특히, 6대 주요수출대상국(미국,일본,캐나다,영국,서독,인도네시아)만을 선정하여 타이어 및 튜브에 관한 내용을 발췌요약한 것이다. 최근 국제석유가격의 하락, 달러화의 약세 및 엔화의 강세, 국제금리의 하락추세 등 이른바 "3저시대"의 도래와 함께 우리나라 경제는 지난 2년간 겪어온 불황의 늪에서 벗어나 새로운 도약의 계기를 마련할 수 있는 중대한 국면을 맞이하였다. 그러나 3 저의 효과는 우리나라만 누리는 혜택이 아니라, 다른 경쟁국들도 정도의 차이는 있지만, 공통으로 누리게 되며, 또한 3저의 영향은 우리나라의 수출에 이로운 점만 있는 것이 아니라 불리한 점도 있는 것이다. 따라서 이러한 좋은 기회를 어떻게 최대한 효과적으로 활용하느냐가 중요한 문제인 것이다.
본 논문은 설계 자동화를 위한 저전력 하드웨어 할당 알고리듬을 제안한다. 제안한 알고리듬은 스케줄링의 결과를 입력으로 받아들이고, 각 기능 연산자에 연결된 레지스터 및 연결 구조가 최대한 공유하도록 제어스텝마다 연산과 기억 소자의 상호 연결 관계를 고려하여 기능 연산자, 연결 구조 및 레지스터 할당한다. 또한 자원의 수를 최대로 줄임으로써 할당 과정동안 저전력의 요소인 캐패시턴스를 동시에 줄인다. 제안된 알고리듬은 비교 실험을 통하여 기존의 저전력을 고려하지 않은 방식들과 비교함으로서 본 논문의 효율성 을 보인다.
본 논문에서는 저고도 탐지레이다 센서체계의 주파수 합성기는 송수신 장치의 기준 주파수원으로 이용될 국부 발진 주파수들을 생성해 내는 주파수 합성부에 대해 설명되었다. 주파수 합성기의 성능을 평가하기위하여 각 주파수 원들의 위상잡음 특성과 주파수 합성기의 스위칭 시간을 신호 혼합기를 이용하여 측정 하였으며, 그 결과 설계 시 제시한 30(usec)이하인 약18usec의 스위칭 시간이 대부분을 차지함을 알 수 있었다. 주파수 합성기에서 생성된 최종 출력 주파수는 저고도 탐지 레이다의 송수신 장치의 국부발진 주파수로 이용되므로 출력 레벨의 flatness를 측정하여 분석한다.
반도체 산업의 눈부신 발전은 진공관을 대신할 다이오드와 트랜지스터를 발명함으로써 저전력, 소형화에 성공하였기 때문이며, 또한, IC의 발명으로 이를 집적화하여 대량생산이 가능하고, 제품 제작을 용이하게 함으로써 제품 제작가격을 낮출 수 있게 되었기 때문이다. 이와 마찬가지로 가스 레이저를 대신할 반도체 레이저의 발명은 광통신의 핵심 부품인 광원의 저전력, 소형화를 실현시킴으로써 광통신 시대를 열게 하였다. 반도체 레이저의 발명으로 저전력, 소형화에는 성공하였으나, 비싼 광통신 부품은 본격적인 광통신 시대 실현에 걸림돌이 되고 있다. 반도체 산업의 주역인 IC 칩과 같은 저전력이며, 집적화가 가능하고, 대량 생산이 용이하여 가격이 저렴한 광 부품이 필요하다. 이런 이유로 광 부품 중 핵심 기술인 광원에 있어서는 표면방출레이저(VCSEL)가주목 받고 있다. 본 고에서는 각 파장 대역별로 표면방출레이저 소자의 기술 및 현황을 설명하고, 이들의 다양한 응용 분야 그리고 현재의 표면방출레이저 소자 시장 동향을 살펴 본다.
System-On-a-Chip(SOC)에 대하여 테스트 데이터 압축 및 저전력 스캔테스팅에 대한 새로운 알고리즘을 제안하였다. 스캔벡터내의 don't care 입력들을 저전력이 되도록 적절하게 값을 할당하였고 높은 압축율을 갖도록 적응적 인코딩을 적용하였다. 또한 스캔체인에 입력되는 동안 소모되는 scan-in 전력소모를 최소화하도록 스캔벡터의 입력 방향을 결정하였다. ISCAS 89 벤치마크 회로에 대하여 실험한 결과는 평균전력 소모는 약 12% 감소되었고 압축율은 약 60%가 향상됨을 보였다.
저에너지 광이온선 (broad ion beam) 을 이용한 건식식각과 박막증착에 있어서 이온선 및 증착의 조건들에 따른 영향을 살펴보았다. 저에너지 광이온선은 화합물반도체 공정 및 고융점금속의 증착, optical coating, cosputter 에 의한 초전도물질합성 등 사용범위가 넓다. 단일이온선증착과 cosputter 의 경우에 근사수식과 실험치로서 증착비 및 막의 균일도를 최적화하는 target, 웨이퍼, 이온원 사이의 기계적 설계에 대해 고찰하였다. 저에너지 이온선의 이온과 target 원자 그리고 스퍼터된 이온과 시편원자와의 물리적, 화학적 반응기구는 반응성 이온과 보조 이온선 등의 다양한 기술에 응용될 수 있을 것으로 기대된다.
휴대전화, PDA와 같은 이동 단말기와 무선 통신의 발전으로 인하여, 이동 단말기를 이용한 전자 메일, 게임, 주식거래 등이 가능하게 되었다. 무선 단말기를 통한 주식거래나 게임 등을 위하여서는 난수발생기(Random Number Generator)의 사용이 필수적이다. 그런데 최근까지의 난수발생기는 우수한 난수성에 중점을 두어 개발되었으며, 이동 단말기에서의 에너지 소비량에 대한 연구는 없었다. 이동 단말기는 무게 및 크기의 한계 때문에 배터리의 용량에 제한이 있게되므로, 되도록 에너지 소비량을 줄여서 주어진 배터리를 오랫동안 사용하기를 원하게 된다. 본 논문에서는 이동 단말기에서 많이 사용되는 여러 난수발생기들을 살펴보고, 저전력 에너지 측정도구인 SES(SNU Energy Scanner)를 이용하여 각 난수발생기의 에너지 소비량을 측정하여 이들을 비교한다. 이를 바탕으로 이동 단말기 환경에서 저전력을 소모하는 난수발생기를 제안하였다.
본 연구에서는 극 저 에너지 이온 주입에 관한 연구를 위하여 새로이 제안된 PLDAM(phenomenological local damage accumulation model)을 효과적인 분자동역학 이온 주입 분포 계산 방법(highly efficient molecular dynamics (MD) schemes)에 적용하여 극 저 에너지 이온 주입에 관하여 연구하였다. PLDAM은 셀에 축적된 에너지와 이온 발생 순서(history of recoil event) 및 열 전도를 고려하여 실리콘 자기 이완과 재결합을 고려하고 있다. 효과적인 분자동역학 이온 주입방법으로는 MDRANGE code를 사용하였다. 국부적인 격자결함을 고려하지 않은 MDRANGE의 결과는 불순물 분포의 실험치와 꼬리 부분에서 많은 차이를 보여주었다. 그러나 본 연구에서 사용된 국부적인 격자결함 축적을 고려한 MDRANGE의 결과는 극 저 에너지 이온 주입 실험치와 잘 일치하였다. 또한 본 연구에서는 <100> 실리콘 기판 위의 0.1$\mu\textrm{m}$$\times$0.1$\mu\textrm{m}$ 영역에 도즈에 해당하는 이온만큼을 주입하여 불순물 분포를 계산하였다. 붕소와 비소의 경우에, 도즈와 이온주입 에너지가 증가하에 따라서 국부적으로 축적된 격자결함이 불순물의 분포에 미치는 영향이 커지는 것을 알 수 있었다. 특별히 이온 주입 에너지와 함께 무관하게 도즈 1014/cm2 이상에서는 국부적으로 축적된 격자 결함이 불순물의 분포에 크게 영향을 미치는 것으로 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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