ETRI Journal

Electronics and Telecommunications Research Institute (한국전자통신연구원)
권호 표지

저에너지 광이온선(Broad Ion Beam)을 이용한 건식식각 및 박막증착

  • 심규환 (한국전자통신연구원 화물재료기술연구실) ;
  • 최영규 (한국전자통신연구원 화물재료기술연구실) ;
  • 양전욱 (한국전자통신연구원 화물재료기술연구실) ;
  • 강진영 (한국전자통신연구원 화물소자연구실)
  • Published : 1991.07.01
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Abstract

저에너지 광이온선 (broad ion beam) 을 이용한 건식식각과 박막증착에 있어서 이온선 및 증착의 조건들에 따른 영향을 살펴보았다. 저에너지 광이온선은 화합물반도체 공정 및 고융점금속의 증착, optical coating, cosputter 에 의한 초전도물질합성 등 사용범위가 넓다. 단일이온선증착과 cosputter 의 경우에 근사수식과 실험치로서 증착비 및 막의 균일도를 최적화하는 target, 웨이퍼, 이온원 사이의 기계적 설계에 대해 고찰하였다. 저에너지 이온선의 이온과 target 원자 그리고 스퍼터된 이온과 시편원자와의 물리적, 화학적 반응기구는 반응성 이온과 보조 이온선 등의 다양한 기술에 응용될 수 있을 것으로 기대된다.

Keywords