• Title/Summary/Keyword: 저항-온도 특성

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Characteristics analysis and Fabrication of Integrated Piezoresistive Temperature & Humidity Sensors (압저항형 온·습도 복합 센서 제작 및 특성 분석)

  • Ryu, Jeong-Tak
    • Journal of Korea Society of Industrial Information Systems
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    • v.19 no.2
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    • pp.31-36
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    • 2014
  • In this paper, we developed an intergrated piezoresistive temperature and humidity sensor using nano-technology, and evaluated the properties. In the measuring range from $20^{\circ}C$ to $80^{\circ}C$, output sensitivity of temperature was about 0.75mV/$1^{\circ}C$. Output sensitivity of humidity was about 1.35mV/10%(RH). Therefore, developed sensor suggests that it is possible applicable to the general residential environment.

Electrical and Optical Properties of ITO Thin Films for Automobile Heatable Windshield (자동차 Heatable Windshield용 ITO 박막의 전기 및 광학 특성)

  • Im, Heon-Nam;Lee, Yu-Gi;Park, Jong-Wan
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.6 no.6
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    • pp.618-625
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    • 1996
  • 고주파 마그네트론 스퍼터링(RF magnetron sputtering)법을 이용하여 자동차유리 성에 제거용 주석첨가 인듐산화물(indium tin oxide;ITO) 투명저항박막의 증착과 그 전기 및 광학 특성을 연구하였다. 기판온도는 A, T.-30$0^{\circ}C$, O2/(Ar+O2)비는 0-0.3로 변화시키며 실험하였다. 기판온도가 높아질수록, 그리고 O2/(Ar+O2)비가 높아질수록 박막의 증착속도는 감소하였다. 또한, 기판온도가 높아질수록 In2O3(400) 방향의 결정성은 감소하고, In2O3(222)와 (400) 피크만이 잔존하였다. 기판온도가 높아질수록 가시광영역의 광투과도는 향상되었고, 면저항은 20$0^{\circ}C$까지는 감소하였으나 20$0^{\circ}C$이상에서는 거의 일정하였으며, 결정립 크기는 온도가 높아질수록 증가하였다. 박막의 면저항은 O2/(Ar+O2)비가 0.1에서는 감소하고, 그 이상에서는 증가하였으며, 광투과도는 O2/(Ar+O2)비에 거의 영향을 받지 않았다.

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A Study on the ASIC of Temperature Compensation Circuit for AFCI (AFCI용 온도보상회로의 ASIC화에 관한 연구)

  • Yang, Seung-Kook;Shin, Myoung-Ho
    • Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.293-296
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    • 2009
  • In order to protect the electrical fire, AFCI(Arc Fault Cirruit Interrupter) was obligated to adopted in United States of America since 2002. AFCI using by line resistor of neutral trace needs to compensate the resistance variation of the line resistor by temperature variation. In this paper, the ASIC including the temperature compensation circuit is implemented. The successful implementation is verified by showing the effectiveness of an electric and a temperature characteristics for ARC signals by simulation results.

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Effects of Interfacial Adhesion and Chemical Crosslinking of HDPE Composite Systems on PTC Characteristics (HDPE 가교 결합과 계면 접착력 변화에 따른 PTC 특성 연구)

  • 김재철;이종훈;남재도
    • Polymer(Korea)
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    • v.27 no.4
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    • pp.275-284
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    • 2003
  • The positive temperature coefficient (PTC) effects of high density polyethylene (HDPE)/carbon black composite materials were investigated by enhancing adhesive characteristics of electrodes and controlling HDPE chemical crosslinking. When the silver paste was used as an electrode for the same 45 wt% HDPE/carbon composites, the resistance was over 1 $\Omega$, which should be compared with the resistance of 0.2 $\Omega$ for the dendritic copper electrode. In general, the silver-paste electrode exhibited higher electrical resistance than cupper electrode due to the interfacial resistance between the electrode and PTC composites. The HDPE/carbon composite exhibited typical PTC characteristics maintaining a constant resistance up to vicat point and showing a maximum at the melting point of HDPE. The crosslinked HDPE significantly decreased the negative temperature coefficient (NTC) phenomena, and desirably showed a constant or slightly increasing feature of electrical resistance in the high temperature region.

차세대 배선공정을 위한 Inductively Coupled Plasma Assisted Magnetron Sputtering을 이용한 텅스텐 막막 특성에 관한 연구

  • Lee, Su-Jeong;Kim, Tae-Hyeong;Ji, Yu-Jin;Byeon, Ji-Yeong;Lee, Won-O;Yeom, Geun-Yeong
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2018.06a
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    • pp.125-125
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    • 2018
  • 반도체 소자의 미새화에 따라 선폭이 10nm 이하로 줄어듦에 따라, 금속 배선의 저항이 급격하게 상승하고 있다. Cu는 낮은 저항과 높은 전도도를 가지고 있어 현재 배선물질로써 가장 많이 사용되고 있지만, 소자가 미세화됨에 따라 Cu를 미래의 배선물질로써 계속 사용하기에는 몇 가지 문제점이 제기되고 있다. Cu는 electron mean free path (EMFP)가 39 nm로 긴 특성을 가지기 때문에, 선폭이 줄어듦에 따라 surface 및 grain boundary scattering이 증가하여 저항이 급격하게 증가한다. 또한, technology node에 따른 소자의 operating temperature와 current density의 증가로 인해 Cu의 reliability가 감소하게 된다. 텅스텐은 EMFP가 19 nm로 짧은 특성을 가지고 있어, 소자의 크기가 줄어듦에 따라 Cu보다 낮은 저항 특성을 가질 수 있으며, 녹는점이 3695K로 1357K인 Cu보다 높으므로 배선물질로써 Cu를 대체할 가능성이 있다. 본 연구에서는 Inductively Coupled Plasma (ICP) assisted magnetron sputtering을 통해 매우 얇은 텅스텐 박막을 증착하여 저항을 낮추고자 하였다. 고밀도 플라즈마의 방전을 위해, internal-type coil antenna를 사용하였으며 텅스텐 박막의 증착을 위해 DC sputter system이 사용되었다. 높은 에너지를 가진 텅스텐 이온을 이용하여 낮은 온도에서 고품위 박막을 증착할 수 있었으며, dense한 구조의 박막 성장이 가능하였다. ICP assisted를 이용하여 증착했을 때와, 그렇지 않을 때를 비교하여 ICP 조건에 따라서 박막의 저항이 감소함을 확인할 수 있었을 뿐만 아니라 최대 약 65% 감소함을 확인할 수 있었다. XRD를 이용하여 ICP power를 인가했을 때, 높은 저항을 갖는 A-15 구조를 가진 ${\beta}$ peak의 감소와 낮은 저항을 갖는 BCC 구조를 가진 ${\alpha}$ peak의 증가를 상온과 673K에서 증착한 박막 모두에서 확인하였으며, 이를 통해 ICP power가 저항 감소에 영향을 미친다는 것을 확인하였다. 또한, 두 온도 조건에서 grain size를 계산하여 ICP power를 인가함에 따라 두 조건 모두 grain size가 증가하였음을 조사하였다. 또한, XPS 분석을 통해 ICP power를 인가하였을 때 박막의 저항에 많은 영향을 끼치는 O peak이 감소하는 것을 통해 ICP assisted의 효과를 확인하였다. 이를 통해, ICP assisted magnetron sputtering을 통해 텅스텐 박막을 증착함으로써 차세대 배선물질로써 텅스텐의 가능성을 확인할 수 있었다.

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Temperature Compensation Approach of Offset and Span for Piezo Type Pressure Sensor (압저항식 압력센서에서 온도가 Offset과 Span에 미치는 영향)

  • Lee, Seong-Jae;Park, Ha-Young;Kim, Jung-Ki;Min, Nam-Ki
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2004.07c
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    • pp.1591-1593
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    • 2004
  • 압력센서는 몇 가지 센싱 메카니즘을 가지고 있으므로 종류가 다양하고 크기 변에서도 여러 가지가 이용되고 있다. 최근에는 센싱 부분이 작으며 제어부분도 포함되는 ASIC화된 센서 시스템이 개발되고 있다. 여기에 이용되는 대부분의 탄성물질은 힘을 받았을 때 물질 내부의 벌크에서 저항 값이 변화하는 특성을 갖고 있다. 이러한 특성은 피에조 저항률(piezoresistivity)로 언급되며 스트레인 게이지의 감도에 영향을 주는 중요한 요소로 작용한다. 다이어프램으로 금속대선 세라믹을 사용하면 안정성이 우수한 특정을 가칠 수 있으며, 부식성 가스 류 및 화학성분에 대해서 내성이 강하고 환경변화에 따른 변형과 공정의 단순화 등 우수한 특성을 갖고 있는 것이 큰 장점이다. 센싱부는 산화 루세니움($RuO_2$)을 주 성분으로 하는 분말을 Paste화 하여 다이어프램 위에 스크린 프린팅을 하여 기본성능을 나타내었으며 특히, 상품화에서 중요한 일반성능에서는 온도 특성에 대한 Span 과 Offset 그리고 공정의 단순화에 대해서 고찰을 하였다.

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The electrical properties according to rare-earth and glass frit content of high voltage mutilator chip capacitor with X7R properties (고압용 X7R 적층 칩 캐패시터의 희토류 및 유리프릿 첨가에 따른 전기적 특성)

  • Yoon, Jung-Rag;Lee, Serk-Won
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.92-93
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    • 2007
  • X7R 고압용 적층 칩 캐패시터 제작을 위한 내환원성 유전체 조성물에서 희토류인 $Er_2O_3$을 0.6 mol% 첨가한 후 유리프릿 첨가시소결특성 및 절연저항이 향상됨을 확인 할 수 있었다. 회토류인 $Er_2O_3$을 첨가시 유전율 및 절연저항이 감소하는 경향을 보이나 $85^{\circ}C$ 영역에서 온도특성을 향상시키는 것을 확인하였으며 고압 적층 칩 캐패시터 제작시 온도 특성이 우수한 재료를 개발 할 수 있었다.

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Temperature Properties about SMD Inductor Core of Union Type (일체형 SMD Inductor 코어에 대한 온도 특성)

  • Kim, Ki-Joon
    • 전자공학회논문지 IE
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    • v.47 no.2
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    • pp.32-37
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    • 2010
  • In this study, to develop union type SMD inductor core needs to have the desire of super miniaturization and high reliability, it analyzed temperature properties due to electric power value. As the temperature of electronic parts rise, it bring to technical obstacles that parts can not normal operation, it reduce the span of life to raise the fault ratio. Also, it impact to the parts by heat change power and expansive power, it can not behave exactly, and it have an effect on reliability. It measured the difference value between conditional temperature and parts temperature to union type SMD inductor core. As the results of simulation using D.C. current and resistor($R_dc$), it obtained the excellent regular current values at rising temperature of 40[$^{\circ}C$].

Polymer형 내열성 PTC 소재의 특성 연구

  • 강영구;곽봉신
    • Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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    • 1999.06a
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    • pp.249-252
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    • 1999
  • 전도성 충진제가 포함된 결정성 고분자내에 대전류가 흐르게 될 경우 Joule 효과로 소재자체의 발열현상이 발생하며 온도가 증가함에 따라 고분자의 용융점 부근에서 급격한 열팽창으로 인하여 고분자 내에 분포되어 있던 전도성 충진재 입자사이의 간격이 증가하게 되며 전자들의 흐름이 방해를 받게 된다. 이에 따라 전기저항이 커져 전류의 흐름이 감소되는 철상이 발생하며 이를 PTC(Positive Temperature Coefficient)라 하고 온도 증감에 따른 전도성 충진제 간의 electron tunnelling과 고분자의 결정변화에 의해 민감한 전기저항변화 특성을 나타낸다. (중략)

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자기장하에서 Nb/$AlO_x$//Nb 조셉슨 접합의 거동

  • 김동호
    • Superconductivity and Cryogenics
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    • v.4 no.1
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    • pp.28-33
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    • 2002
  • 디지털 소자 구현에 가장 기본적인 조셉슨 접합의 특성 중 잘 알려진 특성이 아닌 자기장 하에서 접합의 거동을 살펴보았다. 자기장이 접합면에서 평행하게 걸린 경우에는 임계온도 이하에서도 어느 특정 온도에서 저항이 나타나는데 이는 그 때 접합을 투과하는 자속이 단자속의 정수배가 되는 경우에 해당함을 보였다. 이로부터 초전도 전극의 침투깊이의 크기와 온도의존성을 구할 수 있었다. 자기장이 접합면에 수직하게 걸린 경우에는 자기장이 볼텍스의 형태로 전극에 침투하여 전체접합을 볼텍스의 수로 나누는 역할을 함을 보였다. 이로써 자기장이 증가할수록 저항전이 폭이 증가함을 설명할 수 있었고 이는 고온초전도체의 거동을 이해하는 데에도 사용될 수 있음을 보였다.

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