The electrical properties according to rare-earth and glass frit content of high voltage mutilator chip capacitor with X7R properties

고압용 X7R 적층 칩 캐패시터의 희토류 및 유리프릿 첨가에 따른 전기적 특성

X7R 고압용 적층 칩 캐패시터 제작을 위한 내환원성 유전체 조성물에서 희토류인 $Er_2O_3$을 0.6 mol% 첨가한 후 유리프릿 첨가시소결특성 및 절연저항이 향상됨을 확인 할 수 있었다. 회토류인 $Er_2O_3$을 첨가시 유전율 및 절연저항이 감소하는 경향을 보이나 $85^{\circ}C$ 영역에서 온도특성을 향상시키는 것을 확인하였으며 고압 적층 칩 캐패시터 제작시 온도 특성이 우수한 재료를 개발 할 수 있었다.