• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.127-127
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• 2010

최근 Light-emitting diodes (LEDs: 발광다이오드) 디바이스의 고휘도, 저전력, 긴 수명, 다양한 색연출 가능, 친환경 소자 등의 장점으로 LED 디바이스가 flat panel display(FPD)의 back light unit (BLU) 를 비롯해 실내 외 조명과 자동차 전조등 분야 이외에도 의료, 인테리어 사업을 비롯한 각종 전자 통신 기기의 정보 처리 기기의 표시소자 등, 여러 제품 군에 적용되는 가운데 큰 관심을 받고 있다. 하지만 이러한 여러 가지 장점에도 불구하고 LED 모듈에서의 junction temperature가 높은 방열 특성이 나쁘다는 단점은 아직 해결되지 않고 있는 실정이다. LED 소자 모듈에서의 junction temperature가 높을 경우 소비되는 에너지가 많을 뿐만 아니라 LED 소자의 발광효율이 떨어지고 수명이 급격히 저하 되어, 결국에는 신뢰성 특성이 현저히 저하 되는 결과가 초래되기 때문이다. 따라서 본 논문에서는 LED 디바이스의 열저항을 낮추기 위해 고방열 세라믹 기판을 이용해 LED 디바이스의 방열 특성을 향상시킨 결과를 제시한다. 고방열 세라믹 기판을 제작하여 LED 칩을 실장시킨 다음 LED 열저항 특성을 측정하였다. 이때 고방열 세라믹 기판은 Al2O3와 AlN이 사용되었으며 제작한 세라믹 기판의 강도, 표면 roughness, 미세구조 등을 살펴보고 이 기판들의 열전도도를 측정하였다. 제작 공정방법에 따라 세라믹 기판의 미세구조를 비롯한 기계적, 열적 특성이 현저히 변하였으며 이때 LED 칩을 실장 하여 측정한 열저항 특성 값도 함께 변하였다. Al2O3의 열저항 값은 3.003 K/W 으로 측정 되었으며, AlN의 열저항 값은 3.003k/W 으로 측정되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.05a
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• pp.137-141
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• 2004

저항특성이 다른 ITO박막의 구조특성과 표면특성을 XRD와 AFM(atomic force microscopy), SEM(scanning electron microscopy)을 이용하여 관측하였다. 접촉방식인 4단자 법을 사용하여 ITO박막의 표면전기저항을 측정하였다. 관측된 구조 및 표면특성을 바탕으로 비파괴 비접촉방식을 이용한 근접장 마이크로파 현미경을 이용하여 얻은 ITO박막의 표면저항특성과 비교 연구하였다.

• The Journal of the Korea Contents Association
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• v.14 no.8
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• pp.61-73
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• 2014

While past studies on e-books have mainly focused on the uses and gratifications (UG) and technology acceptance model(TAM), this study rather analysed the innovation resistance factors of adopting the e-book based on the innovation resistance model. The research model comprises of two factors: 1) innovation characteristics which include relative advantages, compatability and complexity, 2) user characteristics which encompass attitudes towards innovation and existing products (i.e., paper books). Using online survey questionnaire, this study examined the effects of those innovation and user characteristics on the innovation resistance, and the relationship between innovation resistance and intention of adoption. The results showed that complexity and attitude towards existing products affected the innovation resistance which has negative influence on the intention of adoption. Accordingly, it is necessary to improve the ease of use in the whole process from purchase to reading experiences, and highlight e-books' own interactive features and functions which are perceived as different from paper-book user experience.

• Bulletin of the Society of Naval Architects of Korea
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• v.31 no.3
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• pp.64-68
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• 1994

이 글에서는 활주형선의 단면형상 및 장-폭비와 저항특성과의 관계를 실험적으로 살펴보았다. 본 연구는 5단계로 구성된 연구 계획중 졔 1단계 연구로써 수행되었으며 본 연구를 통하여 단면형상 및 장-폭비의 변화에 따른 저항특성, 종방향 경상(trim), 그리고 침하량(sinkage)의 변화에 대한 초기 결론을 내릴 수 있다. 이러한 초기 결과를 가지고 활주형선의 일반적인 특성에 대한 어떤 분명한 결론을 내리기에는 부족하다고 하겠으나 앞으로 남은 연구를 효율적, 성공적으로 이끌어 가기 위한 초석이 된다고 할 수 있겠다.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• v.9
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• pp.343-347
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• 1999

We fabricated a resistive SFCL having a shunt resistor parallel to it in order to bifurcate the transient current at faults. The SFCL consists of a YBCO film coated with an Au layer (10 ${\omega}$ at room temperature), which is to disperse the heat generated at hot spots in the YBCO film, and the 5 ${\omega}$ shunt resistor. The minimum quench current of the SFCL was found to be 12.2 A$_{peak}$. This SFCL successfully controlled the fault current below 23 A$_{peak}$ which is otherwise to increase up to 113 A$_{peak}$. Bifurcation of the current resulted in the temperature rise of the YBCO/Au film 3 times slower than without the shunt, protecting the SFCL at high currents.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.2055_2056
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• 2009

국가표준을 유지하기위한 표준기급의 교류저항은 상품화된 것이 외국에서 한 종류 있으나 고정된 기름 항온조에서 유지를 해야 하고, 정전차폐가 어렵고, 교류에서 측정단자의 호환성이 어렵고 가격도 대단히 비싸다. 또한 저항체가 지지대 역할을 하는 원형 보빈에 감겨져있는 선으로 구성되어서 국제비교시나 혹은 이동교정시에 기계적인 구조의 변화로 저항 값에 영향을 받기가 쉽다. 이러한 단점들을 극복한 교류저항 표준기가 개발이 되었다. 개발된 표준기는 저항체의 기계적 구조에 의한 변화를 막기 위해서 non-inductive 구조의 metal foil element로 제작된 것을 사용하였으며, 각각의 저항체에 개개의 항온조를 체택함으로서 온도의 안정성과 이동의 편리를 함께 만족되도록 하였다. 제작된 교류저항 표준기의 특성은 온도 안정도가 ${\pm}5$ mK/d, 저항값의 안정도가 ${\pm}0.01{\mu}{\Omega}/{\Omega}/d$, 1년간의 장기안정도가 $1{\mu}{\Omega}/{\Omega}$ 이하로 측정이 되었다. 개발된 교류저항 표준기는 교류저항분야 국가표준유지 및 소급에 사용이 된다.

• Journal of Korea Port Economic Association
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• v.35 no.4
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• pp.121-146
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• 2019

This study investigates the innovation resistance when blockchain technology is introduced for the shipping and port industry. For the development of a research model with suitable measures, we review and focus on innovation resistance factors with the blockchain technology derived from previous studies. In this research, we consider four factors (innovation characteristics, consumer characteristics, environmental characteristics, and cost characteristics) with innovation resistance as dependent variables. The innovation characteristics include relative benefits, complexity, and perceived risk. The consumer characteristics consider attitude toward existing products, innovation, and self-efficacy. Social impact variables are environmental characteristics and rationality of cost. In the statistical analysis, we set up eight hypotheses to test the significances between variables and find the following four empirical results. First, the relative advantage and the perceived risk have a significant effect on innovation characteristic, but the complexity of this characteristic has no significant effect on innovation resistance. Second, the rationality of cost has no significant effect on innovation resistance. Third, the attitude toward existing products has a positive effect and the innovation of the consumer characteristic has a negative effect on innovation resistance, while the self-efficacy has no significant effect. Finally, the social impact has a significant effect on innovation resistance to blockchain in the shipping and port industry.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.206-206
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• 2010

정보화 기술이 급속히 발전함에 따라서 보다 많은 양의 data를 전송, 처리, 저장 하게 되면서 이를 처리 할 수 있는 대용량, 고속, 비휘발성의 차세대 메모리의 개발이 요구 되고 있다. 이 중 저항 변화 메모리(ReRAM)는 일반적으로 전이금속산화물을 이용한 MIM 구조로서 적당한 전기 신호를 가하면 저항이 높아서 전도되지 않는 상태(Off state)에서 저항이 낮아져 전도가 가능한 상태(On state)로 바뀌는 메모리 특성을 가진다. ReRAM은 비휘발성 메모리이며 종래의 비휘발성 기억소자인 Flash memory 보다 access time이 $10^5$배 이상 빠르며, 2~5V 이하의 낮은 전압에서 동작이 가능하다. 또한 구조가 간단하여 공정상의 결함을 현저히 줄일 수 있다는 점 등 많은 장점들이 있어서 Flash memory를 대체할 수 있는 유력한 후보로 여겨지고 있다. 저항 변화의 특징을 잘 나타내는 물질에는 $TiO_2$, $Al_2O_3$, $NiO_2$, $HfO_2$, $ZrO_2$등의 많은 전이금속산화물들이 있다. 본 연구에서는 Reactive DC-magnetron Sputtering 방법과 DC-magnetron sputter를 이용하여 Ti를 증착한 후 Oxidation 방법으로 각각 증착한 $TiO_2$박막을 사용하여 저항변화특성을 관찰하였다. $TiO_2$상부에 Atomic Layer Deposition (ALD)를 이용하여 $HfO_2$ 박막을 증착하여 표면처리를 하고, 또한 $TiO_2$에 다른 전이 금속박막 층을 추가 증착하여 저항변화 특성에 접합한 조건을 찾는 연구를 진행하였다. 하부 전극과 상부 전극 물질로는 Si 100 wafer 위에 Pt 또는 TiN을 사용하였다. 저항변화 특성을 평가하기 위해 Agilent E5270B를 이용하여 current-voltage (I-V)를 측정하였다. X-ray Diffraction (XRD)를 이용하여 증착 된 전기금속 박막 물질의 결정성을 관찰했으며, Atomic Force Microscopy (AFM)을 이용하여 증착 된 샘플의 표면을 관찰했다. SEM과 TEM을 통해서는 sample의 미세구조를 확인 하였다.

• Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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• v.26 no.4
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• pp.273-278
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• 2016

In this paper, chaotic circuit of the Lorentz system using multipliers, operational amplifiers, capacitor, fixed resistor and variable resistor for control has been designed in a electronic circuit. Through PSPICE program, electrical characteristics such as time waveforms, frequency spectra and phase attractors analyzed. And in the special area ($10{\sim}100k{\Omega}$) of the $500k{\Omega}$ control variable resistor, the circuit showed chaotic dynamics. Also, we implemented the circuit in a electronic hardware system with discrete elements. Measured results of the circuit coincided with simulated data.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.8 no.3
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• pp.138-143
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• 1998

We have investigated the magnetic properties of FeBN and FeSiN films deposited by RF magnetron reactive sputtering system. It was investigated that the compositions of B, Si and N were the main factors influencing the soft magnetic properties and film resistivity. The addition of small amount of N significantly improve the soft magnetic properties and electrical resistivity. The FeBN and FeSiN films were showed good soft magnetic properties which were Hc<1 Oe, Bs:19~19 kG and $\mu$'>1000 values. The composition of films were $Fe_{75}(BN)_{25},\;Fe_{78}(SiN)_{22}$ and resistivity was 100~120 $\mu$$\Omega$-cm. but, futher increase in B, Si and N concentration degraded the soft magnetic properties due to formation of nitride such as $Fe_4N$ compound.