• Electrical & Electronic Materials
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• v.4 no.2
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• pp.175-184
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• 1991

급속 열처리 방법으로 두께가 약 80.angs.C인 산화막을 성장시킨 후 950.angs.C와 1150.angs.C의 온도에서 15초-120초 동안 질화 및 재산화 공정을 수행하여 초 박막 구조의 질화 및 재산화된 질화 산화막을 성장하였다. 성장한 질화산 화막과 재 산화된 진화 산화막의 전기적 특성은 C-V, I-V, 전하 포획 및 TDDB 측정등을 통하여 분석하였다. 측정된 소자의 특성으로부터 질화 조건이 950.angs.C, 60초이고 재산화 조건이 1150.angs.C, 60초인 재산화된 질화 산화막은 전기적 스트레스 인가후에 전하 포획에 의한 평탄전압변화(.DELTA. $V_{fb}$ )와 계면 상태밀도( $D_{itm}$)의 증가가 산화막보다 적은 우수한 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.179-179
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• 2008

$BaTiO_3$를 기본조성으로 하는 PTC 써미스터는 Curie 온도이상에서 저항이 급격히 상승하는 산화물 반도체 세라믹이다. 이러한 성질을 이용하여 degaussing 소자, 정온 발열체, 온도센서, 전류 제한소자 등 상업적으로 여러 분야에서 연구되고 있다. 또한 원가절감 등을 위하여 Ni 내부전극을 사용하여 환원 분위기에서 소결하는 칩 타입에 대한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 Sm 함량(0.1at%~1.0at%)을 달리한 $BaTiO_3$(Si, Mn, Ca) 계를 선택하여 3%$H_2/N_2$ 분위기에서 1200~$1260^{\circ}C$, 2h 소결한 후 공기 중에서 재산화 처리하고 재산화 시간에 따른 PTC 특성 변화에 대하여 고찰하였다. 재산화 온도와 시간은 각각 $800^{\circ}C$와 0.5h~10h으로 하였다. Sm 함량을 달리하여 환원 분위기에서 소결한 시편의 미세구조와 PTC 특성과의 상관관계를 관찰한 결과, 소결온도가 낮을수록 PTC 특성은 좋아졌으며, 상온 비저항은 Sm 함량이 높아질수록 낮아졌다. 또한 Sm 함량이 높아질수록 jumping ratio$(R_{max}/R_{25^{\circ}C})$는 낮아졌다. 재산화 시간에 따른 PTC 특성은 다소 떨어졌지만 소결온도에 따라 달리 나타났다. Jumping ratio$(R_{max}/R_{25^{\circ}C})$는 Sm을 0.7 at% 첨가한 계에서 재산화를 1시간 처리한 시편에서 가장 우수하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.5
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• pp.224-230
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• 2001

The characteristics of $NO/N_2O$ annealed reoxidized nitrided oxide being studied as super thin gate oxide and gate dielectric layers of Non-Volatile Semiconductor Memory (NVSM) were investigated by Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry (D-SIMS), Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (ToF-SIMS), and Auger Electron Spectroscopy (AES). The specimen was annealed by $NO/N_2O$ after initial oxide process and then rcoxidized for nitrogen redistribution in nitrided oxide. Out-diffusion of incorporated nitrogen during the wet oxidation in reoxidation process took place more strongly than that of the dry oxidation. It seems to indicate that hydrogen plays a role in breaking the Si N bonds. As reoxidation proceeds, incorporated nitrogen of $NO/N_2O$ annealed nitrided oxide is obsen-ed to diffuse toward the surface and substrate at the same time. ToF-SIMS results show that SiON species are detected at the initialoxide interface, and Si,NO species near the new $Si_2NO$ interface that formed after reoxidation. These SiON and $Si_2NO$ species most likely to relate to the origin of the state of memory charge traps in reoxidized nitrided oxide, because nitrogen dangling bonds of SiON and silicon dangling bonds of $Si_2NO$ are contained defects associated with memory effect.

• ETRI Journal
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• v.11 no.3
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• pp.11-22
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• 1989

Stress에 잘 견딜 수 있는 metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET)의 매우 얇고(10mm 이하) 고신뢰성을 갖는 게이트 절연막을 개발하기 위해서 급속열처리법을 이용하여 제조한 재산화질화산화막의 특성에 관하여 연구하였다. AES 분석에 의하여 8nm 두께의 초기산화막을 질화시킬 때 산화막의 계면이 우선적으로 질화가 일어났으며, 질화된 막을 재산화시킬 때 표면과 계면의 [N]가 감소하였다. 또한 재산화시킬 경우 두께가 약간 증가함을 보였으며, 질화가 강하게 될수록 두께 증가는 크지 않았다. 전기적 특성으로써 I-V 특성과 고주파(1MHz) C-V 특성, 정전류 stress 후의 고주파 C-V 특성 변화 들을 조사한 결과 $950^{\circ}C$ 60초 동안 질화시킨 재산화질화산화막($ONO_L막$) 은 정전류 stress에 대하여 flat band 전압 변화에 계면 상태 밀도(interface state density)변화가 적고, 절연파괴전압(breakdown voltage)특성 등이 우수하게 나타났다.

• 한국벤처창업학회:학술대회논문집
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• 2010.08a
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• pp.21-43
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• 2010

2030년대는 BT시장이 활짝 열리는 시대로 고도화된 IT기술, 데이터 해석기술, 집적회로 개발기술, 생화학기술 등 모든 영역의 기술이 필요할 것이며, 앞으로의 기술개발은 융합을 전제로 하여 IT와 BT의 융합이 관건이 될 것으로 기술개발의 시너지를 내기 위해서는 관련 산업과 대학이 물리적으로 적정한 위치에 임해야 할 것이다. 우리나라에는 2009년 말 현재 819개의 산업클러스터가 만들어졌으며, 한국산업단지공단이 집적화 된 산업단지에 여러 가지 지원시설, 지원제도 등을 제공하고 있으나 기술융합을 위한 지식재산서비스에 관한 지원제도는 미미하거나 거의 없는 실정에 있다. 이를 위해 우리나라 산업단지의 현재 기능을 살펴보고 문제점을 분석하여 산업클러스터 내의 기업들이 서로 유기적인 협력을 통하여 융합기술 개발의 시너지 효과를 극대화 할 수 있는 길을 모색하며, 특히 한국산업단지공단에 꼭 필요하다고 판단하는 지식재산 관련 지원제도(지식재산지원본부)의 기능과 조직구성에 대한 개념과 산업클러스터 내의 기업에게 지식재산전략 수립을 지원할 수 있는 Flow를 제안하여 산업클러스터의 지식재산서비스 지원방안을 제시하였다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.16 no.11
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• pp.1179-1185
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• 1991

Ultrathin Reoxidized Nitrided Oxides were formed by lamp heated rapid thermal annealing in oxyzen at temperatures of $1050^{\circ}C$-$1100^{\circ}C$ for 20, 40 seconds. The electrical characteristics of ultrathin films were evaluated by leakage current breakdown voltage. TDDB. FN tunneling. Nitridation and reoxidition condition dependence of charge trapping properties. i.e.. the flat band voltage shift $({\Delta}V_{FB})$ and the increase of charge-to-breakdown $(Q_{BD})$ induced by a high field stress where studied. As the results of analysis. rapid thermal reoxidation was achieved striking improvement of dielectric integrity, the charge to breakdown was increased and flat band voltage shift was reduced.

• 한국벤처창업학회:학술대회논문집
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• 2016.04a
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• pp.40-43
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• 2016

본 연구는 특허청의 지식재산스타기업 육성 정책을 통하여 발굴 선정된 지역의 지식재산스타기업을 대상으로 지식재산활동이 기업의 경영성과에 긍정적인 영향을 미치는가를 분석하는데 목적이 있다. 이 목적을 달성하기 위하여 2009~2011년 지식재산스타 기업으로 선정된 16개 지역의 383개 기업에 대하여 정책을 지원한 전년도와 당해 년도의 지식재산활동 및 경영성과를 분석하여 지식재산스타기업 육성 정책의 필요성을 기업에 확산시키고, 더불어 지식재산 지원정책의 활성화 방안을 제시하고자 한다. 특허청은 2006년부터 지역 중소기업의 견실한 성장을 위하여 지식재산권 중심의 기술경쟁력을 강화하여 독점적 지위 확보와 새로운 시장 개척(First-mover)의 기반을 확충할 수 있는 방안으로 성장 잠재력과 기술력을 가진 지역의 유망 중소기업을 발굴하여 3년간 지식재산컨설팅 및 특허 디자인 브랜드 등에 대한 맞춤형 종합지원을 제공하여 지역의 대표기업으로 성장시키는 "지식재산스타기업 육성 정책"을 시행하고 있다. 이와 같은 지식재산스타기업 육성 정책 지원을 통한 기업의 지식재산활동 중 지식재산 출원건수와 지식재산 전담인력수가 기업의 경영성과에 긍정적인 영향을 미칠것이라는 가설을 실증분석한 결과, 기업의 지식재산 전담인력이 많은 기업들이 경영성과에 긍정적인 영향(매출액 증가)을 주는 것으로 나타났다. 따라서, 본 연구결과에서는 중소기업에서는 체계적인 지식재산경영을 위한 전담인력 확충 등 노력이 요구되며, 정부 및 관련기관에서는 지역의 대표적인 강소기업 육성을 위하여 기업의 지식재산 경쟁력을 강화할 수 있는 "중소기업의 지식재산 전담인력 양성 프로그램"을 확대하고 지식재산 전담인력 확충에 필요한 지원 정책의 필요성을 시사하고 있다. 본 연구 이후에는 지식재산스타기업의 연구개발(R&D) 투자와 수출역량 등 연구표본의 다양화를 통하여 중소기업의 지식재산경영 실태를 분석함으로써 지식재산 기반의 '글로벌 강소기업 육성 정책'을 수립하는데 실질적인 방안을 제시할 수 있는 연구과제가 실행될 수 있을 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.02a
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• pp.68-68
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• 1999

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.53 no.6
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• pp.824-830
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• 2015

The influence of phosphorous precursors, $NH_4H_2PO_4$, $(NH_4)_2HPO_4$, $H_3PO_4$, $(C_2H_5)_3PO_4$, and $P_2O_5$, on the catalytic performance of the $BiFe_{0.65}MoP_{0.1}$ catalysts in the oxidative dehydrogenation of 1-butene to 1,3-butadiene was studied. The catalysts were characterized by XRD, $N_2$-sorption, ICP, SEM and TPRO analyses. It was not observed big difference on the physical properties of catalysts in accordance with used different phosphorous precursors, however, the catalytic performance was largely depended on the nature of the phosphorous precursors. Of various precursors, the $BiFe_{0.65}MoP_{0.1}$ oxide catalyst, which was prepared from a phosphoric acid precursor, showed the best catalytic performance. Conversion and yield to butadiene of the catalyst showed 79.5% and 67.7%, respectively, after 14 h on stream. The cation of phosphorous precursors was speculated to affect the lattice structure of the catalysts during catalyst preparation and this difference was influenced on the re-oxidation ability of the catalysts. Based on the results of TPRO, it was proposed that the catalytic performance could be correlated with re-oxidation ability of the catalysts.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2001.07a
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• pp.58-59
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• 2001