Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Improved electrical properties of reoxidized nitrided oxide film grown by rapid thermal processing

급속 열처리 방법으로 성장한 재 산화된 질화 산화막의 전기적 특성 향상

  • 양광선 (연세대학교 전자공학과) ;
  • 손문회 (연세대학교 전자공학과) ;
  • 박훈수 (연세대학교 전자공학과) ;
  • 김봉열 (연세대학교 전자공학과)
  • Published : 1991.06.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

급속 열처리 방법으로 두께가 약 80.angs.C인 산화막을 성장시킨 후 950.angs.C와 1150.angs.C의 온도에서 15초-120초 동안 질화 및 재산화 공정을 수행하여 초 박막 구조의 질화 및 재산화된 질화 산화막을 성장하였다. 성장한 질화산 화막과 재 산화된 진화 산화막의 전기적 특성은 C-V, I-V, 전하 포획 및 TDDB 측정등을 통하여 분석하였다. 측정된 소자의 특성으로부터 질화 조건이 950.angs.C, 60초이고 재산화 조건이 1150.angs.C, 60초인 재산화된 질화 산화막은 전기적 스트레스 인가후에 전하 포획에 의한 평탄전압변화(.DELTA. $V_{fb}$ )와 계면 상태밀도( $D_{itm}$)의 증가가 산화막보다 적은 우수한 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.

Keywords