• 전기기술인
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• 제243권11호
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• pp.34-38
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• 2002

세계무역기구 출범으로 글로벌 시장 경제체계가 형성되고 무역사 기술장벽은 더욱 심화됨에 따라 세계무역기구는 2005년까지 선진국의 각 국가규격을 국제규격과 서로 꼭 같도록 요구하고 있다. 이에 따라 우리 정부도 국가규격인 KS 규격을 2003년까지 국제표준화기구 규격과 완전 일치시킨다는 목표로 대대적인 사업을 추진하고 있다.

• 한국진공학회지
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• 제9권4호
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• pp.419-427
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• 2000

본 연구는 원자의 주변 환경에 따른 각각의 확산 속도를 구할 수 있는 기구를 제시하였다. STM 또는 HRLEED 등의 실험과 kinetic Monte Carlo(KMC) 시뮬레이션 계산과의 비교를 통하여 테라스 위 흡착 원자의 확산장벽, step 끝 부착 원자의 탈착 확산 장벽, 잘 알려진 Schwoebel 장벽을 포함한 각각의 확산 장벽을 구할 수 있었다. 팔-넓이, 군집 밀도, 거칠기 등이 시뮬레이션 계산과 실험 결과를 비교하는 데에 가장 적절한 원자단위의 구조변수들임을 확인하였고, 특히 아직 잘 사용되지 않은 구조 계수인 가지폭이 확산 장벽을 구별하여 구하는 데에 중요한 역할을 하는 것을 확인하였다.

• 한국안전학회지
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• 제17권3호
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• pp.112-117
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• 2002

무성 (유전체 장벽)방전기구의 질소산화물(NOx)제거효율에 대한 화학 반응역학의 전산모사 및 실험적 특성이 비교 조사되었다. 방전 전극구조에 따른 여러 종류의 유전체 장벽 방전기구가 구현되었으며 응용 방전환경 별 질소산화물(NOx)제거특성이 이론적, 실험적으로 고찰되었다. 전산모사 모델링은 유해 배가스에 대한 플라즈마 응용기구의 수학적 근접모델을 기초로 하였고 각 방전광(스트리머) 채널의 주 활성입자 생성에 의한 화학반응 종들의 비균일, 비평형 분포특성을 고려하였다. 모델링 전산모사로 얻어진 질소산화물(NOx) 제거효율은 관찰 실험특성과 오차 허용범위 내의 일치성을 나타내었다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2001년도 춘계학술강연 및 발표대회
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• pp.14-14
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• 2001

WC-Co 계의 입성장 억제는 현재 초경합금 분야에서 공학적으로 가장 중요한 이슈들 중의 하나이다 VC를 비롯한 입방정 탄화물이나 $Cr_3C_2$ 등의 여러 가지 탄화 물이 혼합되어 입성장 억제에 이용되는데 입성장 억제의 효과는 대략적으로 용해되는 탄화물의 양에 의존하고 있는 것으로 추정된다. 보다 효율적으로 입성장 억제를 실현하려면 입성장 기구를 명확히 할 필요가 있다. 최 등[1]은 VC가 WC 입자 표면 에서의 edge energy를 증가시켜서 2차원 핵생성의 에너지 장벽을 올리게 하고 이에 따라 입성장이 억제된다는 모델을 제안하였다. 이러한 모텔을 입증하기 위해서는 이론적으로만 예측이 가능한 edge energy보다 좀 더 명확한 물리적인 변수가 제시되어야 할 것이다. 여기서는 또 다른 계인 NbC- TiC-Co 계에서 NbC와 TiC의 버에 따른 입성장 거동과 입자의 형상간의 관계로부터 업성장과 edge energy 그리 고 edge energy와 입자 형상간의 관계를 알아보고 이로부터 좀 더 구체적인 의미 에서의 입성장 모텔과 입성장 억제기구를 제시하고자 한다.

• 한국항공우주학회지
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• 제46권4호
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• pp.345-358
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• 2018

고고도 과학기구는 다양한 과학연구목표를 수행하기 위해 미국, 프랑스, 일본과 같은 항공우주선진국에서 수십 년간 사용되어 왔다. 고고도 과학기구는 초기 개발 및 운용비용이 막대하게 소요되므로 국가연구기관 중심으로 연구개발이 진행되어 왔지만 최근에는 저비용 고성능 오픈소스 소프트/하드웨어 생태계의 출현으로 과학기구 개발 진입장벽이 낮아졌다. 본 연구에서는 상용 기성품을 활용하여 저비용, 사용 용이성, 호환성, 제품 개발신속성을 고려한 소형 영압력기구(Zero Pressure Balloon) 시제품을 제작하였다. 또한, 8회에 걸친 비행시험을 통하여 비행운용기술을 축적하였으며 기구시스템의 작동신뢰성을 검증하여 향후 대형 영압력기구 운용을 위한 기반을 구축하였다.

• 전자통신동향분석
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• 제10권2호통권36호
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• pp.111-124
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• 1995

무선통신의 이용급증은 전 세계적으로 시장원리에 의한 기술의 표준화와 각국의 시장보호를 위한 기술기준 제정에 대한 관심을 고조시키고 있다. 특히 세계적인 정보통신시장 개방과 연계되어 무선통신 표준의 역할이 국내외간의 원활한 통신소통 수단에서 세계 무선통신시장의 지배나 자국의 산업보호를 위한 보이지 않는 무역장벽 구축수단으로까지 변모하고 있는 것이 현실이다. 이러한 시점에서 각국의 표준화 활동기구들의 활동분야를 살펴보고 특히 최근 관심을 모으고 있는 개인휴대통신(PCS)의 제외국 표준화 현황분석을 통하여 향후 발전방향에 대하여 진단하고자 한다.

• 전기저널
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• 통권277호
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• pp.42-48
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• 2000

미국과 유럽은 세계무역기구(WTO)의 무역에 대한 기술장벽(TBT)에 관한 협정 발효 후 TBT 협정과 조화될 수 있도록 관련 법규와 기술기준의 제정 및 개정에 전력을 기울이고 있다. 보일러 및 압력용기와 관련해서는 유럽이 먼저 압력기기(Pressure Equipment)라고 명칭을 통일하고 1997년 7월 9일 European Pressure Equipment Directive(유럽의 압력기기고시 : PED)를 공포하여 그 주도권 행사에 나섰다. 이에 당황한 미국이 일본과 공조하여 PED에 대한 대응책이며 대안으로 ''국제 압력기기 기술기준 시방서''라는 명칭으로 대부분 미국의 기술기준을 준용하고 있는 우리나라로서는 아주 민감한 사항이다. 그것의 제정경위를 요약 정리함으로써 우리의 대처방안 설정에 도움이 되었으면 한다.

• 국제 전기통신 표준화 소식
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• 통권27호
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• pp.1-59
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• 1993

급변하는 전기통신 환경속에서 표준에 대한 인식이 단순히 기술 개발 차원으로서뿐 아니라 시장진출 혹은 기술장벽의 수단으로서 변모하고 있다. 이에 따라, 최근 국내, 지역 및 국제 표준화 기구에 비상이 걸렸고, 이러한 시대적 요구에 대응하기 위해 오랜 전통을 지닌 ITU의 CCITT가 표준화 분야(TSS)로 확대$\cdot$개편하고 있다. 본 연구의 주요 목적은 1993년 3월 헬싱키에서 개최되었던 제1차 세계전기통신표준화회의(WTSC)의 개최 배경, 개정된 ITU 표준화 분야의 절차 및 작업방법의 규칙, 주요의제 및 논쟁, 그리고 결과를 검토하여 국내 유관기관들에게 세계 특히, ITU의 표준화 동향과 참여 방안을 알려서 이 기관들의 적극적인 참여를 유도하고 장단기 대응방안을 수립하도록 기초자료를 제시하는 것이다.

• 대한화학회지
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• 제21권3호
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• pp.155-160
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• 1977

경쟁 1,2-와 1,4-고리화첨가반응에 대한 frontier 분자궤도와 전전자에너지의 상관도를 작도하고 이 상관도에 의해서 반응기구를 설명할 수 있었다. 고찰해서 유도된 중요 결론은 다음과 같다. 1) HO와 LU사이에 교차가 일어나지 않았다. 그러므로 반응은 열반응이다. 2) diradical을 경유하는 이단계기구가 일단계기구 보다 에너지장벽으로 미루어 보아 유리하다. 3) [2+2]와 [2+4] 고리화첨가물의 생성물분포를 예측할 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.69-69
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• 2000

(Ba, Sr)TiO3 (BST)[1-3] 박막은 유전상수가 크고 고주파에서도 유전특성 저하가 적기 때문에 ULSI DRAM(Dynamic Random Access Memory)에 응용 가능한 물질로 최근 각광을 받고 있다. 하지만, 아직 BST 박막을 DRSM에 바로 적용하기 위해선 몇 가지 문제점이 있다. 그 중 누설전류 문제는 디바이스 응용시 매우 중요한 요소이다. 특히, DRAM에서 refresh time와 직접적인 관련이 있어 디바이스 내의 신뢰도 및 전력소모를 결정하는 주된 인자가 된다. 지금까지, BST 박막의 인가전업, 온도, 그리고 전극물질에 따른 누설전류 현상들이 고찰되었고, 이에 관한 많은 전도기구 모델들이 제시되었다. Schottky emission, Poole-Frenkel emission, space charge limited conduction 등이 그 대표적인 예이다. 하지만 아쉽게도 BST 박막의 정확한 누설 전류 전도 기구를 완전히 설명하는데는 아직 한계가 있다. 따라서 본 연구에서는 제작된 BST 커패시터 내의 기본적인 전기적 성질을 조사하고, 정확한 누설전류 기구 규명에 초점을 두고자 한다. 이를 위해 기존의 여러 기구들과 비교 분석할 것이다. 하부전극으로 사용하기 위해 스퍼터링 방법으로 p-Si(100) 기판위에 RuO2 박막을 약 120nm 증착하였다. 증착전의 chamberso의 초기압력은 5$\times$10-6 Torr이하의 압력으로 유지시켰다. Ar/O2의 비는 이전 실험에서 최적화된 9/1로 하였다. BST 박막 증착 시 5분간 pre-sputtering을 실시한 후 하부전극 기판위에 BST 박막을 증착하였다. 증착이 끝난 후 시편을 상온까지 냉각시킨 후 꺼내었다. 전기적 특성을 측정하기 상부전극으로 RuO2와 Al 박막을 각각 상온에서 100nm 증착하였다. 이때 hole mask를 이용하여 반경이 140um인 원형의 상부전극을 증착하였다. BST 박막의 증착온도가 증가하고 Ar/O2 비가 감소할수록 제작된 BST-커패시터의 전기적 성질이 우수하였다. 증착온도 $600^{\circ}C$, ASr/O2=5/5에서 증착된 막의 누설전류는 4.56$\times$10-8 A/cm2, 유전상수는 600 정도의 값을 나타내었다. 인가전압에 따른 BST 커패시터의 transition-current는 Curie-von Schweider 모델을 따랐다. BST 박막의 누설전류 전도기구는 기존의 Schottky 모델이 아니라 modified-Schottky 무델로 잘 설명되었다. Modified-Schottky 모델을 통해 BST 박막의 광학적 유전율 $\varepsilon$$\infty$=4.9, 이동도 $\mu$=0.019 cm2/V-s, 장벽 높이 $\psi$b=0.79 eV를 구하였다.